产品详细介绍 MMU-5G 屏显式高温端面摩擦磨损试验机 主要用途：         该试验机是以端面滑动摩擦形式，在室温或高温状态下对环状试样施加较高的端面试验力，用于评定材料的摩擦性能，可应用于选择摩擦副配对材料，材料抗磨损性能的研究。 主要技术参数： 1．最大试验力:5KN 示值精度:±1% 2．主轴转速：200~200r/min，无级调速 精度±10r/min 3．最大摩擦力:500N，示值精度：±2% 4．温度测量范围：室温~600℃，精度±2℃ 5．时间设定：1s~9999min 6．采用计算机数据采集，屏幕显示各主要参数，根据试验要求打出试验曲线及报告。  

产品详细介绍 产 品 名 称 托马斯干式变压器环氧树脂耐高温灌封胶（THO4054-2） 概       述 本品系环氧树脂改性胶粘粘剂，该系列有常温固化型，其流动性、颜色、耐温性等可适当调整，固化后表面平整、光亮、无气泡。双组份，常温快速固化，粘接强度高，流动性好，操作简单。 适 用 范 围 适用于干式变压器系列产品，使电子元器件、芯片、匝线圈等起到灌注密封、绝缘保护、防潮抗震的作用。 性   能   特   点 ·外观：A组份为膏状体，无固体颗粒。B组份为浅黄色液体。 ·固化速度快，25℃时，1－3小时初固化，18小时接近最大粘接强度。 ·粘接强度高，耐久、耐紫外光性能优良。 ·耐温性能好，适应温度范围广，低收缩率和耐高低温范围较大。 ·粘接表面无需严格处理，两组份按比例调配，使用方便。 ·耐介质性能优良，耐油、水、酸、煤油、乙醇、核、中子辐射等。 ·安全及毒性特征：有极轻微异味，无吸入危险，固化后实际无毒。 ·贮存稳定性较好，贮存期为18个月。 主要技术性能指标如下：耐温范围:-52－+180℃ 体积电阻25℃1×1015Ω.cm表面电阻 2.5×1015Ω 耐电压20-25kV/mm         硬度 shore D 68 收缩率1.5 吸水率24h＜0.1%        玻璃化温度180℃ 粘接强度:常温:拉伸强度≥25MPa;   剪切强度≥20 Mpa 150℃:拉伸强度 1．8－2 MPa 使 用 方 法 1、将被粘物除锈、去污、擦净。 2、将A、B组份按4：1-1．25的比例充分调匀后使用。 3、将调好的胶液涂于被灌封元件表面，静置2~4小时即可。 注 意 事 项 1、 取胶工具绝不可混用。 2、 胶液如触及皮肤，可及时用肥皂水冲洗. 3、操作环境注意通风，未用完的胶应盖好，置于阴凉通风处。 该版权属于成都托马斯科技2005-2011所有    

产品详细介绍供应机房高温烟雾报警器，箱变烟雾报警器厂家，常开烟雾报警器名称：点型光电式烟雾探测器型号:SN-828-2PL(高温型)  生产厂家：世宁科技本“烟感探头”是根据感应烟雾颗粒的原理来工作，独特的结构设计以及光电信号处理技术，具有防尘、防虫抗外界光线干扰等功能。对缓慢阴燃或明燃产生的可见烟雾，有较好的反应。适用于住宅、商场、仓库等室内环境的烟雾检测。  “烟感探头”是非编码型烟雾探测器，直接接入DC12V直流电源即可工作，并有一对输出触点，正常时触点闭合，报警后触点断开，无烟会自动复位。功能特点：1、采用微处理器控制2、自动复位/断电复位可选3、红外光电传感器4、联网输出N.C. / N.O.可选5、LED指示报警6、金属屏蔽罩，抗电磁干扰7、环境适应性强  8、SMT工艺制造， 稳定性强 9、防尘、防虫、抗白光干扰设计技术参数： 　　工作电压：DC9-35V  　　静态电流：≤2mA 　　报警电流：≤10mA  　　工作温度：-30℃～+85℃  　　工作湿度：≤95%RH  　　报警方式：联网输出 / LED指示报警  　　监测面积：20平方米 　　灵敏度等级：1级 　　报警输出：继电器输出（常开、常闭可选）  　　外形尺寸：Φ104*51mm烟雾探测器是一种在消防管理、安全防范系统中常用的报警器材，它工作可靠、体积小巧，使用方便、性能稳定、经济合理。销售经理： 刘生 15013775514/0755-89206127 商务Q 272820915供应机房高温烟雾报警器，箱变烟雾报警器厂家，常开烟雾报警器

在传统贵金属（金、银等）之外发掘出具有高性能等离激元效应的非金属新材料，是当前等离激元学基础研究及应用研发的一个热点与难点。金属氧化物半导体材料具有丰富可调的光、电、热、磁等性质，对其采取氢化处理可有效修饰其电子结构，从而获得丰富可调的等离激元效应；此处的一个关键性挑战在于如何显著提高金属氧化物半导体材料内禀的低自由载流子浓度。基于该研究团队新近发展的、理论模拟计算指导下的电子-质子协同掺氢策略，在本工作中研究人员采用简便易行的金属-酸溶液原位联合处理方法实现了金属氧化物MoO3半导体材料在温和条件下的可控加氢（即实现了“本征半导体→准金属”的可控相变），从而突破性地大幅提升了该材料中的自由载流子浓度。研究表明，氢化后的MoO3材料中自由电子浓度与贵金属相当（譬如H1.68MoO3：~1021cm-3；Au/Ag：~1022cm-3），这使得该材料的等离激元共振响应从近红外区移至可见光区，且兼具强增益及可调性。结合第一性原理模拟计算和以超快光谱为主的多种物性表征，研究人员进一步揭示出该协同掺氢所导致的准金属能带结构及相应的等离激元动力学性质。作为效果验证，研究人员在一系列表面增强拉曼光谱（SERS）实验中证实该材料表面等离激元局域强场可使吸附的罗丹明6G染料分子的SERS增强因子高达1.1×107（相较于一般半导体的104⁓5和贵金属的107⁓8），检测灵敏限低至纳摩量级（1×10-9mol L-1）。 这项工作创新性地发展出一种调控非金属半导体材料系统中自由载流子浓度的一般性策略，不仅低成本地实现了具有强且可调的等离激元效应的准金属相材料，而且显著地拓宽了半导体材料物化性质的可变范围，为新型金属氧化物功能材料的设计提供了崭新的思路和指导。

项目成果/简介:在传统贵金属（金、银等）之外发掘出具有高性能等离激元效应的非金属新材料，是当前等离激元学基础研究及应用研发的一个热点与难点。金属氧化物半导体材料具有丰富可调的光、电、热、磁等性质，对其采取氢化处理可有效修饰其电子结构，从而获得丰富可调的等离激元效应；此处的一个关键性挑战在于如何显著提高金属氧化物半导体材料内禀的低自由载流子浓度。基于该研究团队新近发展的、理论模拟计算指导下的电子-质子协同掺氢策略，在本工作中研究人员采用简便易行的金属-酸溶液原位联合处理方法实现了金属氧化物MoO3半导体材料在温和条件下的可控加氢（即实现了“本征半导体→准金属”的可控相变），从而突破性地大幅提升了该材料中的自由载流子浓度。研究表明，氢化后的MoO3材料中自由电子浓度与贵金属相当（譬如H1.68MoO3：~1021cm-3；Au/Ag：~1022cm-3），这使得该材料的等离激元共振响应从近红外区移至可见光区，且兼具强增益及可调性。结合第一性原理模拟计算和以超快光谱为主的多种物性表征，研究人员进一步揭示出该协同掺氢所导致的准金属能带结构及相应的等离激元动力学性质。作为效果验证，研究人员在一系列表面增强拉曼光谱（SERS）实验中证实该材料表面等离激元局域强场可使吸附的罗丹明6G染料分子的SERS增强因子高达1.1×107（相较于一般半导体的104⁓5和贵金属的107⁓8），检测灵敏限低至纳摩量级（1×10-9mol L-1）。 这项工作创新性地发展出一种调控非金属半导体材料系统中自由载流子浓度的一般性策略，不仅低成本地实现了具有强且可调的等离激元效应的准金属相材料，而且显著地拓宽了半导体材料物化性质的可变范围，为新型金属氧化物功能材料的设计提供了崭新的思路和指导。

III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统建立并完善了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库，使之成为当前国际上数据资源相对丰富、可靠程度高的专业型数据库。在此基础上，应用该计算机辅助分析系统，可采用统一的成分空间表达方式，将覆盖四元半导体整个成分空间的光电性能（能量间隙或波长）、与相应衬底匹配的成分条件、以及各种温度下发生溶解间隙的成分范围，投影于一平面，构成III-V族半导体体系综合优化图，用以对金属有机物气相外延工艺进行辅助分析、确定满足优质半导体生长的成分空间、预测外延层半导体的成分等。同时，该系统还发展了非平衡过程分析研究方法：亚稳平衡处理、条件平衡处理和不可逆过程分析处理等，这些方法有助于III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺过程的热力学分析。 该项目面向光电子材料和器件的研制与生产 III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统，目前主要是作为应用研究，服务于有关光电子材料和器件的研制与生产过程中工艺条件的辅助设计，以促进III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺逐步从经验设计迈向科学设计，在相关领域的高技术产业化方面起积极作用。 Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库；瑞典皇家工学院Thermo-Calc相平衡热力学计算软件。

第三代半导体氮化镓和碳化硅因其禁带宽、稳定性好等优点，已广泛应用于电子和光电子等领域。各种氮化镓和碳化硅基器件是5G技术中的关键器件。将半导体晶片制成器件，其中的一个关键加工步骤是晶片表面的抛光。然而，氮化镓和碳化硅的化学性质极其惰性，半导体工业目前常用的化学机械抛光方法无法对其实现高效加工。对此，我们从原理上创新发展了一种光电化学机械抛光技术，不仅可快速加工各种化学惰性半导体晶片（如:加工氮化镓的材料去除速率可达1.2 μm/h，比目前的化学机械抛光的高约10倍），而且可加工出原子台阶结构的平滑表面。设备简单，技术具有完全的自主知识产权。

本项目利用一种新型结构独特的兼具准直和选频功能的混合菲涅尔透镜衍射光栅光学元件来实现一种小型集成化、窄线宽的半导体激光器。结合混合菲涅尔透镜衍射光栅光学元件外腔技术，使激光线宽小于50 kHz水平，实现微型化的厘米长度的窄线宽相干激光光源的批量制备。

超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。

研发阶段/n内容简介：纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺，构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点，广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利，专利号：200510018701.9。