实验原理   金属中存在大量的自由电子，但电子在金属内部所具有的能量低于在外部所具有的能量，因而电子逸出金属时需要给电子提供一定的能量，这份能量称为电子逸出功。研究电子逸出是一项很有意义的工作，很多电子器件都与电子发射有关，因此研究这种材料的物理性质，对提高材料的性能是十分重要的。另外本实验还可以利用磁控法测量电子荷质比，研究真空中电子能量遵从费米-狄拉克分布。   仪器概述 本实验装置的核心部件是一只理想（真空）二极管和套在理想二极管外的通电螺线管线圈。本实验通过测量金属钨的电子逸出功，将钨丝作为“理想”二极管阴极材料，阳极做成与阴极共轴的圆柱，把阴极发射面限制在温度均匀的一定长度内而又可以近似的把电极看成是无限长的无边缘效应的理想状态。金属电子逸出功(功函数)的测定实验，综合性地应用了里查逊直线测定法、外延测量法、补偿测量法和磁控法等基本方法。在数据处理方面有比较好的技巧性训练。因此，这是一个比较有意义的实验。   仪器特点 独立的理想真空二极管座：理想真空二极管插在独立的管座之上，并且配有透明的亚克力保护罩，既可以直观的观察真空二极管的工作状态，还可以有效地保护玻璃器件。独立的管座上刻有清晰的实验原理图，可以使得学生更好的理解整个实验原理。   精确的阳极电流测量模块：阳极电流测量模块采用微安级电流放大器，采用四位半数显表，测量范围可达0.1uA~20mA，可以准确、精细、稳定地测量到微弱的阳极电流。 稳定的阳极电压输出模块：阳极电压输出采用线性电源，输出幅度达到0~160.0V，可以稳定、高效地提供真空二极管的阳极电压。 便捷的数据采集接口：每个实验电源都配置模拟数据采集接口，可以连接电压传感器和PASCO数据采集软件，可以实时地采集大量的数据来分析测试结果，方便、快捷、高效地完成实验内容。   实验内容及典型数据 实验一：金属电子逸出功的测定 表1：在不同阳极电压和灯丝温度下的阳极电流及其对数值，作　lgIa～√Ua 图，得到不同温度下的截距　lgI 填入表2。     表2: 在不同温度T时所算得的　lg( I / T2) 和　1/T　的值 根据表2作 lg( I / T2) ～1/T 图，求直线斜率 m 直线斜率：m = -22802 逸出电势: φ = 4.53 (V) 逸出功（功函数）eφ = 4.53 eV 与逸出功（功函数）公认值　eφ=4.54eV　相比的相对误差：Er = 0.33%   实验二：电子在径向电场和轴向磁场中的运动（磁控法测量电子荷质比）   实验三：费米-狄拉克分布的研究     实验四：理想真空二极管的伏安特性   部件清单 金属电子逸出功实验仪   BEM-5715    可调直流 (恒压恒流) 电源I，12V/1A   BEM-5055    理想真空二极管盒   BEM-5716    螺线管线圈   BC-105236    连接导线，2mm护套香蕉插头，红   BC-105238   【2】 连接导线，2mm护套香蕉插头，黑   BC-105239   【2】 连接导线，4mm香蕉插头，红   BC-105084    连接导线，4mm香蕉插头，黑   BC-105083    连接导线,4mm护套香蕉插头1m, 红   BC-105074    连接导线,4mm护套香蕉插头1m, 黑   BC-105073    电源线   BC-105075    用户手册   CD-M-BEX-8510B  

产品详细介绍 【发明专利】 一种双绞线端接测试实训装置，专利号：200910089129.3 一种双绞线端接故障演示装置，专利号：200920110601.2； 一种双绞线端接测试实训装置，专利号：200920110300.X； 一种综合布线实训装置，专利号：200920110299.0； 一种打线端子快换装置，专利号：201020188141.8 【外观设计专利】 多功能综合布线实训装置，专利号：201030165270.0   【功能简介】     多功能综合布线实训装置（实训仪）是用来进行综合布线工程实训类教学及学习的仪器，具备综合布线工程中基本技能实训和部分工程实训功能，同时能够检验综合布线系统工程中线缆端接与打线的连接情况，并以彩色图形的方式形象的展示双绞线线缆中常见的各种接线故障。   【仪器特点】 1.由双绞线打线实训、双绞线跳线制作实训、双绞线端接测试实训和双绞线端接故障演示实训等装置组成，物理上与实训室中心设备间（CD）用5E类双绞线相连。 2.能满足2-6人同时进行双绞线端接实训，双面操作； 3.可进行双绞线端接测试及故障演示实训，测试及演示的双绞线端接常见的故障现象包括开路、短路、交叉线对、反向线对和串对等。测试结果可以回放显示。 4.打线训练模组采用斜口专利技术、模块化设计，更换便，支持学生无限次重复压接线实训，无使用寿命限制。 5.实训操作机架可维护性强，各个训练功能和测试功能模组全部采用结构化设计，当其中一部分因磨损需要更换时可以采用最小化的方式，只需对单一模组进行更换，节约维护成本和教学成本。 【规格参数】 长0.6米，宽0.53米，高1.8米，开放式机架。配36U双面开放式机架1个，双绞线端接测试及故障演示装置GCT-MTP 1台，实训模组2套，24口网络配线架2个，理线环2个，双口地弹信息插座1个，地弹电源插座1个，零件盒1个。可供2-4名学生同时操作（双面操作，互不干涉）。    

产品详细介绍整套装置采用模块化设计，实验内容丰富，结构科学合理，用实验模块模拟了多种采用PLC控制的电气系统.适用在电气自动化、自动控制、机电一体化等专业的配套教学实验.既可以做教材章节后的例行实验，也可用于学期末的课程设计和毕业设计。(1)PLC主机：三菱FX2N-48MR。(2)模拟实验模块：利用开关、按钮、LED各色发光管、LED数码管、指示灯、接触器、继电器、蜂鸣器等电气元件构成，即可进行模拟实验指令训练，也可以带电机负载进行实训操作.可采用其他类型PLC主机进行控制。(3)编程工具：便携式编程器、个人电脑。(4)编程方式：指令表、梯形图、SFC语言。

本发明提供一种超高频RFID电子标签的读取方法及装置，包括：根据输出功率大于最大输出功率，获知根据频率增量增加工作频率，获得当前工作频率；在当前工作频率下，根据功率增量逐步从最小输出功率增加输出功率直至大于最大输出功率，每次增加输出功率前，读取与当前工作频率一致的目标标签。本发明通过动态调整工作频率与输出功率，遍历读取处于不同工作频率、位于不同距离的所有超高频RFID电子标签，大大提升了超高频RFID读写装置的应用范围。

（专利号：ZL 201510578249.5） 简介：本发明公开了一种Mg2Ni型三元Mg‑Ni‑Cu可逆储氢材料及其制备方法，属于储氢技术领域。该储氢材料成分范围为：Mg占合金原子百分比为66.7％，Ni+Cu占合金原子百分比为33.3％，Cu在Ni+Cu中的原子百分比为0～12％，原料的纯度均不低于99.5％。该储氢材料制备的关键在于首先制备高化学稳定性的Ni(Cu)固溶体粉末，然后将固溶体粉末和Mg粉按比例混合烧结得到高纯Mg2Ni型三元Mg20Ni10‑xCux(0<x≤1.2)可逆储氢合金。本发明涉及的材料具有高的储氢容量(3.5wt％以上)和良好的低温放氢动力学等特性，Cu替代贵金属Ni降低了材料的使用成本。本发明涉及的制备方法具有工艺温和、简单、易控，生产设备投资少，生产过程无污染，易于工业化大规模生产的显著优点。

用各种物理手段（电场、磁场、压力、掺杂等）创造新的物态或调控不同量子物态是凝聚态物理领域广受关注的研究前沿，并有巨大的应用前景。而超短脉冲激光的飞速发展使得光激发调控复杂量子材料的晶体结构和电子性质成为可能。层状过渡金属二硫化物MoTe2可以形成几种不同的晶体结构并具有不同的物理性质或拓扑能带结构，为调控或切换不同结构相变提供了可能性。最近量子材料科学中心王楠林课题组和合作者利用超快泵浦探测和时间分辨的二次谐波探测技术，研究了MoTe2中两个半金属相之间激光诱导的亚皮秒时间尺度的结构相变。 MoTe2是由MoTe6八面体结构单元构成的原子层沿c方向堆叠形成的二维材料系统，不同的堆叠方式具有不同晶体对称性。1T-MoTe2在室温时是单斜的1T’相，随着温度降低在250K时发生结构相变，转变成正交的T_d相，其中可以存在第二类外尔费米子。王楠林课题组通过实验发现高强度的近红外激光脉冲可以在亚皮秒时间尺度内将中心反演对称性破缺的T_d相驱动到具有中心反演对称的1T’相。该相变发生的最明显的特征是时间分辨的反射率变化中横向剪切振荡声子的消失和二次谐波强度的急剧下降。通过选择和改变激发脉冲的脉宽和波长，从实验上排除了激光加热效应。该项研究首次在超快亚皮秒尺度内实现了激光诱导的非加热效应引起的MoTe2晶体中第二类Weyl半金属相与正常半金属相的超快结构相变。它为超快激光控制固体的拓扑特性开辟了新的可能性，使超快激光激发的拓扑开关器件具有潜在的实际应用价值。 该工作于2019年5月22日在线发表于著名学术期刊Physical Review X（Phys. Rev. X 9, 021036 (2019)），第一作者为量子材料中心博士生张梦瑶，王楠林教授和其研究组的董涛博士是通讯作者，量子材料科学中心王健教授研究组为该工作提供了样品。该项研究得到国家自然科学基金委员会、国家重点研究开发项目等项目的支持。

该研究是评价吡咯替尼联合卡培他滨治疗HER2阳性乳腺癌脑转移疗效和安全性的首个前瞻性临床研究，也是首个根据乳腺癌脑转移既往是否接受过脑部局部放疗，分为两个独立队列进行的前瞻性临床研究，为乳腺癌脑转移患者的临床治疗带来了新的启示。

本发明公开了一种 SnS2/SnS 异质结薄膜太阳能电池的一次性制 备方法，该方法包括以下步骤：基片预处理，混合原料备用，真空获 得与基片加热，氩气等离子体清洗腔体和基片，等离子体增强化学气 相沉积法沉积异质结，真空退火冷却，制备 SnS2/SnS 异质结薄膜太阳 能电池，本方法中通过设置混合原料的比例，并设定反应源加热温度 数值 T 与反应沉积时间数值 t 的关系，就能在一次实验过程中先后沉 积出质量比较优异 SnS2 和 SnS 薄膜，从而直接一次性制备出太阳能电 池的核心部件 p-n 结，大大

过使用金属元素铼掺杂的方式，成功优化了样品的电学性能。团队发现，适量的铼元素掺杂能够调控Sb2Te3(GeTe)12的载流子浓度以提高其功率因子。同时，团队运用球差矫正透射电子显微镜清楚地捕捉到了样品中的二维缺陷以及锗析出物在掺杂前后的尺寸变化，大量文献表明，材料内部的这些缺陷会强烈的散射声子，进一步降低材料的晶格热导率。该工作使得Sb2Te3(GeTe)12基热电材料的总体热电性能得到大幅优化，在773 K温度下的热电优值达到了2.25，晶格热导