本发明涉及一种具有高拉伸强度、高应力保持率手套用羧基丁腈胶乳及其制备方法。所述胶乳由聚合物微粒子分散液A和聚合物微粒子分散液B按一定比例复合构成，具体为聚合物微粒子分散液A是1,3‑丁二烯、丙烯腈及甲基丙烯酸单体，在乳化剂、链转移剂、电解质及水溶性氧化剂存在下，通过乳液共聚合方法制备而成，经消泡、脱除残余单体、浓缩、调整pH后最终制备得到的；聚合物微粒子分散液B是1,3‑丁二烯、丙烯腈及衣康酸单体，在乳化剂、链转移剂、电解质及水溶性氧化剂存在下，通过乳液共聚合方法制备而成，经消泡、脱除残余单体、浓缩、调整pH后最终制备得到的；分散液B的聚合物微粒子中丙烯腈所占重量比大于分散液A的聚合物微粒子中丙烯腈所占重量比，聚合物微粒子分散液A和聚合物微粒子分散液B按所含的固体成分95:5至40:60的范围内配合形成高拉伸强度、高应力保持率手套用羧基丁腈胶乳。采用本发明制备的羧基丁腈胶乳生产的浸渍成型手套产品，拉伸强度≥30 MPa、应力保持率≥45%，且伸长率≥500%，同时具备高拉伸强度、高应力保持率及良好的柔软度。

华中科技大学全内反射荧光显微镜成像系统采购项目招标项目的潜在投标人应在线上报名获取招标文件，并于2022年06月30日14点30分（北京时间）前递交投标文件。

（专利号：ZL 201410238970.5） 简介：本发明公开了一种AlCrTiSiN/AlCrN多元梯度工具涂层，属于材料表面镀膜技术领域。本发明涂层是由多弧离子镀技术制备的中高温自润滑多元梯度涂层，为三层梯度结构，分别为CrN层、AlCrN层和AlCrTiSiN层，所述AlCrN梯度过渡层厚度为0.84～1.09μm，AlCrTiSiN工作层厚度为1.61～2.36μm；所述AlCrTiSiN工作层中含有50～70％的(Al，Cr)

本发明公开的含苯酰亚胺苯乙炔结构的单体能使合成的聚合物在高温下发生自交联化学反应，当其与Ⅰ、Ⅱ表示的合成聚酯的结构单元经无规共聚即可获得高温自交联共聚酯，且当该共聚酯含PET结构单元时的特性黏数[η]为0.44～1.38dL/g，垂直燃烧UL-94等级为V-2～V-0级，氧指数LOI为24.0～35.0％，锥形量热测试峰值热释放速率PHRR和烟释放总量均低于纯聚酯。本发明还公开了共聚酯制备方法。由于本发明共聚酯中的苯酰亚胺和苯乙炔间能产生协同交联作用，因而具有极高的阻燃抗熔滴效率，同时赋予了共聚酯优良的阻燃、抗熔滴及抑烟的性能。本发明提供的方法因与常规聚酯的合成方法基本一致，不仅工艺成熟，操作简单方便，且也易于控制和便于工业化生产。

本发明公开了一种采用选择性激光熔化快速成形技术制备高温 钛合金的方法，包括以下步骤：(1)按照钛合金的名义化学成分中各元 素的质量比例来配置各元素的粉末，随后进行真空感应熔炼；(2)采用 气雾化制粉法对熔炼形成的钛合金进行制粉；(3)建立零件三维模型， 并导入到选择性激光熔化快速成形设备中；(4)将粉末置入到选择性激 光熔化快速成形设备里，并在基板上进行零件成形；(5)采用线切割工 艺将成形的零件从基板上分离，再将零

本发明提供的具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈(DFB)半 导体激光器，是由自下而上依次排列的 N 型电极(1)、衬底(2)、下包层 (3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、缓 冲层(7)、光栅层(8)、上包层(9)、第一脊条(10)、第二脊条(11)、第一 脊条上的 P 型电极(12)、第二脊条上的 P 型电极(13)组成。本发明通过 在单个半导体激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的两个

您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 锦正茂低温控温仪TESK301型低温控温仪是有北京锦正茂科技有限责任公司自主研发的高精度单回路低温温度控制系统，可以实现从20K-600K的温度控制输出。该温控系统具有一路传感器输入和一路加热输出功能，传感器输入和加热输出组成了一个控制回路。TESK301单通道设计能满足大部分实验室科研以及工业低温控温使用。配合适当的传感器低温度测量低至1.4K，高温达到600K以上，分辨率高达10mK。加热输出功率分为三档可调节，低档低至0.8W，可达80W，能满足大部分低温设备加热需求。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！  TESK301内置了一个标准恒流电源向电阻温度计供电,通过四线法测量温度传感器电压信号，经16位A/D转换，自校准，数字滤波，查分度表，修正计算后显示实测温度，经与设定温度比较后，实时PID运算给出控制信号，通过机内固态继电器周期控制加热电压来实现温度的控制。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售  各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！  

通过超高真空分子束外延技术，在SrTiO3衬底上成功制备出宏观尺度的单原胞层（厚度小于1纳米）高温超导体FeSe与FeTe0.5Se0.5单晶薄膜，其超导转变温度大约在60 K左右，并通过原位扫描隧道显微镜和隧道谱技术对其中的超导配对机制进行了深入研究。 原位扫描隧道显微镜观测表明沉积的Fe原子处于薄膜上层的Te/Se原子间隙处。由于沉积密度极低，Fe原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近无近邻Fe原子团簇。系统的原位超高真空（~10-10 mbar）扫描隧道谱实验发现，对特定的吸附原子/单层FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合强度[数量占比约13% (15%)]，Fe吸附原子上可观测到尖锐的零能电导峰（图1）。该电导峰紧密分布在吸附原子附近，衰减长度~3 A，且远离吸附原子时不劈裂。变温实验表明，零能电导峰在远低于超导转变温度时即消失，可初步排除Kondo效应、常规杂质散射态等解释（图2A和图2B）。进一步的控制实验和分析显示，零能电导峰半高宽严格由温度和仪器展宽限制、在近邻双Fe原子情形不劈裂、服从马约拉纳标度方程，这些结果均与马约拉纳零能模的唯象学特征吻合（图2C-图2G）。对沉积于单层FeSe薄膜与FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，结果基本相同。相比于单层FeSe，统计结果表明单层FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中观测到零能束缚态的几率更高且信号更强。波士顿学院汪自强教授和合作者曾在理论上提出，无外加磁场时，强自旋-轨道耦合s波超导体间隙磁杂质可产生量子反常磁通涡旋。理论上如果单层FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空间反演对称破缺而具有较强的Rashba自旋-轨道耦合, Fe原子的磁矩局域破坏时间反演对称，可以使量子反常涡旋“承载”马约拉纳零能模。对单层FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理论也预测存在拓扑非平庸相。在二维拓扑超导体中，马约拉纳零能模也会产生于Fe原子诱导的量子反常涡旋中的束缚态。因此，实验中观测到的零能电导峰可归因于Fe吸附原子引起的局域量子反常涡旋。更深入、具体的理解还有待于进一步的实验和理论探索。这一工作将探索马约拉纳零能模的超导材料从三维拓展到二维、从低温超导拓展到超过40 K超导转变温度的高温超导体系，同时无需外加磁场，观测到的零能束缚态原则上可操纵、“存活”温度明显提升。这些优势为未来实现可应用的拓扑量子比特提供了可能的方案。

提供一种高分辨率光学推扫卫星稳态重成像传感器校正方法及系统，包括构建单片TDICCD非稳态严密几何模型和虚拟CCD稳态成像严密几何模型，根据虚拟CCD稳态成像严密几何模型得到有理函数模型，建立单片TDICCD影像与虚拟CCD重成像影像的一一映射关系，从而根据原始的单片TDICCD影像生成传感器校正后影像。本发明技术方案结合虚拟CCD成像原理，利用多片TDICCD非稳态几何模型与虚拟单线阵CCD稳态几何模型定位的一致性，实现多片CCD影像的无缝拼接的同时，校正由平台震颤引起的影像变形，提供用户标准景影像和对应高精度RPC参数，便于后续图像应用。