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ZL-034C8通道大小鼠通用型跳台仪(Plus)
简单介绍: 学习记忆实验方法的基础是条件反射,各种各样的方法均由此衍化出而来,跳台法就是其中的一种较常用的方法,该方法的优点是简便易行,多通道大小鼠通用型跳台仪(Plus)一次可同时试验多只动物,即可观察**对记忆过程的影响,也可观察对学习的影响,有较高的敏感性,尤适合于初筛**。多通道大小鼠通用型跳台仪(Plus)具有液晶显示、设定方便、记数准确、形象直观、结构紧凑、维护方便、使用安全等特点适合科研和教学使用,是各种增智健脑、提高记忆、抗衰老**和保健品筛选、开发研制必不可少的工具。多通道大小鼠通用型跳台仪(Plus)用微电脑控制对动物下台行为有判断能力,可设定测试时间记录下台潜伏期和次数。 详情介绍: 技术指标1、*长自动记录时间:120分00秒2、*短自动记录时间:1秒3、*多记录实验数据:60组4、每室*大记录次数:999999次5、记录数据有:***、潜伏期、错误次数6、8通道独立开始和停止功能。7、计时**度:0.01秒8、时钟设定项目:年、月、日、时、分、秒9、通道设置:1~8通道任意设置10、刺激电流:8通道独立可条调,刺激范围0.1~5mA,步长0.111、输入电压:交流,200V-230V  50Hz12、消耗功率:30W13、工作环境温度:0-40℃14、带USB数据导出功能15、可连小鼠跳台箱(八室,每室110×110×160mm),或大鼠跳台箱(八室,每室200×200×290mm)
安徽耀坤生物科技有限公司 2022-05-26
PLUTO-M(8L)等离子清洗机/等离子处理机
上海沛沅仪器设备有限公司 2022-05-24
8×6.5〞波束可调两分频有源同轴环屏阵列音箱-FCL806A
FCL806A是一款有源环屏阵列音箱,主要用于LED环屏影院。箱体采用桦木夹板制作,轻巧而坚固,有源环屏音箱提供55Hz-20KHz的频率范围,具备平滑的频率和相位响应。32个1寸的钕磁球顶高音扬声器和8个4寸钕磁中低音扬声器构成一个动态余量极大的组合,高音扬声器同轴阵列式排布在中低音扬器上方,声像定位更准,提高线阵列音箱的远场近声场均匀度和清晰度。音箱内装独立的16通道大功率功放及DSP,音箱可单独调节,连接数量根据实际场合大小进行配置,使得现场扩声极其灵活、便捷。功放部分使用高效率开关电源,内置DSP模块,具有处理分频、EQ、压限、延时、音量等功能,音箱采用DANTE数字网络传输, 每通道可独立控制,延时,幅度可调。
音王电声股份有限公司 2022-07-02
8×4〞波束可调两分频有源同轴环屏阵列音箱-FCL804A
FCL804A是一款有源环屏阵列音箱,主要用于LED环屏影院。箱体采用桦木夹板制作,轻巧而坚固,有源环屏音箱提供65Hz-20KHz的频率范围,具备平滑的频率和相位响应。24个1寸的钕磁球顶高音扬声器和8个4寸钕磁中低音扬声器构成一个动态余量极大的组合,高音扬声器同轴阵列式排布在中低音扬器上方,声像定位更准,提高线阵列音箱的远场近声场均匀度和清晰度。音箱内装独立的16通道大功率功放及DSP,音箱可单独调节,连接数量根据实际场合大小进行配置,使得现场扩声极其灵活、便捷。功放部分使用高效率开关电源,内置DSP模块,具有处理分频、EQ、压限、延时、音量等功能,音箱采用DANTE数字网络传输, 每通道可独立控制,延时,幅度可调。
音王电声股份有限公司 2022-07-02
一种3-苯磺酰类香豆素类化合物的合成方法
本发明提出一种3‑苯磺酰类香豆素类化合物的合成方法,属于有机合成领域,能够直接利用香豆素类化合物与苯亚磺酸钠类化合物为原料合成3‑苯磺酰类香豆素类化合物。该技术方案包括向反应瓶中分别加入香豆素类化合物和苯亚磺酸钠类化合物,在碘和二甲基亚砜作用下,于55℃‑70℃温度下反应8‑10小时;待反应结束后,进行色谱分离,得到3‑苯磺酰类香豆素类化合物。本发明能够应用于3‑苯磺酰类香豆素类化合物的合成中,该
青岛农业大学 2021-01-12
抗肿瘤药物四氢化萘酰胺类化合物和其药学上可接受的盐或前药及制备方法和应用
环苯替尼(CB1107)是新型的酪氨酸激酶抑制剂,对Bcr-Abl和c-Kit蛋白酪氨酸激酶具有双重抑制作用,主要用于治疗Bcr-Abl基因高表达的慢性粒细胞白血病(CML)、急性淋巴细胞白血病(ALL)和c-Kit基因高表达的胃肠道间质瘤。环苯替尼为目前一线正在使用的伊马替尼的me-better药物,用于替代伊马替尼的一线治疗和耐药患者治疗。目前已获得中国发明专利授权,按新药注册分类属于化学药品1.1。 环苯替尼的显著特点是对人癌(CML)免疫缺陷性小鼠异体移植体内药效达到治愈的效果(免疫缺陷性小鼠试验的结果认定为与人临床结果非常相近),肿瘤细胞完全被杀死,有效率达到100%,无严重毒性发生;其将是伊马替尼的替代产品,新药上市后将取得巨大的经济效益。
辽宁大学 2021-04-11
药用植物大戟3-羟基-3-甲基戊二酰辅酶A的还原酶蛋白编码序列
一种药用植物大戟Ep-Hmgr蛋白编码序列,属于基因工程领域。所分离出的DNA 分子包括:编码具有药用植物大戟Ep-Hmgr蛋白活性的多肽的核苷酸序列,所述的核苷酸序列与SEQ ID NO.3中从核苷酸第81-1832位的核苷酸序列有至少70%的同源性;或者所述的核苷酸序列能在40-55℃条件下与SEQ ID NO.3中从核苷酸第81-1832 位的核苷酸序列杂交。本发明是一种3-羟基-3-甲基戊二酰辅酶A的还原酶,有助于提高药用植物大戟中次生代谢产物或其前体的含量,对于保护人民的健康生长有所帮助
江苏师范大学 2021-04-11
亚油酰乙醇胺在提高植物灰霉病和细菌性叶斑病抗性中的应用
本发明公开了亚油酰乙醇胺在提高植物灰霉病和细菌性叶斑病抗性中的应用以及在制备提高植物灰霉病和/或细菌性叶斑病抗性的制剂中的应用。本发明以亚油酰乙醇胺为主要有效成分制备的制剂,通过诱导植物体内的茉莉酸、水杨酸以及乙烯的信号路径,可显著增强植物对灰霉病和细菌性叶斑病的抗性,减少因灰霉病和细菌性病害给植株带来的经济损失。采用本发明制剂防治植物灰霉病和细菌性叶斑病简单易行,成本较低,可显著延迟和抑制灰葡萄孢、丁香假单胞菌单一或复合病原菌在叶片上的生长及病害的扩散,大大提高了植株对灰霉病和细菌性叶斑病的抗性。
浙江大学 2021-04-13
降解对比抑制:开发靶向3-羟基-3-甲基-戊二酰辅酶A还原酶的降解小分子
4月22日,饶燏课题组与武汉大学宋保亮课题组合作在《药物化学杂志》(Journal of Medicinal Chemistry)发表题为“降解对比抑制:开发靶向3-羟基-3-甲基-戊二酰辅酶A还原酶的降解小分子”(Degradation Versus Inhibition: Development of Proteolysis-Targeting Chimeras for Overcoming Statin-Induced Compensatory Upregulation of 3-Hydroxy-3-methylglutaryl Coenzyme A Reductase)的研究论文。HMGCR(3-Hydroxy-3-methylglutaryl Coenzyme A Reductase)是胆固醇( cholesterol)合成途径中的限速酶,并且是经典的治疗血脂异常的药物靶点。它的抑制剂( statin,他汀类化合物)如阿伐他汀(atorvastatin,立普妥®,辉瑞)在临床被用于预防和治疗心血管疾病,并取得了极大的成功。但是有相当一部分人对他汀类药物不耐受,比如会发生骨骼肌损伤等较为严重的副作用,这有可能与服用他汀类药物后体内通过负反馈调节导致HMGCR补偿性表达升高有关。因而在该工作中,研究人员利用蛋白靶向降解嵌合体(Proteolysis-Targeting Chimera, PROTAC)的技术,对HMGCR在进行降解而起到抑制胆固醇合成作用的同时可以避免HMGCR的高表达,从而有望降低副作用。 图1.抑制剂与PROTAC对HMGCR的影响 在该工作中,研究人员首先筛选出SRD15细胞系作为细胞测试的基础,然后基于HMGCR的配体阿伐他汀和E3链接酶CRBN的配体泊马渡胺进行了一系列的构效关系研究,发现化合物P22A作为PROTAC具有较好地降解活性(DC50~100 nM)。相比之下,抑制剂阿伐他汀对HMGCR引起了明显的上调作用(图1)。 图2.抑制剂和PROTAC对LDLR和胆固醇的影响 接下来,研究人员通过一系列的生化和细胞生物学实验证实了PROTAC通过泛素-蛋白酶体系统发挥作用的机制;通过蛋白组学的研究发现抑制剂和PROTAC引起的组学应答也有很大不同。抑制剂和PROTAC对胆固醇合成抑制和通过SREBP通路引起的低密度脂蛋白受体(LDLR)表达水平上调的能力相当(图2)。 HMGCR是位于内质网上的八次跨膜蛋白, PROTAC对此类蛋白的降解能力往往有限,该工作首次证明利用PROTAC技术对内质网蛋白进行降解的可行性。另外,靶蛋白上调的现象还出现在很多其它的抑制剂中,该工作展示了面对此种情况时是PROTAC一个很好的应用场景。 宋保亮课题组博士生李美欣和饶燏组博士后杨毅庆为本工作共同第一作者,饶燏和宋保亮课题组罗婕为共同通讯作者。本研究得到了国家自然科学基金、清华-北大生命联合中心以及中国博士后基金的大力支持。 原文链接: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jmedchem.0c00339
清华大学 2021-04-11
先导中心8 寸平台上制造绝缘体上张应变锗(TSGOI)晶圆
已有样品/n实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调,使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。
中国科学院大学 2021-01-12
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