一种单相α-Si3N4超细粉体及其制备方法
本发明涉及一种单相α‑Si3N4超细粉体及其制备方法。其技术方案是:先将5——30wt%的单质硅粉、15——45wt%的固态氮源和40——80wt%的卤化物粉混合均匀,制得混合物;再将所述混合物置入管式电炉内,在氮气气氛下以2——10℃/min的升温速率升至1000——1300℃,保温2——6小时;然后将所得产物用去离子水反复清洗,直至分别用AgNO3和Ca(NO3)2溶液滴定不再出现白色沉淀为止;最后在110℃条件下干燥10——24小时,即得单相α‑Si3N4超细粉体。本发明具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、过程易于控制、产率高和产业化前景大的特点;所制备的单相α‑Si3N4超细粉体粒度为100——500nm,无杂相、活性高、颗粒团聚小和粒度分布均匀。
(注:本项目发布于2015年)
武汉科技大学
2021-01-12