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高压大功率半导体器件IGCT
1. 痛点问题 功率半导体是支撑能源领域发展的核心部件。为实现3060双碳目标,我国正在超常规推动新能源发电、大容量输配电和电气化交通等领域,对电压等级4.5kV以上的功率器件需求急速增长。提高器件电压和容量可以减少器件串并联数量、缩减装备体积和成本,是解决城市用地紧张、降低海上风电平台建设成本的关键。然而,受工作机理和制备工艺限制,IGBT器件最大功率等级为4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA,已接近瓶颈,无法满足能源发展需求。因此,亟需更高电压、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半导体器件解决方案。 2020年,中国功率半导体市场规模达2000亿元,但90%以上依赖进口,尤其是4.5kV以上器件,近乎全部进口。亟需寻求自主可控的功率半导体器件国产替代方案。 2. 解决方案 本技术面向新能源发电和输配电领域大容量、高可靠的需求,提出了自主化IGCT器件(集成门极换流晶闸管)的设计、制备和驱动控制方案,可以提高阻断电压和关断电流能力、降低器件运行损耗,且可以结合应用工况开展定制优化,如改善器件防爆特性、解决高压装置中的驱动供电问题等,从而实现大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率变换。 目前团队已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件,功率等级全面覆盖IGBT,且具有向更大容量发展的潜力。与IGBT、MOSFET等晶体管器件相比,本技术提出的IGCT具有通态损耗低、耐受电压高、可靠性高、抗干扰能力强等突出优势,符合能源发展趋势,且制造工艺沿用基本沿用传统的晶闸管路线,制造成本低,国内工艺基础好。
清华大学 2021-10-26
二维半导体材料与器件
提出了层数调制、栅极电压调制和自组装单分子层调制等物理、化学改性策略,显著调控了MoS2载流子浓度和功函数,为开发低接触电阻的高性能纳电子器件提供了手段,研究成果发表于ACS Nano、APL等知名期刊,应邀为Adv. Mater.撰写综述一篇。
哈尔滨工业大学 2021-04-14
耐高温防静电台垫 耐300度高温防静电台垫
产品详细介绍深圳市利盛泰静电科技有限公司0755-276705580755-2767064813510890109www.lst-esd.com产品简介:防静电台垫(地垫)主要用导静电材料、静电耗散材料及合成橡胶等通过多种 工艺制作而成。台垫使用时间持久,具有很好的防酸、防碱、防化学熔剂特性,并且耐磨,易清洗;铺设防静电台垫使人体及台面接触的ESDS镊子、工具、器具、仪表等达到均一的电位并释放静电,同时使静电敏感器件(SSD)不受摩擦起电等静电放电现象的干扰,从而达到静电防护的效果。产品一般为二层结构,表面层为静电耗散层,底层为导电层。表面层为约0.3-0.5mm厚的静电耗散层,底层为约1.5-1.7mm厚的导电层。● 面层电阻率:107-109Ω● 底层电阻率:103-105Ω● 磨耗率:<0.02g/cm2● 静电耗散时间:<0.1s 
深圳市利盛电子有限公司 2021-08-23
聚力JL-6285ABS塑料胶水 高温塑料胶水 透明塑料胶水
聚力JL-6285ABS塑料胶水 高温塑料胶水 透明塑料胶水为单组份浓稠型是专门针对硬质ABS材料粘接有很好的粘接强度。本产品符合标准通过欧盟ROHS检测和无卤认证。广泛用于ABS材质、体育用品、塑料玩具、医疗等行业等塑料材质有良好效果可以达到破坏材质的效果。
东莞市聚力胶粘制品有限公司 2026-01-05
南京大学超导电子学研究所在人工自旋冰与超导异质结构器件研究中取得重要进展
第二类超导体中量子化磁通的运动行为对超导材料和器件的电磁输运性质起着关键作用。人为调控超导磁通量子的运动行为,不但可以有效提高超导体的临界电流密度,还可实现具有新功能的超导电子器件,如超导磁通整流器、磁通二极管等。以往的磁通量子调控手段往往缺乏原位可调性,极大限制了相应超导电子器件的应用。近日,南京大学吴培亨院士领导的超导电子学研究所王永磊教授和王华兵教授研究团队设计出了一种可调控的新型人工自旋冰与超导异质结构器件,不但实现了超导电性的原位开关,还实现了可开关和可反转的磁通霍尔效应。 人工自旋冰是具有集体相互作用的纳米小磁体阵列,其特殊的几何排列使得系统具有很高的简并度、新奇的低能激发态(如磁单极子)、丰富的相变和磁畴。近年来该团队致力于人工自旋冰和超导纳米结构器件等方面的研究,不但设计出了可擦写的人工自旋冰,并且于国际上首次设计和制备出了人工自旋冰与超导的异质结构器件,实现了可调控的超导磁通阻挫效应和磁通整流效应。近日该团队又设计出了一种基于风车型人工自旋冰与超导的异质结构器件,利用风车型人工自旋冰易于调控的链条状磁荷结构,以及磁荷与超导磁通量子间的强耦合作用,实现了对超导磁通运动的原位操控,展示了超导零电阻态与耗散态之间的原位开关,同时实现了可编程的磁通霍尔效应。
南京大学 2021-02-01
狄拉克半金属超导电性调控
随着拓扑绝缘体、拓扑半金属等拓扑材料的发展,寻找和理解新的拓扑物态也激发了广泛的关注和研究。近些年,随着拓扑分类技术的不断发展和人们对拓扑物态的深入研究,高阶拓扑绝缘体、高阶拓扑半金属的概念随之诞生。高阶拓扑物态的“高阶”体现在体-边对应关系上。对于传统的d维拓扑绝缘体,其体态是有能隙的绝缘体,而在(d-1)维的边界上会出现无能隙的受拓扑保护的边界态,如三维拓扑绝缘体具有二维的狄拉克表面态,二维拓扑绝缘体具有一维
南方科技大学 2021-04-14
一种用于超导电机的力矩传导结构
本发明公开一种用于超导电机的力矩传导结构,包括与处于低 温状态超导线圈端面相连的第一环、与处于常温状态电机轴端相连的 第二环,以及连接前面两者的环形力矩传导部件,其中环形力矩传导 部件由多个环形传导件和多个弧形连接件组成,环形传导件同心设置 在第一环与第二环之间并沿径向间隔分布;弧形连接件沿周向安装在 各个环形传导件的间隙内且彼此间隔地交错分布,热通量从第二环经 弧形连接件后沿着与其相连的环形传导件周向流动,再经下一弧形连 接件依次进入与之相邻的下一环形传导件后继续沿周向流动。本发明 在利用环形周向
华中科技大学 2021-04-14
一种超导磁体出线端的焊接方法
本发明公开了一种超导磁体出线端的焊接方法,用于高温超导 磁体电流引线中的超导磁体出线端和过渡铜编织带之间的焊接。首先 将超导磁体出线端的表面绝缘剥离,将焊锡丝紧密地螺旋缠绕在超导 带材表面,然后装入铜编织带的套管中。固定好位置后,用环氧挡板 将焊接部分与超导磁体隔开,用电烙铁从铜编织带的一端逐渐向后移 动,反复几次,使内部的焊锡完全熔化,起到固定带材与铜编织带的 作用。待焊锡完全冷却后,将铜编织带的另一端与电流引线连接。最 后将铜编织带固定在环氧筒上。本发明操作简单可靠,既能做到有效 保护超导带材,
华中科技大学 2021-04-14
一种混合调节超导可控电抗器
本发明公开了一种混合调节超导可控电抗器,它包括铁芯组, 超导控制绕组,工作绕组,超导短路绕组和非导磁低温杜瓦;铁芯组 包括依次并行排列且相互间隔的控制绕组铁芯,工作绕组铁芯和短路 绕组铁芯,各绕组铁芯通过上、下铁芯板无缝连接成一个整体;超导 控制绕组和超导短路绕组均放置于非导磁低温杜瓦中,短路绕组铁芯 可以由一个或多个在空间上错开的铁芯柱构成,工作绕组用于与电网直接连接,超导控制绕组用于与直流电源连接。本发明采用分档调节 和连续调节相互配合,实现电抗器的大容量连续调节。工作绕组电感 调节范围大,谐波
华中科技大学 2021-04-14
基于超导量子芯片的专用量子计算机
1.设计独立的量子芯片操控层与量子芯片读取层,利用三维芯片结构提升量子芯片的线路密度与集成度; 2.设计新的量子比特操控信号调制方法,提高量子逻辑门操作的保真度。 3. 开发兼容于超导量子芯片的工艺材料与立体封装工艺技术。 4.设计能实现更大增益-带宽积特征参数的约瑟夫森量子参数放大器结构。 5.利用大规模硬件同步技术以及基于 PXI 等高速扩展架构的集成技术。 6.在逻辑控制板中原位实现量子芯片读取信息的处理。 7.利用 FPGA 实现量子算法序列到量子比特操控信号序列的实时生成与组合,使得用户可以在直接在量子编译器层面对量子芯片进行编程操作。 
中国科学技术大学 2021-04-14
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