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综合热分析仪
综合热分析将热重分析 TG 与差热分析 DTA 或差示扫描量热 DSC 结合为一体，在同一次测量中利用同一样品可同步得到热重与差热信息。 主要测量与热量有关的物理、化学变化，如物质的熔点、熔化热、结晶与结晶热、相变反应热、热稳定性（氧化诱导期）、玻璃化转变温度、吸附与解吸、成分的含量分析、分解、化合、脱水、添加剂等变化进行研究。从微量样品到大剂量样品均可满足（更换支撑杆，最大样品可达5g）。可满足各种样品在不同条件下的测试要求。温度范围：HCT-1：室温-1150℃ 、HCT-2：室温-1250℃、HCT-3：室温-1450℃、HCT-4：室温-1550℃
北京恒久实验设备有限公司
2021-02-01
热连轧机液压系统
热连轧机液压系统广泛使用于高压水除鳞、粗轧、精轧、层流冷却、卷取、运输链等生产热轧卷板的轧钢设备以及棒线材、型材热轧设备中。依托一重、二重、鞍钢设计院等主机制造厂，太重榆液成功设计制造了以国内第一条自主集成鞍钢1700热连轧机为代表的几十套全线热连轧机液压系统和棒线材、型材热轧液压系统，积累了丰富的设计制造经验，最大化提高了主机设备的控制精度和生产效率。
太重集团榆次液压工业（济南）有限公司
2021-06-17
热重分析仪
产品详细介绍该仪器已获国家专利，专利号ZL 2009 0039640.8。产品介绍: 热重分析法（TG、TGA）是在升温、恒温或降温过程中，观察样品的质量随温度或时间的变化，目的是研究材料的热稳定性和组份。广泛应用于塑料、橡胶、涂料、药品、催化剂、无机材料、金属材料与复合材料等各领域的研究开发、工艺优化与质量监控。 测量与研究材料的如下特性:热稳定性、分解过程、吸附与解吸、氧化与还原、成份的定量分析、添加剂与填充剂影响、水份与挥发物、反应动力学。 技术参数:1. 温度范围: 室温~1150℃2. 温度分辨率: 0.1℃3. 温度波动: ±0.1℃4. 升温速率: 1~80℃/min5. 温控方式: 升温、恒温、降温6. 冷却时间: 15min (1000℃…100℃)7. 天平测量范围: 1mg～2g ,可扩展至30g8. 灵敏度: 0.01mg9. 恒温时间: 0～300min 任意设定10.显示方式: 汉字大屏液晶显示11.气氛装置: 内置气体流量计，包含两路气体切换和流量大小控制 (气氛:惰性、氧化性、还原性、静态、动态) 12.软件: 智能软件可自动记录TG曲线进行数据处理、打印实验报表13.数据接口: 标准USB接口，专用软件（软件不定期免费升级）14.电源: AC220V 50Hz15.外观尺寸: 489*400*343mm（长宽高）卞舒芹15312021471
南京大展机电技术研究所
2021-08-23
中和热测定器
产品详细介绍
天津市东丽区建华教学仪器设备厂
2021-08-23
热重分析仪
热重分析法（TG、TGA）是在升温、恒温或降温过程中，观察样品的质量随温度或时间的变化，目的是研究材料的热稳定性和组份。广泛应用于塑料、橡胶、涂料、药品、催化剂、无机材料、金属材料与复合材料等各领域的研究开发、工艺优化与质量监控。
上海和晟仪器科技有限公司
2025-05-06
同步热分析仪
同步热分析将热重分析 TG 与差热分析 DTA 或差示扫描量热 DSC 结合为一体，在同一次测量中利用同一样品可同步得到热重与差热信息。
上海和晟仪器科技有限公司
2025-05-06
数码热转移印花毯
毯带采用耐高温芳纶纤维，使用温度可达到250℃，克重3100g/㎡，厚度达8mm，是各种面料、窗帘布、装饰布转移印花专用毯带。
基布耐高温转移印花毯具有毯面平整，毯身柔软，不易开裂及使用寿命长等优点，热定型后，毛毯宽幅收缩率在3%。伸长率范围之内。在国内外市场上深受欢迎。
适用于：各类台湾、国产和进口转移印花机等。
上海芸英工业皮带有限公司
2025-01-09
中和热测定仪
产品详细介绍中和热测定仪
宁波舜盈机电科技有限公司
2021-08-23
关于高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料的研究
北大科研团队在《科学》杂志发表的成果，标志着碳管电子学领域、以及碳基半导体工业化的共同难题被攻克。科研团队表示，如果碳基信息器件技术，可以充分利用碳管在物理、电子、化学和机械方面的特殊优势，就有希望生产出性能优、功耗低的芯片。课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液，并结合维度限制自排列法，在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.9999%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列，从而达到超大规模碳管集成电路的需求。基于这种材料，批量制备出场效应晶体管和环形振荡器电路，100nm栅长碳管晶体管的峰值跨导和饱和电流分别达到0.9mS/μm和1.3mA/μm（VDD=1 V），室温下亚阈值摆幅为90mV/DEC。
北京大学
2021-04-11
二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料
具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料（硒氧化铋，Bi 2 O 2 Se），在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。由Bi 2 O 2 Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区)，并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi 2 O 2 Se光电探测器具有约1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光电流响应时间。化合物由交替堆叠的Bi 2 O 2 和Se层组成，晶体中氧的存在，使其在空气中具有极佳的稳定性，完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。
北京大学
2021-04-11