（专利号：ZL 201410632565.1） 简介：本发明公开了一种蒙脱石基金属镍纳米片催化剂及其制备方法和应用，属于化工技术领域。该催化剂载体为蒙脱石，活性组分为金属镍，镍质量为催化剂总质量的5-30wt％，其制备方法是：将蒙脱石与镍盐、尿素和水充分搅拌混合，通过超声辅助分散得到完全剥离为单层蒙脱石纳米片的水溶液，用化学液相沉积-沉淀法在分散于水溶液中的单层蒙脱石纳米片表面引入分布均一的镍物种，经高温还原制得蒙脱石基金属镍纳米片催化剂。本发明蒙脱石基金属镍纳米片催化剂对芳烃化合物加氢反应具有很高的催化活性，同时该催化剂制备方法简单、成本低廉，很适合于工业化生产。  

  仪器概述 本仪器是根据中华人民共和国国家标准GB/T-17040 2008《石油和石油产品硫含量的测定能量色散X射线荧光光谱法》的相关要求设计制造；广泛运用于测试原油、重油、柴油、煤油、汽油、石脑油等油品中的总硫质量百分比含量，测量固体粉末样品中硫含量（如阳极炭块、石油焦、改质沥青等碳素类材料），测量润滑油、石油添加剂中总硫或硫化物含量，测量煤化工产品,例如初级苯中总硫含量，测量其它液体中总硫或硫化物含量的测量；本仪器科技含量高，机电一体微机化设计,检测品种广,检测量程宽,分析速度快,标准样品耗量少。操作简单，且价格仅为进口仪器的几分之一，是科院院所，质检单位，原油、石油化工生产过程中硫含量的检测必备仪器。 技术参数 1、测硫范围: 80ppm～5%; 2、精密度: a重复性(r):＜0.02894（X+0.1691)；b再现性(R):＜0.1215（X+0.05555）； 3、样品量: 2～3ml(相当样品深度3mm～4mm)； 4、测量时间: 60、120、240、300、600秒,任意设定； 5、单样品自动测量,测量次数: 2、3、5、10、50次任意设定,测量结束给出平均值和标准偏差； 6、校正曲线数:仪器可存储9条标定曲线,5条为一元一次直线,4条为二项式抛物线； 7、工作条件: 温度:5～35℃；相对湿度:≤85%（30℃）； 8、电源:AC220V±20V、50Hz或 DC 12V额定功率:30W； 9、外形尺寸：378*232*158mm;重量:7kg 性能特点 1、仪器机电一体微机化设计小巧,可作台式,也可野外便携。交220V或直流12V两用。 2、样品台定位精确，大屏幕液晶显示,操作人机对话,简洁美观； 3、检测品种广,检测量程宽,分析速度快,标准样品耗量少，样品可重复使用； 4、采用荧光强度比率分析方法, 温度、气压自动修正,碳氢比(C/H)亦可修正； 5、采用一次性样品杯,可避免交叉污染，样品直接倒在一次性杯子里进行检测； 6、检测时间快，一个样品的分析时间是2min～4min 7、仪器数据存储量大,含量分析结果和标定工作曲线参数随时可查； 8、采用热敏打印机,更换打印纸简单便捷,也省去了打印色带耗材； 网址链接 http://www.csscyq.com/proshow.asp?id=763

研究团队发展了独特的液态金属旋涂工艺，制成了金属钠薄膜，首次揭示了金属钠膜的优异光波段等离激元特性。

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本项目针对目前国内挠性印制线路板及材料在生产及应用中存在的问题，在研究团队前期开发的高模 低缩聚酰亚胺薄膜配方体系的基础上，从市场需求及产业化的角度，优选具有显著分子间相互作用力的体 系，开展聚合物前驱体聚酰胺酸胶液的实验室小试、中试及产业化规模制备、胶液流延和薄膜制备过程中 的关键技术研究，获得一套稳定可靠的产业化工艺参数，制备具有自主知识产权的新型高模低缩聚酰亚胺 薄膜产品，打破该产品国外垄断的局面。

本发明属于半导体纳米复合材料的制备技术领域，涉及一种利用二元前驱体合成石墨烯复合薄膜的制备方法。该发明采用简单的两步合成路线，通过在水热法中合成两元前驱体，然后经过高温处理使四氧化三铁纳米颗粒均匀的分散在石墨烯纳米薄膜的表面。相对于其他合成方法，此方法制备的石墨烯复合薄膜具有伸展更充分，Fe3O4纳米粒子粒径更均匀，分布范围窄等优点。借助本发明提供的方法，制备出的石墨烯纳米复合薄膜可作为锂离子电池的负极材料，显示了较高的电容量和循环稳定性。通过本发明提供的无机半导体和石墨烯复合纳米材料制备方法，可制备多种不同种类的复合材料，制备出的复合材料在锂离子电池，无机太阳能电池，药物的靶向缓释与治疗等方向具有实际的应用前景。

本发明属于薄膜太阳能电池制备领域，具体公开了一种硒化锑 薄膜太阳能电池的背表面处理方法，该方法是使用含有二硫化碳的液 体接触处理硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的表面，并以经处 理后的硒化锑薄膜层的表面作为硒化锑薄膜太阳能电池的背表面。本 发明通过对硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的背表面进行处理 改进，有效降低了硒化锑薄膜太阳能电池的背接触势垒，达到了提高 器件的填充因子的效果，进而提高了硒化锑薄膜太阳能电池的

本发明公开了一种无空穴传输材料钙钛矿薄膜异质结电池的制备方法。该方法在传统的 PbI2 前驱体 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶剂中的溶解性，以免在旋涂时形成不均匀的晶核，影响钙钛矿 生长的均匀性。在空气中 100℃烧结 5 分钟后，往钙钛矿层上刮涂上一种含有 CH3NH3I 的碳浆，在空气 中 100℃烘干，再次刮涂上一层不含 CH3NH3I 的碳浆以降低器件电阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均匀滴在碳电极上

本发明属于光电子技术领域，更具体地，涉及一种低粗糙度低 方阻的柔性透明导电复合薄膜，该薄膜为三层复合结构，最底层为透 明聚合物薄膜，中间层为金属纳米线构成的导电网络，最顶层为均匀 覆盖在所述透明聚合物薄膜与导电网络上的透明导电层，该柔性透明 导电复合薄膜的平均粗糙度小于 20 纳米，方阻低于 30 欧姆/平方米， 可见光范围内保持高于 80％的透光率，该透明导电薄膜能够承受曲率 半径 2 毫米的弯折。本发明还公开了该

一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法，属于半导体材料 与器件制备领域，解决现有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁带宽度和能带位置 固定的问题，以实现禁带宽度和能带位置的连续可调，得到禁带宽度 和能带位置更加合适的无机半导体材料。本发明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作为蒸发源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作为蒸发源，通过近空间升华法在衬底