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晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
石彬
石彬，男，汉族，1982年7出生，山东东营人，毕业于中国石油大学（华东）电气工程及其自动化专业，2012年6月获项目管理领域硕士学位，专利代理人、技术经纪人、创业咨询师，中国地球物理学会国家级高级研修项目计划特聘讲师，现任学校技术转移中心主任，中国高等教育学会科技服务专家指导委员会委员。
长期致力于高校科技成果转化及技术转移、知识产权保护、产学研对接、技术创新等工作，主要研究方向为科技成果转化、知识产权运用与保护等。先后主讲《大学生创新与创业》、《大学生职业生涯规划》、《专利知识论述》、《专利撰写实务》等课程。
石彬
2023-03-31
单晶机器人
该研究在微纳尺度下对单晶智能材料（二氧化钒）进行相畴结构的工程化有序调控，是目前为止最为简化的驱动器件结构设计。这一成果也使得高性能、高稳定性的微纳单晶机器人成为可能。
南方科技大学
2021-04-14
石丽洁
石丽洁
所在学科：凝聚态物理
职称：副教授
科研方向：
二维材料电子性质调控
稀磁半导体和半金属的铁磁性产生机制的研究； 半导体掺杂机制的研究；
稀磁半导体光学性质的研究
石丽洁
2021-12-31
大尺寸蓝宝石单晶
蓝宝石单晶作为一种优良的透波材料，在紫外、可见光、红外波段、微波都具有良好的透波率，可以满足多模式复合制导（如电视等）的要求；同时蓝宝石单晶具有优良的机械性能、化学稳定性和耐高温性能高，强度高、硬度大、可在2000℃的恶劣环境下工作。由于蓝宝石电绝缘、透明、易导热、硬度高，在民用领域得到广泛应用，作为集成电路的衬底材料，替代了高价氮化硅衬底而被广泛用于超高速微电子电路；是发光二极管（LED）衬底的首选材料，采用蓝宝石衬底材料制成的发光二极管，其光源无灯丝、工作电压低，使用寿命可达5万到10万小时，
哈尔滨工业大学
2021-04-14
华石1号杨、华石2号杨
中试阶段/n该项目“华石1号杨” 与“华石2号杨”均为高大乔木，干形通直圆满，尖削度小，分枝粗度中等，枝成层性明显，侧枝较细，分枝匀称。在湖北省一般3月下旬萌芽，4月上旬展叶，落叶期为11月中旬至下旬。9年生“华石1号杨”的平均树高24.55 m～26.93 m，胸径26.63 cm～27.98 cm，单株材积0.5024m3～0.6142 m3，冠幅6.0 m×6.8 m，枝下高7.10 m，具有优良的速生性、抗逆性和适应性强等特点。胸径年均生长量3.0 cm～4.0 cm，树高年均生长量3.0
华中农业大学
2021-01-12
单晶LaB6空心阴极
北京工业大学
2021-04-14
超大尺寸单晶铜箔库制备
在超大尺寸单晶金属箔库的制备领域再次取得重要进展，研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。 发现氧化物衬底释放的游离氧可以把石墨烯单晶畴的生长速率提高150倍（Nature Nanotech
南方科技大学
2021-04-14
FEP薄膜
产品详细介绍
南京瑞尼克科技开发有限公司
2021-08-23
殡化铅单晶体生长技术
项目简介： 殡化铅 ( PbI2) 是制作室温半导体核辐射探测器的材料之一。山于提纯困难、化学配比难于控制等原因，使得该材料没有得到应用。我们研究出了一种生长碟化铅等静压的新方法，以 分析纯的殡化铅多晶为原料， 可生长出接近理想化学配比、直径 15mm、长度 300
西华大学
2021-04-14