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1HW-G型管式红外碳硫分析仪
产品详细介绍管式红外碳硫分析仪器1HW-G型1HW-G型管式红外碳硫分析仪配合高温管式炉能快速、准确地测定钢铁、合金、有色金属、稀土金属、水泥、矿石、焦炭、煤、炉渣、陶瓷、催化剂、铸造型芯砂、铁矿、无机物及其它材料中碳、硫两元素的质量分数。该产品是国际、国内先进技术融合的结晶．是集光．机、电、计算机、分析技术于一体的高新技术产品，多项技术国内领先，整机性能可与进口产品相媲美。具有测量范围宽、抗干扰能力强、功能齐全、操作简单、分析结果快速准确等特点。主要技术参数★测量范围：碳：ω（C）0.001%—6.000%(可扩至99.999%)硫：ω（S）0.0005%—2.000%(可扩至99.999%)★分析误差：碳优于国标GB/T223.69—2008硫优于国标GB/T223.68—1997★分析时间：25—60秒可调，一般在35秒左右。★电子天平：称量范围：0—120g读数精度：0.001g★工作环境：室内温度：10-30℃相对湿度：小于75%主要特点★采用低噪声、高灵敏度、高稳定性的红外探测器。★整机模块化设计，提高了仪器的可靠性。★电子天平自动联机。★WINDOWS全中文操作界面，操作方便，易于掌握。★软件功能齐全，提供文件帮助、系统监测、通道选择、数理统计、结果校正、断点修正、系统诊断等四十多项功能。★动态显示分析过程中的各项数据和碳、硫释放曲线。★测量线性范围宽，并可扩展。★特制高温管式炉，温度可调，适合于不同材质样品分析要求。★高效合金除尘器，最大限度减少粉尘干扰。★测量线性范围宽，并可扩展。
南京第四分析仪器有限公司
2021-08-23
g1 JSQ-ⅡA型单功能自动喷液净手器
产品详细介绍g1 JSQ-ⅡA型单功能自动喷液净手器 产品介绍： 本系列产品手消毒器是适应“GMP”制药﹑食品生产企业﹑生物制品无菌﹑洁净室的生产要求；医院手术室﹑病区﹑计生站等环境的消毒技术要求；金融﹑宾馆﹑饭店﹑机关企事业单位的卫生要求而专业制造。主要特点： l红外线感应控制，自动喷淋杀菌。l可清洗药液瓶，从根本上杜绝了交叉感染，持续杀菌，可供多人连续使用。l用户自定用量，有效的节约消毒液和水资源，是一种节能型环保产品。l安装简便，壁挂在水池上即可。技术参数：l型号：JSQ-ⅡAl药液容量：1500mll主要功能：消毒l环境温度：5℃-40℃l环境湿度：≤80%l感应距离：8-12CMl安全类型：II类l工作方式：间断工作l功率：≤20Wl额定电压：AC220-240V±10% 50/60HZl净重/毛重：2.3KG/3KGl外形尺寸：233*150*375(mm)l挂孔直径：Φ6mml挂孔间距：130mm应用范围： l医院的手术室、病区、护士站、病房等医护人员的消毒和处理。l“GMP”制药企业、食品生产企业、生物制品、无菌、洁净室的操作人员的消毒和处理，银行、储蓄所人员的手部消毒及宾馆、饭店、机关企事业单位使用。
北京唐林电子科技研究院
2021-08-23
超声波成像及应用实验仪 COC-CSCX-G
实验内容
1、了解脉冲回波超声测量的原理，掌握超声波成像基本原理及超声成像的应用；
2、采用回波幅度 B 型图像显示方法，研究物体剖面超声波图像；
3、有机玻璃试块为样品，利用物体表面及内部的反射波成像，模拟海洋地貌测绘、地壳测量和地藏勘探等实用技术。
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
山东省科学技术厅等6部门关于印发《深化科技成果转化机制改革综合试点实施方案》的通知
为贯彻党的二十大和二十届二中、三中全会精神，进一步深化科技成果转化机制改革，全面激发人才创新创业活力，着力解决科技成果不敢转、不愿转、不会转、缺钱转等难点、堵点问题，根据省委省政府关于科技成果转化工作的部署要求，结合工作实际，制定本方案。
山东省科学技术厅
2025-04-03
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
一种基于全息波导的头戴式显示器件
本发明公开了一种基于全息波导的头戴式显示器件，该器件包括入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、矩形波导（５）；入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、贴附于矩形波导（５）的上表面或下表面；入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、矩形波导（５）贴于上表面或下表面由出入瞳光线设计方向决定。本发明利用光瞳重塑方式解决了传统二维扩瞳方式产生的大视场角情况下的视场分离。
东南大学
2021-04-11
高温压电振动能量回收器件和高温驱动器
传统PZT压电陶瓷应用广泛，但在居里温度较低，环境温度较高时，PZT陶瓷样品极易退极化。随着压电材料的应用范围的进一步拓展，一些极端条件对压电陶瓷的应用提出了新的挑战。北京大学工学院实验室利用高居里点的钪酸铋-钛酸铅压电陶瓷制备了基于d31模式和d33模式的应用于高温环境中的压电振动能量回收器，器件可以稳定地工作在150℃以上的高温环境中。高温下由于电畴被活化，器件的压电系数和相应的输出功率比室温时提高一倍以上。 与压电能量回收器不同的是，压电驱动器是一种利用压电效应，将电能转化为机械能实现纳米级驱动的器件，压电驱动器利用压电材料的准静态逆压电效应实现10微米至100微米的微小位移；同时，还可以利用压电陶瓷的高温谐振动效应制备高温压电马达。
北京大学
2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
磁流体热磁对流在电子器件散热中的应用
项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件，应用磁流体的热磁对流效应，把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2．温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3．磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标 建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术，提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展，达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明，散热效果好，能达到电子器件冷却要求，满足工业生产的需求，在生产过程中无污染，无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中，具有较好的经济效益和社会效益。
南京工程学院
2021-04-11
基于超陡摆幅器件的极低功耗物联网芯片
随着集成电路的发展，功耗问题越来越成为制约的瓶颈问题。特别是在即将到来的万物互联智能时代，物联网、生物医疗、可穿戴设备和人工智能等新兴领域更加追求极低功耗，尤其是极低静态功耗。面向未来庞大的物联网节点应用的需求，极低功耗器件及其电路芯片受到越来越多的关注。受玻尔兹曼限制，传统晶体管的亚阈摆幅存在理论极限，这一限制是阻碍器件功耗降低的关键因素，基于传统CMOS晶体管的集成电路已经无法满足物联网节点等对极低功耗的需求。 本项目基于标准CMOS工艺研制新型超陡摆幅隧穿器件，并进一步研发具有极低功耗的物联网节点芯片。新型超陡摆幅隧穿器件采用有别于传统晶体管的量子带带隧穿机制，可突破亚阈摆幅极限，同时获得比传统晶体管低2个量级以上的关态电流性能，具备极其优越的低静态功耗性能。通过超陡亚阈摆幅器件及电路技术的研究和突破，可促进我国物联网芯片产业的发展，显著提高物联网节点的工作时间，具有重要的应用价值。
北京大学
2021-02-01