本成果来自国家科技计划项目，现已结题，并获得国家发明专利授权（ZL201310022460.X），知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种开关变换器双缘脉冲频率调制V2C型控制方法，根据基准电压与输出电压经过误差补偿器后生成的控制电压Vc和电感电流与输出电压加权得到的信号的关系，结合预设的恒定导通时间或恒定关断时间，产生三段时间t1、t2和t3，每个周期依次采用t1、t2、t3组成的控制时序，控制开关变换器开关管的导通与关断。本成果具有负载、输入瞬态响应速度快，稳压精度高，稳定性能好，电磁噪声小，抗干扰能力强，且具有限流功能的优点。

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简单介绍： 学习记忆实验方法的基础是条件反射，各种各样的方法均由此衍化出而来，跳台法就是其中的一种较常用的方法，该方法的优点是简便易行，多通道大小鼠通用型跳台仪（Plus）一次可同时试验多只动物，即可观察**对记忆过程的影响，也可观察对学习的影响，有较高的敏感性，尤适合于初筛**。多通道大小鼠通用型跳台仪（Plus）具有液晶显示、设定方便、记数准确、形象直观、结构紧凑、维护方便、使用安全等特点适合科研和教学使用，是各种增智健脑、提高记忆、抗衰老**和保健品筛选、开发研制必不可少的工具。多通道大小鼠通用型跳台仪（Plus）用微电脑控制对动物下台行为有判断能力，可设定测试时间记录下台潜伏期和次数。 详情介绍： 技术指标1、*长自动记录时间：120分00秒2、*短自动记录时间：1秒3、*多记录实验数据：60组4、每室*大记录次数：999999次5、记录数据有：***、潜伏期、错误次数6、8通道独立开始和停止功能。7、计时**度：0.01秒8、时钟设定项目：年、月、日、时、分、秒9、通道设置：1~8通道任意设置10、刺激电流：8通道独立可条调，刺激范围0.1~5mA,步长0.111、输入电压：交流，200V-230V  50Hz12、消耗功率：30W13、工作环境温度：0-40℃14、带USB数据导出功能15、可连小鼠跳台箱（八室，每室110×110×160mm），或大鼠跳台箱（八室，每室200×200×290mm）

由于W和Cu两种材料的熔点相差较大，采用熔铸方法很难使两组元之间均匀熔化和熔合，传统的W-Cu复合材料制备方法主要采用粉末冶金制备技术：包括熔渗法、活化烧结法等。熔渗烧结时，液相Cu仅靠W骨架孔隙的毛细管作用渗入，铜凝固相不容易细小均匀；而高温烧结又会使W颗粒聚集长大，最终形成粗大不均匀的组织。活化烧结法通常是在W粉中加入少量Fe、Ni、Co等活化剂，但活化剂的加入会显著的降低W-Cu材料的电导率，同时活化烧结后钨坯的收缩变形较大，并且其烧结率随烧结温度的不同而变化，钨坯的密度不好控制，最终导致渗铜后W-Cu材料的化学成分偏差较大。这些组织的不致密与不均匀最终影响材料的关键性能如硬度、断裂强度、电导率、热导率等。 随着科学技术的发展，对高比重W-Cu合金的成分、结构形态，强度、致密性以及尺寸稳定性及变形能力等性能要求越来越高，急需制备技术的创新和发展。冷喷涂是近年发展起来的一种新型喷涂技术，由于喷涂温度较低，喷涂材料不易氧化，涂层能够保持原始设计成分；另外热影响小、热残余应力低，能够制备厚涂层及块体材料。 然而研究发现，采用两组元或多组元机械混合粉体喂料制备冷喷涂复合涂层时，如果不同组元之间颗粒材料的特性相差较大，则它们的沉积行为及沉积难易程度就会各不相同，最终导致涂层中软质相含量较高、硬质相含量偏低，使涂层偏离设计成分；即使通过提高混合粉体中硬质相的相对含量也很难从根本上解决上述问题。本发明提供了一种以铜包钨粉末为原料用冷喷涂技术制备钨、铜复合材料的新方法。制备的复合材料沉积体无氧化，保持了与粉体喂料相同的组织结构；W和Cu两相分布均匀，无偏聚，孔隙率低；硬质相钨含量比采用混合粉制备的涂层大幅度提高；而且还可以通过后续致密化处理使材料进一步致密化。 已申请专利：“一种制备高钨含量、均匀致密W-Cu复合材料的方法”，中国发明专利申请号：201110329570.1.，专利申请时间：2011.10.26，专利公开日：2012.02.29

一种含钒无磁 Ti(C,N)基金属陶瓷及其制备方法，属于金属陶瓷 及制备方法。含钒无磁 Ti(C,N)基金属陶瓷包括硬质相和粘结相，原料 为粉末状，其组分重量百分比为：TiC：42.11％～53.48％，TiN：7.91％～ 9.99％，Ni：27.78％～32.82％，Mo：9.30％～15.16％，VC：0.50％～ 1.99％，经混料、湿磨、干燥、模压成型、脱脂、真空烧结制备而成。 其制备方法顺序包括混料、湿磨、干燥、模压成

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