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中国储蓄率变化对全球二氧化碳排放的影响
北京师范大学环境学院梁赛教授课题组研究成果在国际刊物Nature Communications以研究论文(Research Article)形式在线发表。该研究分析了中国储蓄率变化对全球CO2排放的影响,研究表明中国储蓄率下降所导致的最终需求结构变化会减少全球CO2排放。 近年来,中国经济增长模式发生转变,经济转入高质量发展,投资驱动型的经济增长模式正在发生变化。由于资本收益率下降、居民消费习惯的变化、以及政府主导的投资增速下降等原因,中国的储蓄率有所下降,导致最终需求中投资品的比例下降、消费品的比例上升。由于中国是世界上最大的CO2排放国,同时也是世界第二大经济体,中国储蓄率变化所导致的最终需求结构变化最终会引致全球CO2排放总量和结构的变化。研究这一问题有助于更加清晰地理解中国的CO2排放达峰路径和制定更为精准的减排政策。 基于历史数据的结构分解分析结果显示,从2007年到2012年,中国储蓄率的变化解释了1.89亿吨全球生产活动CO2排放。基于中国储蓄率会持续下降的预测,进一步的情景分析显示,若中国的储蓄率下降15个百分点,全球CO2排放会减少1.86亿吨,占全球生产活动CO2排放的0.7%。中国储蓄率降低会对全球各国的CO2排放产生不同影响。主要位于中国资本品生产供应链上的国家的CO2排放将有所减少,例如美国、日本、韩国等国家。而主要位于中国消费品生产供应链上的国家的CO2排放则会有所增加,例如巴西等国家。此外,在中国极限绿色消费的情景下,因储蓄率变化所导致的全球生产活动CO2排放可进一步降低14%。 中国各区域储蓄率下降的效果也有所差异,主要是由于各区域不同的资本形成结构、最终消费结构、以及各部门的累计CO2排放强度(含直接和间接CO2排放强度)。例如,山东省储蓄率下降导致全球CO2排放减少的量最大,主要由于山东省在资本形成中占比比较高的部门(如建筑和机械制造)的累计CO2排放强度高于其在最终消费中占比比较高的部门(如其他服务业和食品制造业)。与之相反,内蒙古自治区储蓄率下降会导致全球CO2排放的增加,尤其表现在内蒙古电力行业累计CO2排放强度较高、且电力行业在最终消费中占比较高。 这项研究认为,中国的增长方式转变通过降低储蓄率的方式对全球CO2减排做出积极贡献。同时,在消费率上升的大背景下,为早日实现CO2排放达峰目标,中国应进一步促进绿色消费和消费品全产业链的节能减排。
北京师范大学 2021-04-10
特种电阻点焊机
功能描述: 3 . SM Pa 气体介质挤压焊封,小 直径不锈钢管
西华大学 2021-04-14
15007绝缘电阻表
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
23019电阻定律演示器
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
23022教学电阻箱
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
回路电阻测试仪
产品详细介绍 SH-06型回路(接触)电阻测试仪 ★用于导体电阻、高低压开关触头接触电阻、高压断路器接触电阻及焊缝电阻的测试 ★输入AC220V±10%  50Hz ★输出恒流DC100A/200A,可转换。 ★测试范围0---2000μΩ(分辨率0.1μΩ) ★精度0.5级 ★自动打印测试结果、数字显示、测试结果可锁存   青岛双奥电气设备有限公司  
青岛双奥电气有限公司 2021-08-23
高视角分辨率的360°视场三维显示装置和显示方法
本发明公开了高视角分辨率的360°视场三维显示装置,包括:LED光源、照明光学系统、空间光调制器、投影光学系统、组合式定向散射屏、转动装置、图像存储控制模块、转动检测模块和光源脉冲驱动控制模块。本发明还公开了实现高视角分辨率的360°视场三维显示方法。本发明通过光源脉冲驱动控制模块对LED光源进行脉冲点亮的方式与组合式定向散射屏的旋转相配合,利用了每个定向散射子屏散射方向的微小偏差实现高密度的视角扫描,实现了具有高视角分辨率的360°视场三维显示,提高了三维显示图像的质量,更加符合人眼自然观察的习惯。
浙江大学 2021-04-11
高导热低介电 PFA 聚合物复合材料
本成果涉及一种可用于电子封装领域的高导热低介电复合材料。通过采用不同的技术在常见聚合物基材中添加氮化硼,来制备复合材料,复合材料热导率高于 2 W/(m·K),其介电常数小于 4。该复合材料可作为热界面材料,应用于电子封装领域。
北京科技大学 2021-02-01
高导热低介电 PFA 聚合物复合材料
本成果涉及一种可用于电子封装领域的高导热低介电复合材料。通过采用不同的技术在常见聚合物基材中添加氮化硼,来制备复合材料,复合材料热导率高于 2 W/(m·K),其介电常数小于 4。该复合材料可作为热界面材料,应用于电子封装领域。
北京科技大学 2021-04-13
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途: Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点,在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说,靶材是至关重要的,它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance, TCR)等性能。电阻温度系数(TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一,较大的 TCR 在温度变化时会造成电阻值漂移,从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜电阻器用高阻靶材,其性能不能满足低 TCR(≤25ppm/℃)要求。 技术原理与工艺流程简介: 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。技术指标如下:温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 应用领域: 集成电路、电子元器件 合作方式及条件:具体面议
天津大学 2021-04-11
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