产品详细介绍纸箱抗压试验机 东莞高天 送货方式：免费送货上门，并安装调试操作介绍（直到需方员工独立操作并满意为止） （因为专业   所以信赖） 我们的产品质量可靠，价格合理，售后服务即时、周到，高天全体人员欢迎您的来电！谢谢！ 产品名称：纸箱抗压试验机13412959592 产品型号：GT-KY 纸箱抗压试验机的技术参数 1.机台容许最高荷重：5000KG 2.荷重元：2000KG、5000KG（任选） 3.动力系统：DC马达； 感应方式：高精度荷重元 4.解析度：1/200005.控制系统：定速10，20，30，40，50，100mm/min；无段调速10至100mm/min  纸箱抗压试验机的主要特点 1.测试空间：测试宽100cm，联板行走空间约100cm 2.全程位移：译码器1000P/R，精度=0.005mm 3.显示方式：LED显示或电脑主机+专业测试软件 4.安全装置： (1)、过载，紧急停机装置 (2)、上下行程限定装置 (3)、试验完成自动停机装置 5.测试区域：100*100*100cm；材积：186*100*203cm；重量：480KG 高天专业生产纸箱压缩试验机, 纸箱抗压测试机, 包装压缩试验机 ,堆码试验机等材料力学试验设备,环境试验设备,箱包类试验设备。 高天试验设备有限公司 手机：李先生13412959592 / 13729984920 电话：0769-23166658    QQ:287777501 传真：0769-23164315 邮箱：gt00000@163.com 邮箱：gaotianli@126.com http://www.gt5117.com  http://dwgt17.ybzhan.net.cn / http://www.gaotian17.com      

产品详细介绍  氧化铝陶瓷坩埚,刚玉陶瓷坩埚有：弧形氧化铝刚玉坩埚，方形氧化铝刚玉坩埚，长方形氧化铝陶瓷刚玉坩埚，圆柱形陶瓷刚玉坩埚，氧化铝刚玉管，等等各种异形氧化铝陶瓷坩埚，承接非标订做各种异形氧化铝刚玉陶瓷坩埚．欢迎联系！刚玉陶瓷坩埚系列：适用于各种实验室金属、非金属样品分析及熔料用。 坩锅系列——用于化验室及各种工业分析。     氧化铝坩埚刚玉瓷坩埚特点： 1、纯度高：Al2O3＞99%，耐化学腐蚀性好 2、耐温性好，长期使用在1600℃，短期1800℃ 3、耐急冷急热性好，不易炸裂 4、注浆成型密度高 高纯氧化铝坩埚 刚玉坩埚理化指标 名          称 氧 化 铝 坩 埚     化   学   成   分 Al2O3 ≥99 R2O ≤0.2 Fe2O3 ≤0.1 SiO2 ≤0.2 体 积 密 度（g/cm2） ≥3.80 显 气 孔 率（%） ＜1 抗 弯 强 度（Mpa） ＞350 抗 压 强 度（Mpa） ＞12000 介 电 常 数 ∑（1MHz） 2 最 高 使 用 温 度（℃） 1800 规格有： 弧形坩埚：10毫升，15毫升，20毫升，30毫升，50毫升，100毫升，150毫升，200毫升，300毫升，500毫升，750毫升，1000毫升。 直形坩埚：直径30*30------160*160毫米 方形坩埚：65*65-------240*240毫米 备：可根据用户需求定制各种非标异型氧化铝坩埚！

目前，国内大部分高尔夫练习场使用的挥杆练习垫，仅能提供平地击球的练习，但每个高尔夫球场都是有坡度的，为了使球员在练习场上找到在球场上同样的击球感觉并给练习过程增添更多的乐趣，一种高尔夫新设备multitilt高仿真练习台诞生了，该练习台运用自动角度调整系统，为您提供各种击球的角度，使您真正体验到在真实球场上击球的乐趣，与此同时，您的下场成绩自然也会得到迅速提升。 Multitilt 360高仿真高尔夫击球练习台产品特点： 1、高仿真 精准模拟，使练习场变球场 该球台在360度的方向上，均有最大12度角的任意坡度，可满足球员对于不同坡度进行训练的需要 在该球台上可以找到不同地貌时的站立位置、重心位置、击球修正方向、下杆角度、球杆开度和击球厚薄 击打垫富有弹性，与真草球场击球效果接近 2、显著提高下场成绩 有效解决因练习场和球场的差异所导致的训练滞后问题 可以重复练习各方向的短竿坡地切球、长杆坡地击球、球道木坡地击球及沙坑岩上各种坡度的击球 可进行各种针对性训练，提升击球的准确性 110至90杆的球员，每周在Multitilt练习台上练习两小时，保证在半年内提高15至10杆的成绩 3、易操作 在指定地点换取代用币 向投币器中投入代用币，球台被激活 上台用球杆头点触四角位置上的触感器，调整至自己满意的角度 开始击球

本发明公开了一种三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构的制备方法，以三氧化二铁纳米颗粒为核心，通过控制正硅酸乙酯的量来控制包覆的二氧化硅的厚度，再通过热分解的方法在二氧化硅外面包覆一层碳，通过去除中间层的二氧化硅得到了三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构。本发明通过简单的包覆过程合成了三氧化二铁/碳的蛋黄-蛋壳复合纳米结构，降低了成本，可大批量生产。另外，这种中空的三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳复合纳米结构有利于提高锂离子电池负极材料的性能。

本发明公开了一种铁‑铜‑铝氧化物复合催化剂的制备方法，包括：(1)将铝盐加入到甲酸/甲酸铵的缓冲溶液中，铝盐完全溶解后，加入介孔SBA‑15，吸附完成后，烘干，焙烧得到铝负载的SBA‑15样品；(2)将铝负载的SBA‑15样品置于含有铁离子和铜离子溶液中，浸渍完成后，烘干，可选择的进行焙烧，得到铁‑铜‑铝氧化物复合催化剂。本发明还公开上述制备方法制备得到的催化剂和该催化剂的应用方法。本发明通过Al对介孔材料SBA‑15进行修饰，获得良好Al2O3纳米层，继续负载双金属组分Fe和Cu之后，活性组分继续保持高度分散的纳米层，在中性条件下，催化剂有着良好的降解去除，显示出催化剂极高的催化活性。

磁性斯格明子是由拓扑保护的纳米涡旋磁结构，其微观的形成机制与非共线性作用（Dzyaloshinskii—Moriya Interaction）有关。该结构在物理上可以被看成一种受拓扑保护的磁准粒子，拥有很长的寿命，可被电流、热、光等条件所驱动。值得一提的是，其存在和消失的这两种状态可以被定义为磁存储中的“1”和“0”状态，使它成为一种颇具潜力的存储信息载体，在未来的自旋电子学和存储领域具有巨大的应用潜力。

CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积，等。

CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积，等。 

CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池，属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液，其中，NaAc作为缓冲剂，以保持溶液的pH值不变，使反应更稳定，通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层；清洗吹干后，沉积含Cu或不含Cu背接触层，最后沉积背电极以制备CdTe太阳电池。沉积背接触材料，可增加pn结附近的载流子浓度，降低肖特基势垒高度，避免直接沉积Cu形成比较复杂的CuxTe结构。采用这种方法腐蚀并制备CdTe太阳电池，可显著提高太阳电池的性能，并保证器件性能的稳定性和重复性。