产品详细介绍至尊8188亚克力防盗仪 产品编号：323 型　号：至尊8188(SSLT-EM-2008A) 品　牌：盛世龙图 档　次：高档 推荐指数：      特点描述： 采用纯进口全亚克力材料设计、耐磨性强、晶莹剔透，报警灯光采用全反射、全迷幻效果设计，先进的液晶显示人次统计系统，具有精确的报警和超高的检测率，通过公安部安全与警用电子产品质量检测中心检验，是国内外高档图书馆、大型书城、书店、图书馆、药店、音像店、化妆品店、部队等首选产品，现大量出口国外50多个国家。 具体说明： ◆ 保护宽度： 单通道75-120厘米。 ◆ 灵敏度高：采用DMPD（动态多相位检测）技术，最短可以探测3厘米的磁条，高保障地检测目前市面上的全部磁条产品。 ◆ 稳定性好：拥有世界上最先进的DSP技术，完美确保系统的稳定性与可靠性。 ◆ 无误报：先进的检测仪自检能力，有效识别、过滤外界干扰源，实现行家客户要求的高报警、无误报的理想效果。 ◆ 抗金属能力强：自主开发的智能数字化微电脑控制技术和三环同步递归滤波技术，空前提高系统的抗金属干扰的能力，并对抗金属干扰进行自由调节。 ◆ 保护范围广：不仅可以保护图书、药品、化妆品、音像制品，还可以保护U盘、MP3、MP4、移动硬盘、笔记本电脑等电子产品。 ◆安全技术检验：通过公安部安全与警用电子产品质量检测中心检验。 ◆生产工艺：按照公司通过的ISO9001：2000质量管理体系认证要求，高标准、高质量组织设计、生产与服务。 ◆ 技术针对性强：针对大型书店、图书馆、药店、音像店、化妆品店等的安装要求设计。 ◆ 极具视觉冲击力的设计：外观设计高雅大方，选用日本进口亚克力材料、透光性强、抗磨性强、不变形；报警灯光采用全反射、全迷幻效果设计； ◆ 先进的进店客流人次统计功能（三种模式）：可通过独家开发的可视液晶模块实现总人数历史统计（无需计算机、默认配置）；可通过连接计算机实现当日和历史客流流量的统计、分析、报表生成等（需计算机）；通过主机内置模块实现当天人次统计。 ◆ 符合绿色环保标准：产品功率小于5瓦，使用寿命长、耗电量少，对人体无辐射。设计与制造完全符合美国联邦通讯委员会（FCC）颁发的有关无线电频率、信号强度、电磁干扰（EMI）及其它方面的规定。 ◆ 性价比高：国际品质、国内价格  技术指标：  ◆ 综合报警率 98% ◆ 报警方式: 声光报警（报警灯采用全反射、全迷幻效果设计） ◆ 探测范围： 高：5-165cm 宽：75—120cm ◆ 信号处理： 数字式-DMPD（动态多相位检测）技术、DSP多重滤波技术 ◆ 制作材料：纯进口亚克力材料，不变形、不变色、晶莹透亮、抗磨性强 ◆ 无故障时间≥80000小时 ◆ 外型尺寸：150 cm*48cm*3cm ◆ 天线功率： 3.6W-5W ◆ 工作电压：AC:220V±20%、50Hz ◆ 安装形式：底座式、金属扣槽式、预埋管式、切割扣槽式

机械方面：机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。电气方面;电气工程及其自动化、机电一体化系统、电气控制与PLC，电机与电器、电力工程等学科。

该成果提出了变压器局部放电检测的系统的、全面的外部干扰排除方法；提出了变压器局部放电超宽带天线阵列定位新技术；提出了变压器内部局部放电缺陷严重程度的特征参数，进而提出了局部放电缺陷的类型和严重程度的诊断方法，并且设计并实现了相应的自动诊断软件。 研究成果通过了实验室试验验证，并在上海市电力检修公司和福建省十余座变电站得到应用。该成果抗干扰技术的在线检测结果的准确性与过去相比提高了3倍，准确率提高到95%；定位技术误差一般不超过30cm；总体运算时间在秒级，Y型优化阵列准确定位区域比现有的矩形阵列大18倍。 该成果在局部放电缺陷严重程度的诊断方法和预警预测方法方面填补了国内外空白，对放电类型的严重程度识别的准确度达到了93.3%以上。授权发明专利3项，发表SCI、EI论文14篇，并获得2012年福建省科学技术奖三等奖。

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段