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永磁体标准磁场，高斯计探头校准磁场源
产品详细介绍概述YCB标准磁体系列采用高性能的永磁材料制造，这些高品质的产品具有长期的稳定性， 标准磁体可以稳定的使用在0-70℃之间，温度系数为-0.03%/℃，因为温度系数为负数，所以当温度上升的时候，磁场强度下降。标准磁体的外壳采用高磁导率的材料制成，它能有效的防护外界磁场的干扰影响，同时屏蔽了标准磁场对外界的磁场干扰影响。我们提供的标准磁体从1000高斯到20,000高斯，生产实践工艺成熟，有第三方国家二级军工计量检定证书，标准磁体的均匀性优于±0.5%，永磁材料的选用合理、磁路设计优化，稳定性高，表面度铬（镍），产品美观实用。YCB标准磁体适用于数字特斯拉计（高斯计）探头的单点校准，随时监测数字特斯拉计（高斯计）的工作状态是否正常，携带方便，使用简单。 名称 标准磁体 适用探头横向探头纵向探头型号 YCB-2000YCB-2000孔尺寸 6mm × 3mm Φ5适用探头宽度< 6mm 厚度 < 3mm<Φ5适用探头长度 > 35 mm > 45 mm磁场强度 2000 mT 2000 mT磁场均匀度优于5*10-3 磁场均匀区Φ5mm体 积 Ф 98mm × 110mm (以实物为标准)重 量 7.5kg备 注因标准磁体的特殊性，磁场强度允许有一定的偏差，数值请以第三方检测证书为准
绵阳力田磁电科技有限公司
2021-08-23
高温恒温试验箱/高温老化试验箱
产品详细介绍■ 高温恒温试验箱产品用途
高温恒温试验箱该系列产品适用于航空航天产品、信息电子仪器仪表、材料、电工、电子产品、各种电子元气件在恒温或湿热环境下、检验其各性能项指标。
■ 高温恒温试验箱特点
高温恒温试验箱箱体采用数控机床加工成型，造型美观大方、新颖并采用无反作用把手，操作简便。
高温恒温试验箱箱体内胆采用进口高级不锈钢（SUS304）镜面板或304B氩弧焊制作而成，箱体外胆采用A3钢板喷塑。
高温恒温试验箱采用微电脑温度湿度控制器，控温控湿精确可靠。
高温恒温试验箱大型观测视窗附照明灯保持箱内明亮，且采用双层玻璃，随时清晰的观测箱内状况。
高温恒温试验箱设有独立限温报警系统，超过限制温度即自动中断，保证实验安全运行不发生意外。
高温恒温试验箱可选配记录仪，打印机能打印记录设定参数和扫描出温湿度变化曲线，4～20mA标准信号。
高温恒温试验箱箱体左侧配直径50mm的测试孔。
■ 高温恒温试验箱符合标准
GB/T2423.1-2001 GB/T2423.3-1993 GB/T2423.2-2001
武汉蓝锐电子技术设备有限公司
2021-08-23
高温热防护涂层
上海交通大学
2021-04-11
高温烧结炉
产品详细介绍 本系列周期作业方式程序控温高温箱式电阻炉以硅钼棒为加热元件，炉膛额定温度为1600℃，由全纤维真空成型莫来石纤维制成，测温元件采用铂铑-铂铑热电偶（B分度号），控温采用TCW-32系列精密数显智能控温仪进行程序控温。控温精度高、炉温均匀、热导率低、高效节能，供实验室、工矿企业、科研院所等单位用于热处理及金属、非金属、陶瓷、玻璃、新材料等的烧结试验。主要技术参数1、最高温度：1600℃，长期工作温度：1550℃；2、电源及功率：AC380V/24KW；3、炉膛尺寸(深×宽×高)：300×520×520mm；4、测温：双铂铑(B分度号)热电偶+精密数显程序控温仪；5、控温：电力变压器+可控硅移相调压+智能PID调节+50段程序升降温，控温精度：±1℃；6、发热元件：硅钼棒；
湘潭市三星仪器有限公司
2021-08-23
高温电热板
产品详细介绍高温电热板高温电热板特点：1、铸铝加热板升温速度快，加热均匀，加热面积大；2、处理多个样品、无交叉污染；3、PID精确温控，可持续工作48个小时；4、工作温度：室温至350℃；5、温控精度：±1℃。规格型号参数： 品名 型号 尺寸(mm) 控制方式 控温范围 控温精度 材质 功率高温电热板 GWB-I 400*300 PID数显 室温-350℃ ±1℃ 铝合金 2000w GWB-II 600*400 3000w还可以做成是分体式的。分体式电热板用于蒸酸，可以防止酸蒸气长期腐蚀电子元件，可以定制任意规格，作为单片焊接加热器多用于光伏行业焊接零部件。
南京瑞尼克科技开发有限公司
2021-08-23
耐高温防静电胶皮 耐300度高温防静电胶皮
产品详细介绍深圳市利盛泰静电科技有限公司0755-276705580755-2767064813510890109www.lst-esd.com防静电台垫（地垫）主要用导静电材料、静电耗散材料及合成橡胶等通过多种 工艺制作而成。台垫使用时间持久，具有很好的防酸、防碱、防化学熔剂特性，并且耐磨，易清洗;铺设防静电台垫使人体及台面接触的ESDS镊子、工具、器具、仪表等达到均一的电位并释放静电，同时使静电敏感器件（SSD)不受摩擦起电等静电放电现象的干扰，从而达到静电防护的效果。产品一般为二层结构，表面层为静电耗散层，底层为导电层。表面层为约0.3-0.5mm厚的静电耗散层，底层为约1.5-1.7mm厚的导电层。● 面层电阻率：107-109Ω● 底层电阻率：103-105Ω● 磨耗率：<0.02g/cm2● 静电耗散时间：<0.1s
深圳市利盛电子有限公司
2021-08-23
一种各向异性纳米晶钕铁硼磁体的制备方法
各向异性纳米晶钕铁硼磁体的制备方法：（1）完全氢歧化或部分氢歧化Nd-Fe-B磁粉的制备；(２)压坯的制备，将步骤（１）制备的完全氢歧化Nd-Fe-B磁粉或部分氢歧化Nd-Fe-B磁粉装入模具中，在惰性气体保护下于室温对磁粉施压，当磁粉所受的压强从0?MPa增加至100MPa?～600MPa后停止施压；?(３)??热压变形-脱氢重组，将压坯在真空条件下升温至680℃～850℃，然后在该温度和氢分压PH2为0Pa?＜PH2?≤?1kPa的条件下，对所述Nd-Fe-B压坯施加恒定压力进行热压变形-脱氢重组，所施压力值以Nd-Fe-B氢歧化物压坯在热变形-脱氢重组过程中承受的压强在30MPa?~1.5MPa之间变化为限，保温保压时间为5～120分钟。本发明所述各向异性纳米晶钕铁硼磁体的制备方法，可提高各向异性钕铁硼磁体的性能，并降低能耗。
四川大学
2021-04-11
一种差分式脉冲磁体绝缘故障探测装置
本发明公开了一种差分式脉冲磁体绝缘故障探测装置，包括第 一探测线圈、第二探测线圈、电阻分压器、高通滤波器和高采样率的 示波器；两个探测线圈均沿脉冲磁体中心轴线设置，一个设于脉冲磁 体内，靠近脉冲磁体上端口，另一个设置在脉冲磁体外；电阻分压器 的两个固定端分别与第一探测线圈的正负两端相连；第二探测线圈的 负端与第一探测线圈信号的负端相连；高通滤波器的输入正端连接电 阻分压器的可移动端，输入负端连接第二探测线圈的正端；两个探测 线圈与电阻分压器形成差分结构，对两个探测信号进行差分处理，并 对输出信号进行
华中科技大学
2021-04-14
高性能稀土基单分子磁体中的对称性策略
验证D5h局域对称性可以有效减弱横向磁各向异性以及抑制磁量子隧穿效应（Chem. Sci.2013, 4, 3310），随后再进一步通过精准分子设计，创造了其时单分子磁体的有效能垒和磁滞回线开口温度的世界纪录（Angew. Chem. Int. Ed.2014, 53, 12966;J. Am. Chem. Soc.2016, 138, 5441;J. Am. Chem. Soc.2016, 138, 2829），同时又发现D5h局域对称性的钬单离子磁体中的超精细相互作用可以有效抑制零场磁量子隧穿效应（Angew. Chem. Int. Ed.2017, 56, 4996） 为高性能稀土基单分子磁体中的对称性策略（包括对称性策略的理论基础、高性能单分子磁体中的理论模拟和实验分析、相关实例讨论）以及未来的机遇与挑战作了全面论述
中山大学
2021-04-13
关于超薄单晶铅膜界面超导的研究
通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面，用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明，该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中，这一数值远超过体系的泡利极限，是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明，条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中，从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时，新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明，可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺，也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中，通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导，也为拓扑超导的探索提供了新的平台，并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合，有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相（SIC）界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。
北京大学
2021-04-11