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一种提高铝合金热成形效率及成形性的方法
本发明公开了一种提高铝合金热成形效率及成形性的方法,包 括如下步骤:(1)在铝合金坯料表面涂覆具有高吸收率且具有润滑作用 的涂料;(2)将所述铝合金坯料置于设定特定加热温度的第一加热炉中 加热并保温;(3)将所述铝合金坯料从第一加热炉中取出后转移至成形 模具上;(4)所述成形模具在压力机的带动下闭合使所述铝合金坯料成 形并保压冷却;(5)将成形冷却后的零件置于设定特定加热温度的第二 加热炉中加热并保温,进行人工时效后
华中科技大学 2021-04-14
一种类石墨烯的新颖二维半导体Ca3Sn2S7
石墨烯是材料科学领域的一颗迅速崛起的明星,开启了二维材料的大门。作为纳米光电子器件广泛使用的理想电极材料,石墨烯除了具有优异的弹性和刚度外,还具有最高的载流子迁移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而,石墨烯作为一种典型的半金属材料,它的零带隙极大地限制了其在半导体工业的应用。自石墨烯被发现以来,它的零带隙一直是世界范围内最具挑战性的难题之一。  多年来,人们一直致力于解决这一关键问题,最主要的打开石墨烯带隙方法可以概括为下面两种。第一种是通过掺杂、吸附、衬底相互作用、外加电场、应变、建立二维异质结等方法直接打开石墨烯的带隙。不幸的是,在打开石墨烯带隙的同时,保持其具有超高载流子迁移率的线性电子色散的多种尝试,至今仍未成功。第二种方法是开辟新的路径,寻找新的具有超高载流子迁移率(线性色散)的二维材料,如二硫化钼、硅烯、锗烯和磷烯等,它们构成了新的二维材料家族。遗憾的是,迄今还没有发现任何具有类似石墨烯线性电子色散和超高载流子迁移率的二维半导体。 北京大学物理学院史俊杰教授及其研究团队注意到:钙钛矿材料具有多样的组成和结构,如ABX3(具有三个不同原子位置的三维结构)、A'2[An-1BnX3n+1] (二维Ruddlesden-Popper型结构)、A'[An-1BnX3n+1] (二维Dion-Jacobson型结构)、A'2An-1BnX3n+3(二维111型结构)和AnBnX3n+2(二维110型结构)等,为材料设计提供了一个理想和庞大的平台。此外,钙钛矿结构中阳(阴)离子价态的劈裂和置换,阳(阴)离子的混合等,为组分工程提供了更多的可能性,从而极大地调节了所设计的钙钛矿材料的电子结构(带隙和电子色散)及物理、化学性质,为寻找具有新奇性质的材料开辟了一条新的道路。图注:左图为二维Ca3Sn2S7钙钛矿结构示意图,中图为它的三维线性色散能带图(带隙0.5 eV),右图为它的光吸收系数,并与光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系数作对比。 最近,他们在硫化物钙钛矿的研究中,意外发现了一种新奇的稳定且环境友好的二维钙钛矿半导体Ca3Sn2S7材料,它具有类似石墨烯的线性Dirac锥电子色散,直接的本征准粒子带隙0.5 eV,超小载流子有效质量0.04m0,室温下载流子迁移率高达6.7×104 cm2V-1s-1,光吸收系数高达105 cm-1(超越钙钛矿光伏明星材料MAPbI3), 从一个全新的角度实现了打开石墨烯带隙的梦想。该研究将会为二维钙钛矿材料的设计和研发提供新的思路,并进一步促进半导体产业的发展。
北京大学 2021-04-11
一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激光器
本发明公开了一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激 光器,包括:第一半导体激光器,用于发射蓝绿波段的连续激光来泵 浦谐振腔内的钛宝石晶体;谐振腔用于使近红外波段的激光发生振荡 和锁模输出飞秒脉冲激光;干涉仪使飞秒脉冲激光产生拍频信号得到 载波包络偏移频率;反馈调节单元用于调节谐振腔端镜的前后位置和 倾斜度以及半导体激光器输出激光的功率,从而保持重复频率和载波 包络偏移频率的稳定。本发明可以输出重复频率和载波包络偏
华中科技大学 2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法;栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元,每个栅电 极单元为柱状结构,由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成;所述连通电极的上表面用于连接栅层,下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层,对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学 2021-04-14
一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法,包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列; 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构;半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极; 源极与漏极串联连接;沟道为方柱形结构;四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极;阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度,
华中科技大学 2021-04-14
23041球形导体
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
V-LED
中视典V-LED是一套标准、集成一体式设计的LED系统,配合全新大范围动捕,打造高清、精准交互的虚拟演示环境,完美替代传统投影教学方案。
深圳市中视典数字科技有限公司 2021-02-01
V-Station
V-Station是中视典推出的显示升级、交互升级、体验升级的第二代桌面全息台,具备144Hz 流畅的动态影像和全新桌面级动捕,为用户带来更加顺畅和精准的操作体验。
深圳市中视典数字科技有限公司 2021-02-01
一种非晶铁磷合金/V8C7 复合镀层及其电镀工艺
本发明之非晶铁磷合金/V8C7复合镀层,所述复合镀层的基体材质为非晶态Fe-P合金,Fe 含量为复合镀层的60-89wt%(优选70-85wt%),P 含量为复合镀层的10-30wt%(优选12-22wt%),所述复合镀层中含有固体微粒V8C7,含量为复合镀层的1-10wt%(优选3-7wt%)。复合镀层可以含有各种不同的金属或合金以及各种不同类型的微粒,其技术适用性和实用性宽广,具有较强的可变性和可操作性,应用将日益广泛。
长沙理工大学 2021-01-12
关于组织申报2023年度山西省重点研发计划(半导体与新材料领域)项目的通知
为全面深入学习贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想,党的二十大精神,以及习近平总书记关于新时代科技创新的重要论述重要指示精神,围绕重点产业链部署创新链,瞄准攻关半导体与新材料领域关键核心技术与共性理论问题,为我省重点产业链和特色专业镇建设提供创新支撑。根据《山西省科技计划项目管理办法》(晋政办发〔2021〕42号),现将凝练形成的2023年度山西省重点研发计划(半导体与新材料领域)重点支持方向予以发布,请根据要求组织项目申报工作。
山西省科技厅半导体与新材料科技处 2023-08-08
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