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原位热压烧结工艺制备致密ＺｒＯ２／Ｔｉ２ＡｌＮ复合材料
研发阶段/n原位热压烧结工艺制备致密ＺｒＯ２／Ｔｉ２ＡｌＮ复合材料 本发明是原位热压烧结工艺合成致密ＺｒＯ２／Ｔｉ２ＡｌＮ复合块体材料。原料组成及成分范围为：以Ｔｉ粉、Ａｌ粉、ＴｉＮ粉的摩尔比为ｎ（Ｔｉ）∶ｎ（Ａｌ）∶ｎ（ＴｉＮ）＝１∶（０．８～１．４）∶１，ＺｒＯ２粉的掺入量为５～４０ｖｏｌ％。本材料由原位热压烧结工艺制成，其步骤包括：按配比称取原料，原料混合均匀后，置于石墨模具中，在热压烧结系统中的真空环境下进行烧结，真空度为１０－２Ｐａ；升温速度为５～８０℃／ｍｉｎ，烧结温度为１２００～１４
湖北工业大学
2021-01-12
反-2-己烯醛（香叶醛）及反-2-己烯-1-醇
项目的背景及目的 反式-2-己烯醛（trans-2-Hexenal），俗称香叶醛（leaf aldehyde），其香气为特有的青叶子气味，独特的新鲜感，俗称青苹果。国际安全号：FDA121.1164。自然界主要存在于西方的鹅耳枥（carpinus betulus）和东方的茶叶油中。由于其独特的香气，常为调香师们爱用的增香剂。另外，由于其特有的化学结构，它又是合成多种香料必用的原料，如合成反-2-己烯醇，3-甲巯基己醛，3-巯基己醛等至少不下六种香料。
南开大学
2021-04-14
XT2-6（XDP-2）落地式体视显微镜17000元
产品详细介绍一、仪器用途：XT2-6（XDP-2）是一种新型的落地式大视场体视显微镜，同时能兼顾图像清晰，观察舒适，操作方便，立体感强的特性，广泛应用于生物解剖、电子工业、矿物研究等领域。它融合视觉工程，国内专利，独家生产；它实体光学成像，提供2×. 4×. 6×. 8×. 10×. 15×的物镜，可任意转换；它人性化设计，使长时间的观察操作者无眼疲劳感，操作更灵活自如，不受视力限制，提高工作效率；它超长工作距离，超大的景深和视野。落地式大视场（面镜2倍） 二、技术参数/物镜 物镜倍率 工作距离(mm) 物方线视场(mm) 配置2× 208 68 ●4× 98 34 ●6× 80 22.7 ●8× 58 17 ○10× 46 13.6 ○15× 50 9.1 ○6×（SL） 115 22.7 ○“●”为标准配置 “○”为选购配置仪器高度1800mm；观察头部自由转动，伸展范围达850mm，方便观察超大面积物体；支架稳重，滑动自如，垂直580mm大行程带助力升降；底部万向滑轮带锁紧装置，可自由移动或固定，便于观察到最佳的位置。三、应用范围: 电子工业：印刷电路及组成安装，产品质量控制及筛查，返工及焊接；精密工程、塑料业：产品质量控制及筛查微焊接，微加工，注入浇铸；医疗、牙科器材制造业：精加工，安装，精细修整，颜色匹配，返工检修；生物医学：样本制备，样本解剖，镜检操作，样本染色；公安系统.四、产品成套性：1、主机（含面镜）/1台，2、2 X、4 X、6 X物镜/各1只，3、备泡/2只（12V20W带杯卤素灯）.五、选购件：LED灯源/700元 上海光学仪器进出口有限公司地 址 ：上海市杨浦区民星路201号28幢2楼 邮编 ：200433电话：021-35030526 手机：13916201020 传真：021-65563863 售价：17000.00元（含税，款到、订货后发货） 联系人：卜生高E-mail:bsg040206@163.com http://www.soiec.cpooo.com
上海光学仪器进出口有限公司
2021-08-23
电沉积低温烧结制备氧化物薄膜和微叠层技术
本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜，以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能，如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法，厚度均匀，根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单，重现性好是本技术的优势。
北京科技大学
2021-04-11
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持，经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年，该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。
南开大学
2021-02-01
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4 个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持， 经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年， 该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。
南开大学
2021-04-11
一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。
东南大学
2021-04-11
碲化镉薄膜太阳电池的产业化制造技术
本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。
四川大学
2021-04-11
一种柔性碲化镉薄膜太阳电池制造方法
一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构，本项发明所属领域为新型 能源。为了降低碲化镉太阳电池的成本，扩大电池的应用范围，柔性 碲化镉太阳电池将是未来发展方向之一。柔性碲化镉电池面临的难题 之一是如何解决金属背电极与碲化镉薄膜欧姆接触，即寻找一种材 料，加入到金属电极与碲化镉薄膜之间，有利于p载流子传输。本发 明是采用石墨烯作为碲化镉层与金属电极层的过渡层，充分利用石墨 烯载流子传输速度高、力学性能好的特点。将结晶石墨进行化学清洗， 用带胶的聚酰亚胺薄膜剥离石墨，使得一层石墨烯粘附于聚酰亚氨表 面。在此基础上再溅射沉积碲化镉，惰性气体保护下CdCl2退火，溅 射沉积硫化镉和ITO薄膜。制作出的柔性碲化镉薄膜电池具有重量 轻、成本低的优点。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11