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一体式柔性承插口钢塑复合管
产品概述：
一体式柔性承插口钢塑复合管具有机械、防腐性能优越、寿命长等优点，独特的三层结构**的将环氧树脂的防腐性能与外层聚乙烯的防护性相结合，防腐层厚度可达3mm以上，有效的避免运输、安装、使用过程中防腐层破损，从而降低管材的使用寿命。此防腐工艺已经在输油、气、大型水利项目中大面积推广应用，实践证明此防腐工艺是长输管线**的防腐形式，使用寿命可达50年以上。
性能优势：
防腐性能较好,外层采用3PE防腐，寿命达到50年，是目前国际公认的先进管道外防腐方式。
母材性能增强,产品扩口时采用1000°高温加工处理，相较冷加工不但不破坏母材，更增强母材性能。
尺寸精度高，密封性好,同时对公母口进行定径，公母口椭圆度控制在1mm之内，密封面粗糙度控制在12.5以下，保证密封性能。
安装方便,承插口钢管连接对接速度快，具有安装方便、施工成本较低，开挖土方量少，节省空间。
检测方便,采用双密封结构，在双密封之间设有检测孔。每个接头安装后可立即进行检测。检测用水100ml以下，也可使用压缩空气进行检测。
外3PE内环氧技术,3PE防腐承插口扩口技术（外3PE内环氧）经过长期的应用检验，已证实是目前先进的防腐结构。其外层结合了缠绕HDPE和熔结环氧粉末的优点。实现了防腐性能、力学性能的良好结合。
应用领域:
在石油、化工、市政给水、建筑、运输、通讯电力、印染、农业灌溉、冷藏等管道行业得到了广泛应用。
山东金诚联创管业股份有限公司
2021-08-27
PZT-43 PZT-52 Φ36×Φ32×40压电陶瓷管
淄博宇海电子陶瓷有限公司
2021-08-30
非接触法波纹管收缩膨胀测定仪
执行标准:GB/T 50082-2009
本品适用于早龄期混凝土或者砂浆在波纹管中的收缩及膨胀变形的测试，也可用于无约束状态下混凝土或者砂浆的收缩膨胀变形的测定。产品配置高精度电涡流传感器，8寸嵌入式Linux工业平板电脑触摸屏操作，21点校准，测量精度＜2µm。6试件到12试件可选。
北京耐尔得智能科技有限公司
2023-03-17
多个药物及中间体的合成小试或放大工艺
项目简介： （1 ) 福多司坦大生产工艺技术： a 可&nb
西华大学
2021-04-14
牙保健模型（放大3倍，28颗牙）XM-KQ1
XM-KQ1口腔牙齿护理模型（放大2倍，28颗牙）
功能特点：
■ XM-KQ1牙保健模型放大2倍，共28颗牙，采用PVC材料制成，造型逼真。
■ 解剖结构精确，包括腭、牙龈、上牙弓、下牙弓、舌、上颚、下颚。
■ 可进行刷牙、口腔清洁保健的演示操作。
■ 模型尺寸：8×9×8cm。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
神经元模型神经元放大模型XM-618
XM-618神经元放大模型
XM-618神经元放大模型可拆分为2部件，置于基板上，显示神经元、突触、有髓及无髓神经纤维立体超微结构。
尺寸：放大，30×42×12cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
脊髓横断模型第五颈椎附脊髓和脊神经放大模型
XM-620脊髓横断模型
（第五颈椎附脊髓和脊神经放大模型）
XM-620脊髓横断模型（第五颈椎附脊髓和脊神经放大模型）显示第五颈椎、椎动脉、椎静脉与脊髓的横切面以及脊神经组成、硬脊膜、蛛网膜下隙等结构。
尺寸：放大，28×25×9cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
脊髓横断模型第五颈椎附脊髓和脊神经放大模
XM-620脊髓横断模型
（第五颈椎附脊髓和脊神经放大模型）
XM-620脊髓横断模型（第五颈椎附脊髓和脊神经放大模型）显示第五颈椎、椎动脉、椎静脉与脊髓的横切面以及脊神经组成、硬脊膜、蛛网膜下隙等结构。
尺寸：放大，28×25×9cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-429眼球与眼眶附血管神经放大模型
XM-429眼球与眼眶附血管神经放大模型
XM-429眼球与眼眶附血管神经放大模型可拆分为10部件，由眼眶、眼球壁、巩膜、脉络膜和视网膜、玻璃体、眼球外肌以及眼眶壁和鼻甲等组成，显示眼（包括眼球壁和内容物）、眼副器（包括眼睑、结膜、泪器和眼球外肌）以及眼的血管和神经等结构。
尺寸：放大，28×32×41.5cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10