本实用新型公开了一种基于单边虚拟电感的电容耦合式非接触电导测量装置，由交流激励源、激励电极、绝缘测量管道、检测电极、单边虚拟电感、电流电压转换电路、信号处理模块依次相连。单边虚拟电感输出端通过电流电压转换电路中的运放虚地。本实用新型利用单边虚拟电感代替实际电感，利用串联谐振原理，用单边虚拟电感的感抗消除传感器中耦合电容的容抗对测量的不利影响。相较浮置虚拟电感，单边虚拟电感虚地，结构紧凑，稳定性高；相较实际电感，单边虚拟电感体积小易集成，电感值可调，降低了对激励源的要求。本实用新型通过测量检测通路的输出电流，经计算得到待测流体等效电导值，为实现非接触测量绝缘管道内部导电流体的电导提供了一种有效方法。

本发明公开了一种基于近景摄影测量技术的半孔率统计方法，采用近景摄影技术对爆后台阶预裂面 和光爆面进行快速非接触测量，获取预裂面和光爆面空间三维信息，建立台阶面三维 DEM 模型。通过 影像识别技术，划分预裂孔和光爆孔的孔痕，并根据孔痕在预裂面和光爆面上的不平整度来划分每一个 炮孔半孔的长度。统计所有炮孔的半孔信息，计算得出评价此次爆破效果的半孔率。优点是：本发明可 以极大地提高半孔率的统计精度，减小统计误差，降低作业成本；采用数字近景摄影测量技术，可以获 取更加完整的预裂面和光爆面信息，有利于爆区信息的存储，同时也可以提高预裂和光爆效果评价的可 靠度

本实用新型提供核电站安全壳内衬钢板缺陷测量装置，其特征在于：包括支架、导轨、滑块、中心 控制单元、位移传感器和测距仪，导轨安装在支架上，滑块卡在导轨上，位移传感器和测距仪设置在滑 块上，位移传感器和测距仪分别连接中心控制单元。本实用新型提出的核电站安全壳内衬钢板缺陷测量 装置，在体积和重量上比原有的工具减轻了很多，而且使用所得测量结果精度高，数据量丰富，操作简 单，数据录入迅速，结果直观，有效提高了测量的效率以及精度。 

您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 磁光克尔效应测量系统 磁光克尔效应装置是一种基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计，是研究磁性薄膜、磁性微结构的理想测量工具。旋转磁光克尔效应（RotMOKE）是在磁光克尔效应测量基础上的一种类似于转矩测量各向异性的实验方法，可以定量的得到样品的磁各向异性的值。但由于电磁铁磁场大小的限制，只适合于测量磁各向异性的易轴在膜面内而且矫顽场不太大的磁性薄膜材料。结合源表可以进行样品的磁输运性能测量。RotMOKE具有以下特点：测量精度高、测量时间短；非接触式测量，是一种无损测量；测量范围为一个点，可以测量同一样品不同部位的磁化情况；可以产生平滑、稳定的受控磁场，并且磁场平滑过零。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 技术参数： 1·光学平台：    刚性隔震，不锈钢贴面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm阵距，150mm台板厚度，带脚轮。台面平整度0.1/1000mm，平台载荷300Kg，固有频率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。 2·矢量电磁铁： 锦正茂二维矢量电磁铁，每维大磁场0.26T，极面直径30mm，磁场间隙40mm，中心10mm正方体内均匀区1%。 3·电磁铁电源： 锦正茂单相双极性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，稳定性50ppm/h，对应小分辨率0.1Gauss。 4·激光器： Newport    632.8nm，2mW，2%稳定度，噪音<1% rms（30Hz~10MHz），通过聚焦透镜光斑小为10μm的圆。 5·起偏/检偏器：格兰-汤普森棱镜，外径25.4mm，通光孔径10mm，消光比<5*10^-5，角度范围14~16°，波长范围350~2300nm。 6·聚焦透镜：K9双凸，设计波长633nm，外径25.4mm，焦距150mm，焦距误差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。 7·四分之一波片：Ø25.4mm，波长632.8nm，投射波前畸变λ/8，相位延迟精度λ/100。 8·光电传感器：15mm²感应面积，0.21A/W响应度，暗电流1nA，对430~900nm波长光敏感，分流电阻200Mohm。 9·电流放大器：1pA/V大增益，1MHz带宽，大输入±5mA，大输出±5V，增益精度为输出的±0.05% 10·高精度电压表：六位半，小分辨率0.1μV，90天准确度达到0.002%，四位半精度下快2000 readings/second 11·手动位移和电动旋转样品杆：   XYZ三维位移，XY行程25mm，Z行程13mm，转动360度，样品座为直径11mm的圆，上有电接头。 12·计算机：联想商用，集成多串口卡。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！  

本发明属于白光干涉测厚领域，并公开了共焦白光偏振干涉的 多层透明介质厚度测量装置和方法。包括被测物、第三透镜、第二透 镜、第二小孔构成共焦结构，平行白光经第二棱镜后，一束作为测量 光束经第三透镜汇聚到被测表面，另一束作为参考光束经过多次反射 后与从被测表面反射回来的测量光束发生干涉，在第二棱镜和第二透 镜之间设置提高干涉条纹的对比度的可旋转偏振片，实现在第一图像 传感器上形成高对比度干涉条纹。本发明还公开了利用上述装置进行 测量的方法。

III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统建立并完善了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库，使之成为当前国际上数据资源相对丰富、可靠程度高的专业型数据库。在此基础上，应用该计算机辅助分析系统，可采用统一的成分空间表达方式，将覆盖四元半导体整个成分空间的光电性能（能量间隙或波长）、与相应衬底匹配的成分条件、以及各种温度下发生溶解间隙的成分范围，投影于一平面，构成III-V族半导体体系综合优化图，用以对金属有机物气相外延工艺进行辅助分析、确定满足优质半导体生长的成分空间、预测外延层半导体的成分等。同时，该系统还发展了非平衡过程分析研究方法：亚稳平衡处理、条件平衡处理和不可逆过程分析处理等，这些方法有助于III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺过程的热力学分析。 该项目面向光电子材料和器件的研制与生产 III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统，目前主要是作为应用研究，服务于有关光电子材料和器件的研制与生产过程中工艺条件的辅助设计，以促进III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺逐步从经验设计迈向科学设计，在相关领域的高技术产业化方面起积极作用。 Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库；瑞典皇家工学院Thermo-Calc相平衡热力学计算软件。

（专利号：ZL 201510119901.7） 简介：本发明公开了一种抗粘结自流焦炉荒煤气余热回收换热单元的施工方法，属于炼焦工艺过程荒煤气余热回收利用技术领域。其步骤为：单排组件的焊接；单排组件的清底；气雾喷涂不粘涂层；换热单元的焊接，多个单排组件以相同间距排列并焊接固定在一起组成一个长方体结构的换热单元本体，所有的上换热工质输送管上端口分别焊接连通在蒸汽排出管上，所有的下换热工质输送管下端口分别焊接连通在冷却水入口管上，换热单元本体在装配时，换热单元本体下侧的绝热板所在平面与水平面的夹角为15～45度。本发明采用首先焊接单排组件，然后喷涂不粘涂层的施工形式，不仅易于不粘涂层充分均匀的喷涂，且避免了不粘涂层在焊接时遭到高温及机械破坏。

本研究成果是西安科技大学岩土工程杨更社科研团队在连续 2 个国家自然科学基金资助下取得的成果积累。是岩土工程学科和工程地质、基础力学学科的交叉融合。主要特点是针对冻融环境条件下软岩体，研究软岩体的冻融损伤力学特性及损伤破坏机理，冻融损伤的水热迁移及水、热耦合模型与力学分析，对岩体损伤力学理论研究和岩体工程实际应用具有重要的意义。成果获陕西省科学技术进步二等奖，出版学术专著 2 部，发表学术论文 45 篇，其中 EI 收录 20 余篇。