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激光高亮工程投影机AL-S4K42
激光高亮工程投影机S4K系列,适用于大型场馆及户外投影场景。
深圳光峰科技股份有限公司 2022-09-19
新型快速凝固Al-Ti-B-Sc铝合金晶粒细化剂
一、 项目简介铝合金因重量轻、资源丰富、综合性能好,所以在机械、交通运输、航天与军事工业等高新技术领域中的应用逐年增加。生产高质量的铝合金,控制铸锭组织是十分必要的,而控制其组织和性能的关键之一是获得细小均匀的等轴晶。晶粒细化是近期国际上对传统材料升级和创造新型合金的三大工艺手段之一。因此,可以运用细化晶粒的方法来提高合金的性能,从而满足不断发展的技术对高性能材料的需要。晶粒细化方法可分为内生形核质点法和外来形核质点法,内生形核法主要包括电磁作用、超声波振动、快速凝固等方法,而外来形核质点法是通过向吕溶液中加入中间合金细化剂,产生异质形核核心,提高晶体的形核率,从而细化晶粒。在实际生产中,内生形核的几种方法都有一定的局限性,如需要特殊的设备和工艺,成本较高等,因此,目前向铝合金熔液中添加细化剂仍是细化晶粒最简单有效的方法。目前,应用较为广泛的铝合金细化剂包括Al-Ti-B、Al-Ti-C等中间合金细化剂。Al-Ti-B的细化机理是Al-Ti-B加入到铝合金熔液中,会与铝熔体中的铝反应生成Al3Ti、TiB2、AlB2等粒子,它们分散到整个合金熔液中并形核,从而起到晶粒细化作用。随着铝合金晶粒细化剂的多元化发展,人们通过向合金中加入稀土元素来提高细化效果和细化的长效性。稀土元素是表面活性物质,易在铝或铝熔液的晶界和相面上吸附偏聚,稀土的加入不仅能够改善Al3Ti形核相的形态和分布,还能细化熔液中微粒尺寸,同时稀土还具有除氢、净化铝液的作用。钪是一种稀土元素,Sc元素是优化铝合金组织和性能的最有效的元素,Sc对Al有很强的弥散强化、晶粒细化作用,并可有效抑制Al的再结晶。Sc和Al相互作用的主要特征是共晶共格,Sc和Al生成的Al3Sc相与Al基体母相共格,对位错及亚晶有极大的钉扎作用,阻止和抑制晶粒长大,促进晶粒细化,微量的钪元素就能够对铝合金起到很好的晶粒细化效果。近年来,快速凝固技术在工业中得到了广泛的应用,经过快速凝固处理后,金属在液态中的溶解度得到扩大,材料各部位的组织更加紧密,凝固结晶会更加细小,晶粒的分布更加均匀,这些结构上的改变使材料拥有了更高的综合性能,对工业生产具有重要的意义。本项目中的新型细化剂是在已有应用成熟的细化剂的基础上,向其中添加微量稀土钪元素,并结合快速凝固技术制备而成。将该新型细化剂加入到A356.2铝合金后,合金微观组织由原来粗大的树枝状晶粒变为细小的等轴晶,与已有的细化剂相比,其细化效果更加明显,对合金力学性能有更大的提高。二、 项目技术成熟程度已完成实验工作。实验中,对比了A356.2铝合金分别加入传统铸态Al-Ti-B、快速凝固Al-Ti-B、铸态Al-Ti-B-Sc和快速凝固Al-Ti-B-Sc,结果发现,快速凝固Al-Ti-B-Sc中间合金对A356.2铝合金具有最好的细化效果,微量稀土元素Sc的加入和快速凝固技术的使用使细化剂具有了更好的细化效果,经过该细化剂细化后铝合金的力学性能会得到更大的提高。三、 技术指标本项目中,未细化前,A356.2 铝合金的平均晶粒尺寸为120μm左右;加入传统Al-Ti-B细化剂后,A356.2铝合金的平均晶粒尺寸会细化至80μm左右;而加入该新型细化剂后铝合金的细化剂会细化至30μm左右,可见,该新型细化剂对A356.2铝合金细化效果非常明显。经过该细化剂细化后,A356.2铝合金的性能也有一系列的提高,硬度值由细化前的80HV增加到接近100HV。细化并热处理后,抗拉强度由原来的300MPa增加到接近370MPa,延伸率由原来的4.5%可增加到5%以上。该项目中的相关内容已申报发明专利,申请号为20130644087.1,专利正在受理过程中。四、 市场前景铝合金资源丰富,且具有良好的综合性能,所以应用非常广泛,向熔融铝合金中加入中间合金来细化铝合金的晶粒可以进一步提高合金的性能。随着铝合金应用的进一步广泛,对铝合金性能的要求也越来越高,该项目所涉及的内容在细化铝合金内部组织,获得性能更优异铝合金具有非常突出的效果。该项目中的新型细化剂,在低压铸造铝合金车轮的生产过程中将会有很好的市场前景,其对铝合金车轮性能的提高能够满足更高的使用要求,随着技术的不断成熟,该新型细化剂很可能取代现在已有的应用成熟的铝合金细化剂。五、 规模与投资需求六、 生产设备TECNO 90工业熔炼炉、快速凝固设备等生产设备及万能拉伸试验机、金属分析仪、金相显微镜等检测观察设备。七、 效益分析由于该项技术属本领域的新技术,较已有的技术相比有突出的优势,按每年生产1000吨计算,可获利约2000万。八、 合作方式面谈。九、 项目具体联系人及联系方式项目负责人:赵维民,电话:13370316780,  邮箱:wmzhao@hebut.edu.cn 。十、 附件:成果图片 A356.2铝合金细化前后的金相组织
河北工业大学 2021-04-11
一种Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制备方法
一种Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制备方法。其技术方案是:将60——85wt%的α-Al2O3、5——15wt%的碳源和10——30wt%的单质硅混合,制得混合料。将100份质量的所述混合料、0.5——2份质量的木质素磺酸铵和0.1——0.6份质量的聚羧酸盐混合,再与20——30份或30——40份质量的水一起搅拌,制得浆体Ⅰ或浆体Ⅱ。将聚氨酯海绵浸入到浆体Ⅰ中,浸渍后挤压或甩浆,干燥,得到预处理的泡沫陶瓷坯体;再用浆体Ⅱ进行喷涂,干燥,得到泡沫陶瓷坯体。将所述泡沫陶瓷坯体置入高温炉内,于埋炭气氛下,依次以1.5——2.5℃/min、0.5——1℃/min和2.5——3.5℃/min的速率升温至1300——1500℃,保温2.5——3.5h,即得Al2O3-SiC泡沫陶瓷。本发明制备的制品强度高、抗氧化性能好和抗热震性能优良。 (注:本项目发布于2015年)
武汉科技大学 2021-01-12
激光 3DLP 高亮工程投影机AL-GU22K
重磅实力,精湛高亮G系列,激光 3DLP 高亮工程投影机。
深圳光峰科技股份有限公司 2022-09-19
一种Si3N4/SiCw复相结合SiC耐火材料及其制备方法
小试阶段/n本发明涉及一种Si3N4/SiCW复相结合SiC耐火材料及其制备方法。其技术方案是:以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的单质硅和2~15wt%的碳为原料,外加所述原料3~7wt%的改性结合剂,搅拌均匀,机压成型,成型后的坯体在220℃条件下干燥8~48小时;干燥后的坯体在氮气气氛中烧成,随炉自然冷却至室温,即得Si3N4/SiCW复相结合SiC耐火材料。所述烧成的温度制度是:先升温至890~920℃,保温1~3小时;再升温至1180~1350℃,保温4~10小时;然后升温至在1
武汉科技大学 2021-01-12
一种β-Sialon/Al2O3复合粉体及其制备方法
小试阶段/nβ-Sialon材料常用的工业合成方法是以高纯的Si3N4、Al2O3、AlN和SiO2位原料通过高温固相法合成,但由于该方法中原料价格昂贵导致过高的生产成本,进而限制β-Sialon材料的广泛使用。目前合成β-Sialon材料的温度较高和产品中杂质较多。本专利旨在克服以上技术缺陷,目的是提供一种合成温度低、工艺简单和产品纯度高的β-Sialon/Al2O3复合粉体的制备方法。本专利技术采用工业上易得的氧化铝粉、硅粉和铝粉为原料,通过一定的混合处理后,在1100-1300℃温度下即可得到
武汉科技大学 2021-01-12
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心,与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位,目前,由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进,对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求,过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前,铜合金框架已成为主体,形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前,由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距,我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前,本课题组通过一系列研究,开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金,并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb:650~750MPa; 2.延伸率>8%; 3.导电率:45~60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb:450~600MPa; 2.延伸率>7%; 3.导电率:60~80%IACS。
上海理工大学 2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心,与国防和国民经济现代化,乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成,其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路,是芯片的散热通道,又是连结电路板的桥梁,因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位,目前,由于集成电路向高密度,高集成化方向发展,芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进,对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求,过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料,利用铜合金优良的传热性能,加入少量强化元素,通过固溶强化和弥散强化提高其强度,同时仅稍微损失导热性能。目前,铜合金框架已成为主体,形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前,由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距,我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前,本课题组通过一系列研究,开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金,并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学 2021-04-13
一种 Al2O3-TiN 多孔陶瓷材料及其制备方法
传统的Al2O3-TiN复合材料制备设备及工艺复杂,生产效率低下,成本高,不利于 复合材料的推广应用。本发明将两种粒径不同的Al2O3粗细颗粒作为骨料,α-Al2O3、 TiO2、Al粉作为细粉按比例混合模压,采用流动氮气气氛下常压原位反应烧结。在合理 的升温速率、合理的烧结温度以及保温时间下制备Al2O3-TiN多孔陶瓷材料。用金属作 结合剂取代传统烧结结合,可以降低制品的烧结温度,烧结后制品中的金属与原料中的 物质原位反应形成难熔化合物。
青岛农业大学 2021-04-11
一种 Al2O3-TiN 多孔陶瓷材料及其制备方法
传统的Al2O3-TiN复合材料制备设备及工艺复杂,生产效率低下,成本高,不利于复合材料的推广应用。本发明将两种粒径不同的Al2O3粗细颗粒作为骨料,α-Al2O3、TiO2、Al粉作为细粉按比例混合模压,采用流动氮气气氛下常压原位反应烧结。在合理的升温速率、合理的烧结温度以及保温时间下制备Al2O3-TiN多孔陶瓷材料。用金属作结合剂取代传统烧结结合,可以降低制品的烧结温度,烧结后制品中的金属与原料中的物质原位反应形成难熔化合物。
青岛农业大学 2021-05-07
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