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A、B、O血型演示模型
产品详细介绍
福州九天智能科技有限公司
2021-08-23
FEP薄膜
产品详细介绍
南京瑞尼克科技开发有限公司
2021-08-23
一种核壳结构CuO@γ-Al2O3复合粒子的制备方法
本发明公开了一种核壳结构CuO@γ?Al2O3复合粒子的制备方法，其先将十二水硫酸铝钾和尿素按摩尔比为1：2加入去离子水中搅拌，得溶液A；在葡萄糖水溶液中逐滴加入乙酸铜溶液搅拌，得溶液B；将溶液A逐滴滴加至溶液B中搅拌，并加热反应得沉淀物，沉淀物经过滤、干燥；置于马弗炉中，以升温速率为2～3°C/min升温至500～600°C，并保持2～4h，得到CuO为内核、γ?Al2O3为壳层的核壳结构CuO@γ?Al2O3复合粒子。本发明采用水热法一步合成技术，未采用有机溶剂、不产生工业废水，绿色环保；且制备
安徽建筑大学
2021-01-12
低 C/N 比污水A2/O+BAF 深度脱氮除磷工艺技术
针对我国低 C/N 比污水现状和深度脱氮除磷的要求，本项目全面开发适用于低 C/N 比污水处理的A2/O+BAF（曝气生物滤池）深度脱氮除磷工艺技术，以解决我国污水深度脱氮除磷碳源缺乏的问题。本项目基于反硝化除磷技术和双污泥理论，构建 A2/O+BAF 系统，从工艺设计上解决传统工艺中脱氮和除磷污泥龄的矛盾，并建立起强化 A2/O+BAF 工艺反硝化除磷性能的过程控制方法，使污水处理在不外加碳源的条件下能够达标排放，并且能够节省曝气能耗和降低污泥产量，是一种具有广泛应用价值的新型污水处理技术。
北京工业大学
2021-04-13
低C/N比污水A2/O+BAF深度脱氮除磷工艺技术
北京工业大学
2021-04-14
CuFe2O4复合材料催化氧化有机污染物的性能与机理
一、项目进展
创意计划阶段
二、负责人及成员
姓名
学院/所学专业
入学/毕业时间
学号
冯畴境
化学化工学院环境工程
2019-2023
201931043101
李暄
化学化工学院环境工程
2019-2023
201931043116
罗雨欣
化学化工学院环境工程
2019-2023
201931043111
黄品杰
化学化工学院环境工程
2019-2023
201931043110
张一丹
化学化工学院环境工程
2019-2023
201931043105
三、指导教师
姓名
学院/所学专业
职务/职称
研究方向
周家斌
化学化工学院
教授
环境材料与污染控制
刘丹
化学化工学院
讲师
环境材料与污染控制
四、项目简介
工业生产当中产生大量的有机废水需要净化处理，对此问题，本课题准备采用光催化耦合基于硫酸根自由基的快速降解水中有机污染物。制备出磁性好、易回收且具有良好催化性能的Z型CuFe2O4/MnO2复合材料来活化PMS。PMS在复合催化材料表面会迅速反应生成硫酸根和羟基的自由基，同时在光照下实现电子空穴的有效分离。通过光催化和高级氧化产生的强氧化性的活性物种会争夺有机物的最外层电子来实现对有机废水的高效降解。
因为CuFe2O4具有磁性好、易回收、可重复使用、低毒、化学性质稳定、可见光催化活性等优点，可减少二次污染，且能够高效的活化PMS，此外，PMS可作为电子受体快速转移和消耗光生电子，实现电子和空穴的有效分离，提高其光催化活性。同时，通过掺杂MnO2颗粒进一步提高CuFe2O4催化剂比表面积，在反应体系中能够进一步活化PMS产生氧化自由基，从而有效地降解有机物。
西南石油大学
2023-07-20
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学
2021-04-13
原子级分散双活性位Pt-Cu/TiO2催化剂在丙烷氧化催化中的应用
本发明公开了一种原子级分散双活性位Pt‑Cu/TiO<subgt;2</subgt;催化剂在丙烷氧化催化中的应用，属于环保催化材料和大气污染治理领域。所述催化剂以TiO<subgt;2</subgt;为载体，以Pt、Cu为双负载催化活性组分，活性组分Cu负载量为TiO<subgt;2</subgt;载体质量的0.1‑1wt%，Pt负载量为Cu和TiO<subgt;2</subgt;质量之和的0.02‑0.06wt%，所述催化剂表面形成Pt‑O‑Cu双活性位点。本发明催化剂表现出了优异的丙烷催化氧化性能和抗硫性能。
南京工业大学
2021-01-12
A、B、O血型磁性演示块
产品详细介绍
四川省自贡市贝尔吉标本模型厂
2021-08-23