产品详细介绍医用煮沸消毒器、上油槽医用煮沸消毒槽，高温消毒槽，浸油煮沸槽，煮沸消毒槽厂家直销，煮沸消毒槽-全不锈钢手术室电加热煮沸消毒槽，医用煮沸消毒槽厂家，供应室高温煮沸消毒槽医院消毒供应中心煮沸消毒槽，手术器械浸油煮沸消毒，煮沸除锈槽，煮沸防锈槽医用干燥柜，全自动清洗消毒机，医用超声波清洗机，浸油煮沸消毒槽，电热鼓风干燥箱，高压水枪，高压气枪，静音无油空压机，多槽数控超声波清洗消毒器、器械检查打包台，辅料检查打包台，医用不锈钢工作台，全不锈钢感应水槽，不锈钢洗手池，不锈钢器械车，无菌下送车，医用洗眼器，医用三层手推车，不锈钢辅料柜，不锈钢器械柜，实验室超声波清洗机，台式双频超声波清洗机，三频超声波清洗机，高功率超声波清洗机，高频率超声波清洗机，双频恒温数控超声波清洗机，实验室煮沸槽销售联系方式：13205609730   0551-65366913   QQ:1038842749浸油煮沸槽的工作原理是超声清洗、漂洗后的防锈消毒，是物件经过高洁度清洗后经过高温煮沸一定时间加入适量硅油，在高温沸腾水的作用下，用强力水泡使槽内溶液形成动态翻滚，同时防护油具有极强的扩散润湿能力，在器械表面不留死角地、均匀的形成一层保护膜，令物件的细菌和微生物被杀死的同时又有效地控制了细菌的再污染，从而使物件达到防锈消毒作用。 主要性能特点：● 数显产品的出厂日期● 数显记忆和设定的煮沸消毒时间● 数显记忆和设定的加热温度和实际温度● 仪器的操作程序采用单片机软件● 降音盖采用优质不锈钢板及氟橡胶密封条● 数显产品的累计工作时间● 数显记忆和设定的煮沸功率● 数显超温度、超电压、超电流保护指示● 网架采用不锈钢网筛氩焊成形● 仪器的内外壳体采用优质不锈钢板煮沸工艺流程:进料-设定煮沸加热温度－设定煮沸消毒时间－取料包装－进行干燥 主要技术指标：型号 煮沸消毒内槽尺寸mm 容量L 煮沸功率 加热功率W 温度可调℃ 时间可调min 进排水 降音盖 网架JK-DYJ600 600×200×288 35 500 4000 0-98  1-480 电控 手控 有JK-DYJ1000 600×300×288 52 500 4000 0-98  1-480  电控 手控 有JK-DYJ1200 600×400×288 69 500 6000 0-98  1-480 电控 手控 有JK-DYJ1500 700×400×288 86 500 8000 0-98  1-480  电控 手控 有JK-DYJ1800 700×500×288 103 500 10000 0-98  1-480  电控 手控 有JK-DYJ3600 1200×600×288 207 500 12000 0-98  1-480  电控 手控 有注：以上仪器材质均为优质不锈钢，配置有降音盖、网篮、排水口售后承诺书：本项目的货物质量保质期为原装全新合格产品自验收通过之日起三包一年，终身保修维护。遇严重质量问题包换，保修期后负责终身维修。保修服务均为制造方上门保修，既有制造方派专员到用户设备现场维修，也可由制造方负责将设备送回厂家维修，并负责由此产生的一切费用。         免费送货上门，免费安装、调试及相应人员培训，免费上门维修，终身维护保修，超过保修期，维修只收取零部件成本费。

产品详细介绍HTF-450 高温热流传感器用于工业、实验室和研究。HTF-450 高温热流传感器由陶瓷高温材料制成，配不锈钢外壳。可精确测量、记录和控制极端环境（例如； 窑壁、炉管、核能发电机等）的热流。在使用时，传感器安装至被测材料表面，或嵌入墙壁。可自产生mV 输出（与热流成正比）。HTF-450 高温热流传感器应用：工业、高温隔热、海底和船舶、消防设备、管道、精炼和反应器、航空规格：型号HTF-450最高温度450°C（短期500°C）热流范围20 kw/m2热导率0.95 W/m °K精度±3%尺寸直径15.9mm X 厚3.6mm (可定制尺寸)

能源短缺与环境污染是影响当前社会发展最重要的问题，亟需解决。新型光催化技术由于能够利用太阳光分解水制氢气和降解环境污染物，使其成为解决当前的能源危机和环境污染等问题最有前途的技术之一，备受瞩目。而当前光催化领域最重要的问题就是去设计、寻找高效稳定的可见光响应型半导体材料。在此，我们主要通过改性前驱体和设计新的焙烧策略成功得到了具备多孔结构、低碳含量、纳米片形貌的 g-C3N4 光催化剂，相比原始的 g-C3N4 ，光催化性能提升了 8 倍；通过介孔化设计和负载贵金属光催化剂，成功解决了 Pb3Nb2O8 光催化剂比表面积小、光生电子 - 空穴易复合的缺点，使光催化活性显著提升了 62 倍。通过调查浸渍提拉、磁控溅射、电泳沉积等手段，成果获得了 Bi2MoO6 和 Pb3Nb4O13 光电极材料，充分探索了其光电化学性能，并且通过负载 Co-P 显著提升了其光电转化效率，为分解水制氢与太阳能电池领域提供了一种可选择性的材料；过渡金属离子掺杂与介孔材料有效结合，有效地探索了表面掺杂与体相掺杂 Fe2O3 对其电子结构的影响、光电催化性能的影响。

采用红外光谱和拉曼光谱技术，克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题，实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模，并结合第一性原理计算，给出了C杂质在GaN中替代N位的直接证据，解决了这一长期存在的争议问题。该成果对于理解和认识C杂质在AlN、BN、ZnO等其他六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为亦具有重要的参考价值。

半导体激光器由于体积小、效率高、结构简单、便于调谐等优点，在工业、军事、科研以及家电等领域发挥越来越重大作用，已成为重要的基础器件。 项目研制和开发了半导体激光器系列产品，主要包括: 1、可调谐外腔半导体激光器 激光器二极管(LD)发出的光经准直透镜后平行入射到外腔闪耀光栅上，经光栅分光得到一级衍射光和零级光。一级衍射光反馈回外腔与有源区光场相互作 用，实现压窄线宽、降低噪声目的;零级光经聚焦透镜后作为输出光，调整光栅 的角度可实现波长的调谐。产品覆盖从 762 到 795 纳米(nm)各种波长，输出功 率 50~100 毫瓦(mW)，线宽<500 kHz，可用于工业测量、光通信、光信息处理、 激光光谱学等。2、外腔半导体激光器稳频系统通过调制激光器的外腔、激光管的注入电流等得到激光光谱信号，处理后得 到参考谱线中心频率两侧极性相反的稳频误差控制信号，将激光频率锁定在参考 谱线中心附近。激光稳频在精密干涉测量、光频标、光通信、激光陀螺及其精密光谱研究等 领域中有广泛应用。产品可实现三种激光稳频，将线宽限制在 100kHz 左右。主 要有:(1)饱和吸收锁——锁峰: 产品精度高且易于操作。利用饱和吸收峰将激光 器精确锁在某一固定频率上。(2)FP 腔锁——锁峰:产品使用非常方便。通过改变 FP 腔的腔长实现一定 范围的波长扫描。(3)PID 电路锁——锁边:产品简单易用，用于对精度要求不高的锁频应用。 3、外腔半导体激光放大器 放大器可对入射激光进行放大，同时保持注入光的偏振、线宽和波长等物理特性不变。产品输入光功率 10 mW~50 mW, 放大倍数 13dB, 输出功率 500mW~ 1000mW,增益带宽 30nm。

本发明公开了一种半导体芯片的外观检测装置，包括吸取机构、U 形反光板、两个光源、平面反射镜、镜头、相机及调节机构，吸取机构用于吸取待检测芯片至待检测位，U 形反光板安装在吸取机构上，对称设置在芯片侧方，两光源发出的光一部分照射在 U 形反光板上，对芯片底面和其中的一组对边侧面进行背光照明，一部分对芯片的另一组对边侧面进行背光照明，平面反射镜为多个，倾斜对称均匀设置在芯片下方四周，使经平面反射镜反射后的光线垂直入射到镜头前端面，镜头安装在相机上，位于芯片下方，相机安装在调节机构上，调节机构用于调节所述

本实用新型涉及家用电器领域，公开了基于半导体制冷的迷你多用空调扇，其包括保温层(1)、冷端开门(6)和热端开门(14)，冷端开门(6)和保温层(1)围成一个冷藏室(5)，热端开门(14)和保温层(1)围成一个加热室(15)；保温层(1)上设有半导体制冷片(20)，半导体制冷片(20)左端设有冷端肋片(21)；保温层(1)上设有底座(2)，底座(2)铰接有连杆(3)，连杆(3)上设有风扇(4)；半导体制冷片(20)右端设有热端肋片(25)，保温层(1)上设有第一凹槽(23)，第一凹槽(23)内设有活动板(24)。本实用新型具有同时具备制冷和制热功能，提高使用寿命，提升储物空间的效果。

近日，中国科大合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心和物理系中科院强耦合量子材料物理重点实验室曾长淦教授研究组与王征飞教授研究组实验与理论合作，首次在单元素半导体碲中发现了由外尔费米子主导的手性反常现象以及以磁场对数为周期的量子振荡，成功将外尔物理拓展到半导体体系。该研究成果在线发表在《Proceedings of the Natio

1.痛点问题 光刻胶作为集成电路制备中不可或缺的一部分，已成为国家的战略资源之一。半导体光刻胶的核心在于成膜树脂，受限于研发难度大、专利壁垒高、资金投入多、准入门槛高，目前国内企业尚难以突破KrF胶（248nm）或ArF胶（193nm），而EUV胶完全不能自主供给。 2.解决方案 本项技术采用了国际最前沿的纳米氧化物团簇材料的工艺路线，可以实现单2nm小分子的光刻胶成膜树脂材料，攻克了材料合成和纳米材料提纯的难题，可满足目前半导体3nm制程节点的技术要求，RLS分辨率、边缘粗糙度、灵敏度三项关键性能指标优异，其曝光剂量远低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本线。此外，本项技术具有多种半导体光刻胶兼容性，可以生产248nm和193nm光源的半导体光刻胶成膜树脂，以及电子束半导体掩膜用光刻胶成膜树脂，具有广阔的技术替代优势和市场应用前景。 3.合作需求 本项技术已设立衍生企业，位于江苏常州的3000m2研发生产中心正在建设中。 1）融资需求：本轮天使轮融资6000万元。 2）资源对接需求：集成电路芯片制造、掩膜板生产企业，地方政府等。

本成果为授权发明专利（201010238818.9）。该发明公开了一种均匀土壤中矩形地网接地导体不同间距布置方法，该方法主要是根据地网设计所需的地网网孔数确定接地网均压导体优化后的导体位置。该方法可以快速准确的计算接触电压分布、跨步电压分布优化后矩形地网中任意根数接地导体的位置。该方法不仅计算方便，且适用范围广。该专利对于接地系统的优化设计具有国际先进水平，自主可控，填补了矩形地网中接地导体非等间距布置方法的空白，在保证地网安全性能的同时节约金属材料，有着有广阔的应用领域。