产品详细介绍 IPMP36-10L性能参数除非特殊说明，电源的性能参数都是在以下条件下进行测试。负载为纯电阻电源输出接口的负极与机壳相连至少热机30分钟以上所有参数只是作为使用电源时候的参考值，并不作为电源性能的保证。型号 IPMP36-10L输入 电压 220 VAC±10﹪,50/60 Hz,1 Ф输出 电压 额定电压 36 V 最大电压 37.08V  变化范围 0～36 V 分辨率 1 mV   编程准确度注释1-4 ≦(0.05﹪ + 5digits)   电流 额定电流 10 A 最大电流 10.3 A   变化范围 0～10 A 分辨率 1 mA   编程准确度注释1-4 ≦(0.5﹪ + 5digits)  额定电压特性 纹波（5Hz～1MHz,RMS) 0.5 mVrms  电源效应注释1-3 0.005﹪+  1 mV  负载效应注释1-3 0.005﹪+  2 mV  瞬态响应时间注释5 50 μs 温度系数 50 ppm/℃额定电流特性 纹波（5Hz～1MHz,RMS) 3 mArms  电源效应 3 mA  负载效应 3 mA  温度系数 300 ppm/℃保护电路 内部过温保护电路检测温度 95℃ 过压保护（OVP） 3.6～39.6V  过流保护（OCP） 1～11A   OVP/OCP触发脉冲宽度（标准值） 50ms输入保险丝 10A输出保险丝（安装于电源内部） 15A 恒压指示 CV，绿色LED灯指示恒流指示 CC，红色LED灯指示工作环境温度和湿度 0～40 ℃ / 10﹪～90﹪ RH储藏温度和湿度 -10～60 ℃ / 低于90﹪ RH冷却系统 风扇强制制冷输出极性 正极或者负极都可以接地绝缘电压 ±500 V控制接口 RS485/RS232（二选一）外部存储器接口 USB2.0 HOST(可选）读出准确度注释1-4 电压：≦(0.05﹪ + 5digits)，环境25 ℃ ± 5 ℃电流：≦(0.5﹪ + 5digits)，环境25 ℃ ± 5 ℃【注释1】由于设置值不同会有所不同。【注释2】﹪表示额定输出的百分比。【注释3】使用远端感应模式，测量点在电源面板的S端子【注释4】digits 表示最小分辨率【注释5】指当输出电流变化范围在5﹪到100﹪，输出电压恢复到额定值的±(0.05﹪ + 10 mV)的时间。多路程控电源，多路电源，程控电源，精密电镀电源，多通道电源，多通道程控电源  ，程控直流电源

产品详细介绍IPMP16-20L性能参数除非特殊说明，电源的性能参数都是在以下条件下进行测试。负载为纯电阻电源输出接口的负极与机壳相连至少热机30分钟以上所有参数只是作为使用电源时候的参考值，并不作为电源性能的保证。型号 IPMP16-20L输入 电压 220 VAC±10﹪,50/60 Hz,1 Ф输出 电压 额定电压 16 V 最大电压 16.48V  变化范围 0～16 V 分辨率 1 mV   编程准确度注释1-4 ≦(0.05﹪ + 5digits)   电流 额定电流 20 A 最大电流 20.6 A   变化范围 0～20 A 分辨率 1 mA   编程准确度注释1-4 ≦(0.5﹪ + 5digits)  额定电压特性 纹波（5Hz～1MHz,RMS) 0.5 mVrms  电源效应注释1-3 0.005﹪+  1 mV  负载效应注释1-3 0.005﹪+  2 mV  瞬态响应时间注释5 50 μs 温度系数 50 ppm/℃额定电流特性 纹波（5Hz～1MHz,RMS) 3 mArms  电源效应 3 mA  负载效应 3 mA  温度系数 300 ppm/℃保护电路 内部过温保护电路检测温度 95℃ 过压保护（OVP） 1.6～17.6V  过流保护（OCP） 2～22A   OVP/OCP触发脉冲宽度（标准值） 50ms输入保险丝 10A输出保险丝（安装于电源内部） 30A 恒压指示 CV，绿色LED灯指示恒流指示 CC，红色LED灯指示工作环境温度和湿度 0～40 ℃ / 10﹪～90﹪ RH储藏温度和湿度 -10～60 ℃ / 低于90﹪ RH冷却系统 风扇强制制冷输出极性 正极或者负极都可以接地绝缘电压 ±500 V控制接口 RS485/RS232（二选一）外部存储器接口 USB2.0 HOST(可选）读出准确度注释1-4 电压：≦(0.05﹪ + 5digits)，环境25 ℃ ± 5 ℃电流：≦(0.5﹪ + 5digits)，环境25 ℃ ± 5 ℃【注释1】由于设置值不同会有所不同。【注释2】﹪表示额定输出的百分比。【注释3】使用远端感应模式，测量点在电源面板的S端子【注释4】digits 表示最小分辨率【注释5】指当输出电流变化范围在5﹪到100﹪，输出电压恢复到额定值的±(0.05﹪ + 10 mV)的时间。多路程控电源，多路电源，程控电源，精密电镀电源，多通道电源，多通道程控电源  ，程控直流电源

研发阶段/n天油杂2号是由不育系195A和恢复系7-23选育而成，2004-2005年参加江西省油菜区域试验，亩产135.95公斤，比对照中油杂2号增产10.96%，增产显著，居试验首位；2005-2006年参加江西省油菜区域试验，平均亩产135.80公斤，比对照中油杂2号增产20.09%，达显著水平，居试验首位；两年平均亩产135.88公斤，比对照增产15.34%。两年平均含油量40.18%，硫甙含量为21.85?mol/g，芥酸含量为0。2007年通过江西省和重庆市品种审定，审定名称分别为天油杂

本发明公开了一种源于东洋参的新化合物(2S,3S,4R,9E)  2 [(2′R) 2′ 羟基 二十九碳酰胺] 十八碳 1,3,4 三醇，其结构式为该化合物对胆固醇酰基转移酶具有选择性抑制的作用，能够有效用于预防和治疗血脂、动脉粥样硬化、冠心病等疾病，具有良好的研究开发和应用前景；该化合物的制备方法步骤少及操作简便，得到的化合物天然无毒性。

（专利号：ZL 201310571506.3） 简介：本发明公开一种1,3-二氨基胍盐酸盐的制备方法，属于含氮有机物制备技术领域。该制备方法是：将硫氰酸钠溶于水中，然后加入硫酸二甲酯，在室温下反应5～6h，反应结束后水油分层，收集的油层即为第一步的产物硫氰酸甲酯；然后将盐酸肼和水混合，升温至30～40℃时加入硫氰酸甲酯，保温反应4～5h后，抽滤后用冷水洗涤后干燥制得1,3-二氨基胍盐酸盐白色固体。本发明采用硫氰酸钠和盐酸肼为原料，水为溶剂

研发阶段/n内容简介：本研究是以发酵、酿造、制糖、制药等工厂的副产品米渣(湿渣蛋白含量35%)为主要原料，采用多菌种发酵的生物工程新技术，将米渣中的蛋白质降解为可溶性游离的复合氨基酸和短肽营养液。该营养液配比合理，不含任何色素和防腐剂，是一种独特的发酵型纯天然保健饮品，色泽为淡黄色，清亮、透明，酸甜可口。该研究选用了多种正交试验法对单、双、多菌种的种子和发酵配养基配方、工艺路线及参数等关键技术进行优选、对比，验证扩大试验，掌握了该技术的关键。据查新检索目前国内外未见有相同工艺产品的文献报道。中试成果

本发明提供了如式I所示的氨基葡萄糖衍生物或其药学上可接受的盐：其中，X、Y、Z三个基团中的相邻两个选自不同的杂原子，余下一个为C；R1、R2分别独立选自H、C1～C4烷基、苯基或取代苯基；所述取代苯基的取代基选自卤素；R3为无；或者，R2、R3与其相连的原子共同组成五元或六元芳香环或芳杂环。本发明还提供给了所述氨基葡萄糖衍生物或其药学上可接受的盐的用途。本发明提供的氨基葡萄糖衍生物，能够有效抑制软骨细胞中糖胺聚糖(GAG)释放量，其生物活性甚至超过了目前临床一线用药氨基葡萄糖和乙酰氨基葡萄糖，为保护软骨细胞和治疗骨关节炎提供了新的用药选择。

研究方向：具有生物活性含磷化合物合成方法研究、糖手性诱导不对 称合成、有机小分子催化剂催化不对称合成、金属-配体络合物催化 不对称合成。项目简介： 反式-2-己烯醛（trans-2-Hexenal），俗称叶醛（leaf aldehyde），检 索美国合成香料手册：其香气为特有的青叶子气味，独特的新鲜感， 俗称青苹果。 反式-2-己烯醛自然界主要存在于西方的鹅耳枥（carpinus betulus）， 东方的茶叶油中。由于其独特的香气，常为调香师们爱用的增香剂。 另外，由于其特有的化学结构，它又是合成多种香料必用的原料。如 合成反-2-己烯醇，3-甲巯基己醛，3-巯基己醛等至少不下六种香料， 故市场用量较大。据 2011 年统计，欧美，亚洲市场每年至少需要 800 －1000 吨，国内年需求 50-60 吨。目前市场价 160－180 元/千克，零 售价格约 240 元/千克；年产 600 吨反-2-己烯醛，每年产值不少于 14400 万元，加上 200 吨反-2-己烯醇，每千克价 500－600 元/千克， 产值又增 10000 万元，这些数据为最保守的数据。 查得的原料价格计算生产 1 千克反-2-己烯醛的原料成本约为 58 元/千克，卖价 160－180 元/千克，利润空间相当大。另外由醛还原成 醇（即反-2-己烯醇）原料成本约 120 元/千克，卖价 500－600 元/千 克，同样也有利润可赚。 年产 600 吨反-2-己烯醛，需 5000 升反应釜六个，10000 升釜四 个，精馏塔四个，水循环泵四台，50M3冷凝器三到四个，估算设备费 约 500－600 万元(水、电、气、冷需齐全，未计在内)流动资金 500 万， 厂房面积 2000－3000M2，操作 10－20 人。 生产规模：年产 600 吨反-2-己烯醛，200 吨反-2-己烯醇，投资额： 400 万元。

当今凝聚态物理研究中最重要的问题之一是揭示磁性材料中的高温超导机制。带有自旋的电子常被认为是局域在磁性离子实周围的，而形成电流的电子则被视为在晶格中巡游。但事实上这两者均为同一粒子。因此，这对立的两面如何共同协助超导形成，是一个非常有趣的问题。这种“非常规”的机制与铜基超导体、铁基超导体以及重费米子超导体都密切相关。 在具有多个电子轨道的体系，例如铁基超导材料中，电子自旋和轨道自由度的相互作用使得这个问题更为复杂。李源研究员与合作者之前的研究报道已经揭示了自旋-轨道耦合对材料的磁性性质有非常重要的影响。他们的实验同时还表明铁基超导材料中的磁性具有巡游与局域的双重特性。这并不是一个完全意外的结果，因为已有的一些理论研究也说明铁基超导体可以被所谓“洪德金属”的模型描述。不过自旋-轨道耦合以怎样的方式影响铁基材料中的超导机理，依然是一个未知的问题。Figure 1. (a-c) Imaginary part of dynamic spin susceptibility measured at different temperatures. (d) Imaginary part of dynamic spin susceptibility integrated over 4-8 meV based on the data in (a) and (b). 现在，李源研究组及合作者采用基于飞行时间原理的中子散射谱学技术，发现在一种铁基超导材料中，有一类特定的磁激发对超导的形成至关重要，其作用机理与材料中的自旋-轨道耦合效应密切相关。这项工作于2019年1月4日发表在《物理评论快报》上。 这项研究针对的是近年来发现的空穴掺杂的“122”体系铁基超导材料中新奇四重对称性磁相。在传统的二重对称性磁相中，电子自旋指向在晶体的ab面内，而在这种新发现的磁相中电子的自旋指向沿晶体的c方向。有这种四重对称性磁相的晶体中超导温度也被压制。该项研究旨在探索超导的压制与四方磁相中探测到的谱学特征的联系。基于这一目的，研究组瞄准了Sr1-xNaxFe2As2这一种有鲁棒性的四方磁相，且较易制备大单晶的铁基超导材料。Figure 2. (a-b) Constant-Q cuts measured at (0.5, 0.5, 1) and (0.5, 0.5, 3), with background subtracted. (c-d) Intensity difference between 6 K and 20 K at L = 1 and 3. 实验发现，在材料发生从二重对称性（图1a, T = 80 K）转化为四重对称性（图1b, T = 20 K）的相变后，低能的自旋激发发生了显著的变化。根据中子散射截面与散射几何的关系，在L = 1处测量到的信号中c方向的磁激发有更大的比重，而在L = 3处则可探测到更多的ab面内的磁激发。图1d显示，当温度从80 K降到20 K后，由于自旋的方向发生偏转到了c方向，在低能激发中将难以沿c方向时自旋的长短发生改变，因此低能磁激发中c方向的自旋激发被抑制。实验还发现了重要的一点：超导相（图1c, T = 6 K）的自旋激发相对非超导相的自旋激发有轻微的改变，这说明材料超导与的磁性质相关联。进一步的分析（图2）发现，这种改变主要发生在L = 1的位置，这说明在四重对称性磁相中，尽管c方向的磁激发被抑制，但它们仍然是与超导关系最密切的磁激发。这项结果揭示了在多轨道序洪德金属中实现高温超导的一个“兼容性”要求：局域的磁矩必须能够为巡游电子提供后者在实现超导配对过程中所需的磁激发。由于在四重对称性磁相中，该要求恰好不被满足，所以超导温度被抑制。 量子材料科学中心博士研究生郭见青和岳莉为该项工作的共同第一作者。相关的中子散射实验是由日本的MLF, J-Parc用户实验项目支持完成的。这项工作由量子材料科学中心李源研究组和张焱研究组合作完成。研究课题得到了中国自然科学基金委和科技部项目的资助。References:[1] C. Wang et al., Phys. Rev. X 3, 041036 (2013).[2] M. Ma et al., Phys. Rev. X 7, 021025 (2017).[3] Z.P. Yin et al., Nat. Mater. 10, 932 (2011).[4] J. Guo, L. Yue et al., Phys. Rev. Lett. 122, 017001 (2019).

在具有多个电子轨道的体系，例如铁基超导材料中，电子自旋和轨道自由度的相互作用使得这个问题更为复杂。李源研究员与合作者之前的研究报道已经揭示了自旋-轨道耦合对材料的磁性性质有非常重要的影响。他们的实验同时还表明铁基超导材料中的磁性具有巡游与局域的双重特性。这并不是一个完全意外的结果，因为已有的一些理论研究也说明铁基超导体可以被所谓“洪德金属”的模型描述。不过自旋-轨道耦合以怎样的方式影响铁基材料中的超导机理，依然是一个未知的问题。Figure 1. (a-c) Imaginary part of dynamic spin susceptibility measured at different temperatures. (d) Imaginary part of dynamic spin susceptibility integrated over 4-8 meV based on the data in (a) and (b). 现在，李源研究组及合作者采用基于飞行时间原理的中子散射谱学技术，发现在一种铁基超导材料中，有一类特定的磁激发对超导的形成至关重要，其作用机理与材料中的自旋-轨道耦合效应密切相关。这项工作于2019年1月4日发表在《物理评论快报》上。 这项研究针对的是近年来发现的空穴掺杂的“122”体系铁基超导材料中新奇四重对称性磁相。在传统的二重对称性磁相中，电子自旋指向在晶体的ab面内，而在这种新发现的磁相中电子的自旋指向沿晶体的c方向。有这种四重对称性磁相的晶体中超导温度也被压制。该项研究旨在探索超导的压制与四方磁相中探测到的谱学特征的联系。基于这一目的，研究组瞄准了Sr1-xNaxFe2As2这一种有鲁棒性的四方磁相，且较易制备大单晶的铁基超导材料。Figure 2. (a-b) Constant-Q cuts measured at (0.5, 0.5, 1) and (0.5, 0.5, 3), with background subtracted. (c-d) Intensity difference between 6 K and 20 K at L = 1 and 3. 实验发现，在材料发生从二重对称性（图1a, T = 80 K）转化为四重对称性（图1b, T = 20 K）的相变后，低能的自旋激发发生了显著的变化。根据中子散射截面与散射几何的关系，在L = 1处测量到的信号中c方向的磁激发有更大的比重，而在L = 3处则可探测到更多的ab面内的磁激发。图1d显示，当温度从80 K降到20 K后，由于自旋的方向发生偏转到了c方向，在低能激发中将难以沿c方向时自旋的长短发生改变，因此低能磁激发中c方向的自旋激发被抑制。实验还发现了重要的一点：超导相（图1c, T = 6 K）的自旋激发相对非超导相的自旋激发有轻微的改变，这说明材料超导与的磁性质相关联。进一步的分析（图2）发现，这种改变主要发生在L = 1的位置，这说明在四重对称性磁相中，尽管c方向的磁激发被抑制，但它们仍然是与超导关系最密切的磁激发。这项结果揭示了在多轨道序洪德金属中实现高温超导的一个“兼容性”要求：局域的磁矩必须能够为巡游电子提供后者在实现超导配对过程中所需的磁激发。由于在四重对称性磁相中，该要求恰好不被满足，所以超导温度被抑制。