本发明公开了一种电卡材料及其制备方法。电卡材料由覆盖在 柔性衬底上的BST陶瓷纳米线阵列构成，所述BST陶瓷纳米线阵列中， Ba 和 Sr 的摩尔比为(1～3):1。本发明首次将 BST 陶瓷纳米线阵列用作 电卡材料，通过将 BST 陶瓷纳米线阵列转移到柔性衬底上，充分利用 铁电陶瓷良好的电卡效应和纳米线阵列特殊微结构具有的柔韧性，制 得具有良好柔韧性和理想电卡效应的电卡材料，实现了无机柔性电卡 材料的制备

材料磁阻测试霍尔效应测试 电输运性质系统  您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ TESTIK-9系列电输运性质测试系统是集霍尔效应、磁阻、变温电阻、I-V特性等测试于一体的全自动化测试系统。系统考虑了集成一体性、屏蔽防干扰能力和操作人性化等用户经常忽略的问题，选取了美国Keithley的电测量仪表，磁场根据用户需要采用电磁铁或无液氦超导磁体，配备灵巧的测量样品杆和快速插拔样品卡，加上全自动化的专用测试软件，能让用户快速方便地进行电输运测试，并获得准确可靠的数据。此外，TESTIK-9系列还有多种高低温温度环境选件。TESTIK-9系列电输运性质测试系统是广大科研工作者对材料进行电输运性质研究的理想选择。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 材料磁阻测试霍尔效应测试 电输运性质系统   您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 系统功能： 可以进行霍尔效应、R-H特性、R-T特性和I-V特性的测量，可得出参数：方块电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型，可绘制以上参数随温度或磁场的变化曲线。 可绘制曲线： I-V特性—不同磁场和不同温度下的I-V特性曲线； R-H特性-固定温度，电阻随着磁场变化的特性曲线； R-T特性—固定磁场，电阻随着温度变化的特性曲线。 作为北京高科技企业，锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子*（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。 锦正茂始终秉承“诚信、合作、创造、共赢”的经营理念，将现代化管理技术引入到产品生产与管理中，通过新的军民融合平台建设，形成具有一定市场竞争优势的高科技企业；其次，公司逐步形成以现代化高科技产业化带动企业价值增张的商业模式，坚持“与时俱进，科技创新”的思路，彰显业务的核心优势，共创新的战略制高点。  

        研发团队针对高性能、抗静电热控涂层材料开展自主科研攻关，研发出具有自主知识产权的白色氧化锌导电粉体，与相关企业合作建立了100Kg级导电粉体中试生产线，完成了粉体批次稳定性验证，突破了批量制备导电粉体稳定性差的瓶颈，形成了一套高性能白色氧化物导电粉体的标准生产工艺。产品技术指标经权威检测机构检验达到或超过进口产品水平，并已通过国家航天领域应用验证。同时，产品原料及生产成本远低于进口产品，有望在我国民用市场普及。产品可应用于汽车、电子、纺织、橡胶和化工等领域的防静电、节能、电磁屏蔽等，如轮胎橡胶添加剂、红外反射涂层、防静电涂层等，市场前景广阔。         意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持

压电材料是一种智能机电耦合材料，利用压电材料的压电效应可以实现机械能和电能的互相转换，目前压电材料广泛用于压电滤波器、微位移器、驱动器和传感器等电子器件中。压电陶瓷和压电纤维做为一种常用的压电驱动元件通常需要较高的驱动电压和驱动功率，本项目针对不同的压电材料应用需求研发了一系列压电材料线性高电压驱动器。

聚丙烯是通用高分子中密度最小的一种材料，其优异的综合性能和相 对低廉的价格，以及易加工、可回收使用等优点特别适合于汽车生产。 实际上，单车聚丙烯材料用量的多少，在一定程度上反映了一个国家 汽车工业发展的水平。对于聚丙烯这种材料而言，其缺口冲击差的问题严重制约了它在汽车领域的应用。常用提高韧性的方法是通过在线 聚合分散或后改性的方法在体系中引入橡胶类弹性体。加入橡胶类弹 性虽然可显著提高基体的韧性并降低材料发生脆韧转变的温度，但这 种韧性的提高是以牺牲宝贵的刚性和耐热性能为代价的。对于常温刚 性和耐热

东南大学化学化工学院熊仁根教授团队首次提出并利用全氟取代策略成功设计合成了二维杂化钙钛矿铁电体(全氟苄胺)2PbBr4。相关成果以“Two-Dimensional Hybrid Perovskite Ferroelectric Induced by Perfluorinated Substitution”为题在线发表在化学领域国际顶级期刊Journal of the American Chemical Society（《美国化学会会志》）上。东南大学为唯一通讯单位和完成单位，化学化工学院博士生张含悦为论文第一作者。这是在“东南大学十大科学与技术问题”启动培育基金的持续资助下，以及东南大学化学化工学院江苏省“分子铁电科学与应用”重点实验室研究团队所建立的“铁电化学”学科基础上，熊仁根教授团队取得的又一重大阶段性进展。 此前，团队通过单氟取代和双氟取代策略成功设计了多种性能优异的分子铁电体，并伴有许多有趣的物理现象如涡旋畴、窄带隙、热致变色、铁电光伏效应等。然而，对于具有苯环的刚性结构而言，此前的氟取代策略并不令人满意。在先前报道中，以(苄胺)2PbCl4为母体在苯环上不同位置实施单氟取代策略得到的结果中，只有(2-氟苄胺)2PbCl4具有铁电性，而(3-氟苄胺)2PbCl4和(4-氟苄胺)2PbCl4则不是铁电体(J. Am. Chem. Soc. 2019, 141, 18334-18340)。在苯环上，单氟取代作用具有位置选择的局限性，即在正确的结构位置有选择地引入氟离子才有可能诱导铁电性，这存在着极大的随机性和偶然性。在此工作中，铁电体(2-氟苄胺)2PbBr4以及非铁电体(3-氟苄胺)2PbBr4(中心对称结构)和(4-氟苄胺)2PbBr4(中心对称结构)再次验证了单氟取代策略在刚性芳环结构上的局限性和不确定性。探究有效通用的方法实现分子铁电体的精确设计仍然是一个巨大的挑战。

将石墨烯进行二维或三维组装，制备透明可导电薄膜、复合导热膜及吸附材 料技术。

本项目主要研究和开发高迁移率透明氧化物半导体薄膜，重点研究掺锌氧化铟(IZO)透明氧化物半导体薄膜;筛选合适的介质层材料，研 究和制备优质致密的透明介质层薄膜;研究制备掺钨氧化铟(IWO)高 迁移率 TCO 薄膜，使其与 TOS 薄膜具有良好的电接触特性;研究制 备采用上述透明导电氧化物电极、透明氧化物半导体沟道层和透明介 质层构成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各种工艺技术对 I-V 特

本项目共包括10项授权专利，其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术，同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等，共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。（1）建成了我国第一条大尺寸磁

本发明公开了一种具有良好吸波性能的纳米晶稀土铁基吸波材料及其制备方法，该材料的特征在于 将配比为重量百分比为2％～70％稀土元素与5％～98％的铁以及少量掺杂元素熔炼成稀土-铁基合金，再在 0-700℃的温度范围内与氢气反应(氢爆方法)破碎成细小粉末或球磨成细小粉末，然后在100℃-1000℃ 温度范围内与氢气反应生成主相为稀土氢化物(RHx)和α-Fe的复合材料，最后将上述复合材料在低温 氧化或氮化或氮化加氧化，制备出稀土氧化物或氮化物/α-Fe为主的复合材料。这种材料具有吸波性能好， 屏蔽波段宽，耐腐蚀，抗氧化以及价格低廉的特点，可用于建筑电磁屏蔽、信息及通讯技术保密、军事隐 身技术等领域。