本发明公开了一种基于波矢测量的红外成像探测芯片，包括面阵红外折射微透镜、面阵非制冷红外探测器和驱控预处理模块；其中，面阵非制冷红外探测器位于所述面阵红外折射微透镜的焦面处，被划分成多个阵列分布的子面阵非制冷红外探测器，每个子面阵非制冷红外探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏元；面阵红外折射微透镜包括多个阵列分布的单元红外折射微透镜，每单元红外折射微透镜与一个子面阵非制冷红外探测器对应。本发明的红外成像

本发明公开了一种可寻址测量局域波前的成像探测芯片，包括可寻址加电液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块；液晶微光学结构被划分成可独立施加电驱控信号的多个液晶微光学块，各液晶微光学块具有相同的面形和结构尺寸，被加电液晶微光学块为液晶微透镜阵列块，其余未加电液晶微光学块为液晶相移板块；被液晶微光学块化的液晶微光学结构将与其对应的面阵可见光探测器划分成同等面形和规模的面阵可见光探测器块，并且各面阵可见光探

清华大学电子工程系黄翊东教授团队崔开宇副教授带领学生在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片，相比已有光谱检测技术实现了从单点光谱仪到超光谱成像芯片的跨越。

发展了高性能、低功耗碳基CMOS集成电路技术，性能和功耗全面超越现有技术，有望成为未来主流信息器件。发表了包括两篇Science在内的SCI论文150余篇；相关成果两获国家自然科学二等奖以及其他重要奖励，多次被NatureIndex等专题报道。

本发明公开了一种液晶基多眼套叠仿生成像探测芯片，包括多眼套叠成像探测架构，其包括同轴顺序设置的驱控与图像预处理模块、面阵可见光探测器以及面阵电控液晶聚光微透镜，面阵电控液晶聚光微透镜包括 m×m 个单元微透镜，其中 m 均为正整数，面阵可见光探测器被划分为 m×m 个子面阵可见光探测器，每个子面阵可见光探测器包括 m×m 个光敏元，面阵电控液晶聚光微透镜用于接收目标光波，并将该目标光波离散分割到面阵可见光探测器中不同

本发明公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器，其中，单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩，通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值，调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力，进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面，从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层，执行成像视场在深度

本发明公开了一种液晶基电调空间分辨率全色成像探测芯片，包括陶瓷外壳、金属支撑和散热板、驱控和图像预处理模块、面阵全色成像探测器、以及面阵电控液晶微透镜，驱控和图像预处理模块、面阵全色成像探测器、以及面阵电控液晶微透镜设置于陶瓷外壳内，陶瓷外壳后部固定设置于金属支撑和散热板顶部，驱控和图像预处理模块固定设置于陶瓷外壳后部与金属支撑和散热板连接处，面阵全色成像探测器平行设置于驱控和图像预处理模块顶部，面阵电控液晶微

本发明公开了一种液晶基单眼复眼一体化成像探测芯片，包括陶瓷外壳、金属支撑和散热板、以及单眼复眼一体化成像探测架构，陶瓷外壳后部固置于金属支撑和散热板顶部，单眼复眼一体化成像探测架构设置于陶瓷外壳内，并包括同轴顺序设置的驱控与图像预处理模块、面阵可见光探测器以及面阵电控液晶成像微透镜，面阵电控液晶成像微透镜用于从陶瓷外壳顶部开口接收可见光，并将该可见光聚焦到面阵可见光探测器，驱控与图像预处理模块通过通讯与控制信号

紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。先进光谱仪器是集光、机、电和计算机于一体，技术密集的高科技产品。它是现代科技必不可少的精密检测和分析手段，是现代天文学、航空航天、分子生物学、现代医学、环境和生态等新科技建立和发展的基础。国家对发展先进光谱仪器和研制光谱仪器用的探测器件非常重视，“十一五”国家科技支撑计划专门设立了科学仪器设备研制与开发专项“先进大型光谱仪器的关键部件——高分辨分光器件和探测器件的研制”，技术人有幸成为承担该课题的主要研究人员，负责高分辨探测器件的研制工作。 硅基成像器件如CCD和CMOS是最广泛应用的光电探测器，而且先进的光谱仪器都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD和CMOS具有灵敏度高、低噪声等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），一般的硅基成像器件如CCD、CMOS等都在紫外波段响应很弱，这种很弱的紫外响应限制了硅基成像器件在先进光谱仪器及其他紫外波段探测方面的使用。 因此，本技术的研究成果硅基成像器件的紫外响应增强薄膜是经济建设和社会发展迫切需要。 增强硅基成像器件的紫外响应，目前有两种方法：一是改变硅基探测器的结构，如背照式CCD；另外一种是在现有的成像器件光敏窗口加镀一层下变频膜，把紫外光先转化为可见光，然后再接收。国外自1980年起就开始增强硅基探测器紫外响应的下变频薄膜研究，按使用材料的属性，可以把变频膜分为有机变频膜和无机变频膜两种。有机变频膜技术相对成熟，也有相关的专利出现。哈勃太空望远镜CCD、星球相机（WFPC）CCD和Photometrics等公司提供的响应波段延伸到紫外的CCD都是镀的有机变频膜。目前紫外增强有机变频膜可使普通CCD的响应波段延伸到200nm，Roper Scientific公司开发的Metachrome II薄膜在120-430nm波段都具有良好的下变频效果。有机变频膜技术尽管成熟，但该类薄膜有着致命的缺点，那就是有机物分子在紫外辐射下降解速度很快。在照明度为1μW/cm2的光照下，有机分子以高达每小时3%的速率成指数降解。在这一方面，而无机变频膜具有不可比拟的优点。无机变频膜材料可以在它使用期限的前2%时间里，减少90%的降解量，因此，无机变频膜具有非常优越的稳定性。在无机变频膜方面，国外研究也刚起步，最早的报道见于2003年[1]，目前尚无成熟的增强硅基成像器件的紫外无机变频膜技术。国内在有机和无机变频膜方面，都没有已见报道的研究工作。  为了提高探测器对紫外辐射的敏感性，我们采取了在硅基成像器件光敏窗口上镀变频膜的办法，成功地使CCD及CMOS的响应波段拓展到150nm。该产品可广泛应用在光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对推动国家的科研和产业在这些领域的发展有极大帮助。

已有样品/n高分辨率数字相机是机器视觉与工业检测中影像获取的主要手段。 随着成像技术的发展， CMOS成像技术由于其高分辨率、 低成本、 全数字化等优点， 获得越来越广泛的应用。 采用高性能CMOS探测器及FPGA等技术研制的高分辨率CMOS数字相机，能广泛应用于工业检测、 交通、 大楼等监视系统中。