在梯形双噻吩酰亚胺小分子的基础上，设计并成功合成了一系列具有半梯形结构的全受体类型均聚物PBTIn（n = 1-5），并深入研究了这些材料的构性关系。实验表明，均聚物的聚合方法选择至关重要，通过Stille和Yamamoto偶联方法对比发现，Stille聚合能够得到高分子量、低缺陷态、高性能的高分子半导体；采用全受体结构能够有效拉低前沿轨道能级，基于这些均聚物材料的有机薄膜晶体管都表现出良好的单极性n-型性能，晶体管器件的关电流仅为10 −9 -10 −10 A，电流开关比高达10 6 ；晶体管迁移率性能与构建单元长度反向关联，PBTI1的最高电子迁移率为3.71 cm 2  V -1  s -1 ，该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，比PBTI5的电子迁移率高出两个数量级。 通过深入表征发现，这一系列全受体类型均聚物表现出来的晶体管迁移率趋势与其半导体薄膜结构有序度直接相关。拉曼光谱表明，梯形构建单元共轭长度的增加带来较大的单体间扭转角，影响聚合物骨架的平面性。同步辐射X射线衍射表明，梯形构建单元的增长使得聚合物薄膜中π-π堆积方向的结晶性降低，不利于电子的分子间传输。这些结果表示，较长的单体结构会对聚合物薄膜形貌和载流子传输造成负面影响，因此发展更长的梯形构建单元对全受体类型均聚物迁移率的提升不会带来帮助。该研究表明全受体结构是实现高性能单极性n-型聚合物材料的有效途径，同时为n-型梯形小分子和聚合物的结构设计和发展提供重要参考依据。

1. 痛点问题 功率半导体是支撑能源领域发展的核心部件。为实现3060双碳目标，我国正在超常规推动新能源发电、大容量输配电和电气化交通等领域，对电压等级4.5kV以上的功率器件需求急速增长。提高器件电压和容量可以减少器件串并联数量、缩减装备体积和成本，是解决城市用地紧张、降低海上风电平台建设成本的关键。然而，受工作机理和制备工艺限制，IGBT器件最大功率等级为4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶颈，无法满足能源发展需求。因此，亟需更高电压、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半导体器件解决方案。 2020年，中国功率半导体市场规模达2000亿元，但90%以上依赖进口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部进口。亟需寻求自主可控的功率半导体器件国产替代方案。 2. 解决方案 本技术面向新能源发电和输配电领域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成门极换流晶闸管）的设计、制备和驱动控制方案，可以提高阻断电压和关断电流能力、降低器件运行损耗，且可以结合应用工况开展定制优化，如改善器件防爆特性、解决高压装置中的驱动供电问题等，从而实现大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率变换。 目前团队已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等级全面覆盖IGBT，且具有向更大容量发展的潜力。与IGBT、MOSFET等晶体管器件相比，本技术提出的IGCT具有通态损耗低、耐受电压高、可靠性高、抗干扰能力强等突出优势，符合能源发展趋势，且制造工艺沿用基本沿用传统的晶闸管路线，制造成本低，国内工艺基础好。

提出了层数调制、栅极电压调制和自组装单分子层调制等物理、化学改性策略，显著调控了MoS2载流子浓度和功函数，为开发低接触电阻的高性能纳电子器件提供了手段，研究成果发表于ACS Nano、APL等知名期刊，应邀为Adv. Mater.撰写综述一篇。

第二类超导体中量子化磁通的运动行为对超导材料和器件的电磁输运性质起着关键作用。人为调控超导磁通量子的运动行为，不但可以有效提高超导体的临界电流密度，还可实现具有新功能的超导电子器件，如超导磁通整流器、磁通二极管等。以往的磁通量子调控手段往往缺乏原位可调性，极大限制了相应超导电子器件的应用。近日，南京大学吴培亨院士领导的超导电子学研究所王永磊教授和王华兵教授研究团队设计出了一种可调控的新型人工自旋冰与超导异质结构器件，不但实现了超导电性的原位开关，还实现了可开关和可反转的磁通霍尔效应。 人工自旋冰是具有集体相互作用的纳米小磁体阵列，其特殊的几何排列使得系统具有很高的简并度、新奇的低能激发态（如磁单极子）、丰富的相变和磁畴。近年来该团队致力于人工自旋冰和超导纳米结构器件等方面的研究，不但设计出了可擦写的人工自旋冰，并且于国际上首次设计和制备出了人工自旋冰与超导的异质结构器件，实现了可调控的超导磁通阻挫效应和磁通整流效应。近日该团队又设计出了一种基于风车型人工自旋冰与超导的异质结构器件，利用风车型人工自旋冰易于调控的链条状磁荷结构，以及磁荷与超导磁通量子间的强耦合作用，实现了对超导磁通运动的原位操控，展示了超导零电阻态与耗散态之间的原位开关，同时实现了可编程的磁通霍尔效应。

一、 项目简介  高温超导滤波器技术作为一个新兴的高科技产业，其插损小、选择性好、带边抑制比高的技术优势得到了业界的普遍认可，高温超导多通带滤波器对于民用通信系统和军备系统都有着非常重要的意义。项目将产学研密切结合，发挥各自优势，解决其中的设计和制造关键技术，推进高温超导双通带滤波器的产业化的实施工作。二、 项目技术成熟程度  项目已经攻克高阶高温超导滤波器设计制作中的关键问题，为解决无线系统带内干扰，提高信号接收灵敏度，提升无线通信质量带来了新的途径，它对于民用通信系统和军备系统都有着非常重要的科学意义和广阔的应用前景，目前技术已经成熟运用在多个移动通信和军事通信系统中。三、 技术指标  项目是国家 863计划课题“第三代移动通信用高温超导滤波器系统设计及规模化生产研究开发”成果，鉴定结题达到国际先进水平。滤波器样机相关成果已连续发表在2010和2011年的《中国科学》和MOTL等杂志上,申请了多项发明专利。2011年第9 期《科学通报》还以特别简报的形式报道该成果“我国成功研制双通带高温超导滤波器—我国研究人员提出了一种双通带滤波器的设计方法，并完成了一个L波段双通带高温超导滤波器的设计和制作，该成果可充分发挥超导材料的低微波表面电阻的优势，在微波通信、高灵敏度接受系统中具有重要的应用价值”。项目已经提出并获得多项发明专利和实用新型专利，样机特性参数已经达到国际同类产品先进水平。四、 市场前景  高温超导滤波器系统显著的性能优势，在通信、卫星、雷达与电子对抗等领域得到广泛应用。目前国内民用通信系统比如中国电信和中国联通、警用集群通信系统，以及军备系统已有广阔应用实例，国内市场总容量每年可达20亿人民币。五、 规模与投资需求 项目初期基础投资大概1亿人民币，需要建设一个中等规模的大概2000平米的，半导体万级洁净厂房，如果按照年产500台滤波器计算，需要至少80人。六、 生产设备半导体万级生产线、各类测试仪器等七、 效益分析  项目实施将打破国外对高温超导滤波器系统产品的垄断,形成具有自主知识产权的高温超导滤波器系统设计平台和批量生产技术，可以扩展超导电子产品的应用范围，提升国内国防军备设施的技术性能，研制与生产成功，对超导基片材料、真空杜瓦系统、等相关的研究生产将起到很大的促进作用。批量生产后，利税可增加3000万元/年。八、 合作方式投资方式面议洽谈。九、 项目具体联系人及联系方式项目负责人：马杰，电话：13920381537，联系人：马杰，电话：13920381537邮箱：jma@hebut.edu.cn 。十、 附件：成果图片 

随着拓扑绝缘体、拓扑半金属等拓扑材料的发展，寻找和理解新的拓扑物态也激发了广泛的关注和研究。近些年，随着拓扑分类技术的不断发展和人们对拓扑物态的深入研究，高阶拓扑绝缘体、高阶拓扑半金属的概念随之诞生。高阶拓扑物态的“高阶”体现在体-边对应关系上。对于传统的d维拓扑绝缘体，其体态是有能隙的绝缘体，而在（d-1）维的边界上会出现无能隙的受拓扑保护的边界态，如三维拓扑绝缘体具有二维的狄拉克表面态，二维拓扑绝缘体具有一维

一种环形高温超导磁体传导制冷装置，属于超导磁体传导制冷 装置，通过制冷机进行传导制冷，解决现有环形磁体传导制冷结构存 在的导冷效率低、磁体热稳定性差的问题。本发明包括上导冷盘、下 导冷盘、导冷棒和 N 个导冷单元，导冷棒两端分别与上、下导冷盘固 接，导冷棒上端端部固接有铜块，铜块和上、下导冷盘组成超导环形磁体的主要热沉；N 个导冷单元排列成环形位于上、下导冷盘之间； 上、下导冷盘之间还穿有内侧、外侧导冷杆，用于所述上、下导冷盘 之间导热。本发明可以在制冷机冷量充足的情况下使超导磁体降至预 定的温度，

本发明公开一种用于超导电机的力矩传导结构，包括与处于低 温状态超导线圈端面相连的第一环、与处于常温状态电机轴端相连的 第二环，以及连接前面两者的环形力矩传导部件，其中环形力矩传导 部件由多个环形传导件和多个弧形连接件组成，环形传导件同心设置 在第一环与第二环之间并沿径向间隔分布；弧形连接件沿周向安装在 各个环形传导件的间隙内且彼此间隔地交错分布，热通量从第二环经 弧形连接件后沿着与其相连的环形传导件周向流动，再经下一弧形连 接件依次进入与之相邻的下一环形传导件后继续沿周向流动。本发明 在利用环形周向

本发明公开了一种高温超导磁体线圈及其绕制工艺。线圈包括 环氧筒和多层线圈单元，各线圈单元均由依次布置的低温胶层、聚酰 亚胺薄膜层和超导带材层组成。首先将超导线圈的骨架固定好并对绕 制位置做好标记，在骨架表面均匀涂抹低温胶并用聚酰亚胺薄膜缠绕， 然后等间距铺设聚酰亚胺带，拉紧固定；准备好带材绕线盘之后，将进线端固定于骨架表面，均匀密绕一层超导带材，完成后在带材表面 涂上一层低温胶，同时缠绕一层聚酰亚胺薄膜，并将聚酰亚胺带拉紧、 回铺，重复以上操作至完成整个线圈的绕制。本发明保证了对超导带 材施加了一定

本发明公开了一种超导磁体出线端的焊接方法，用于高温超导 磁体电流引线中的超导磁体出线端和过渡铜编织带之间的焊接。首先 将超导磁体出线端的表面绝缘剥离，将焊锡丝紧密地螺旋缠绕在超导 带材表面，然后装入铜编织带的套管中。固定好位置后，用环氧挡板 将焊接部分与超导磁体隔开，用电烙铁从铜编织带的一端逐渐向后移 动，反复几次，使内部的焊锡完全熔化，起到固定带材与铜编织带的 作用。待焊锡完全冷却后，将铜编织带的另一端与电流引线连接。最 后将铜编织带固定在环氧筒上。本发明操作简单可靠，既能做到有效 保护超导带材，