XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）   功能特点： ■ XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）采用高分子材料制成，肤质仿真度高。 ■ 模块内部有4条模拟血管，可进行静脉穿刺练习。 ■ 可选择不同类型的穿刺针进行训练，进针有明显的落空感。 ■ 可反复进行练习。

XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）   功能特点： ■ XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）采用高分子材料制成，肤质仿真度高。 ■ 模块内部有4条模拟血管，可进行静脉穿刺练习。 ■ 可选择不同类型的穿刺针进行训练，进针有明显的落空感。 ■ 可反复进行练习。

产品详细介绍IGBT驱动模块   型号：SKHI22AH4 　　 特点： .半桥双IGBT驱动 .与SKHI 21兼容 .输入兼容COMS电平 .短路电流保护 .驱动高低边互锁 .使用变压器隔离 .低电压保护（13V） .故障输出 .开关时间1微秒 .可驱动MOSFET Vds(on) <10V 典型应用： .驱动MOSFET模块用于桥式电路，逆变器，UPS .直流总线电压最高1200V

移液枪头封装机，包括上料机构、还包括送料机构和装盒机构，装盒机构包括用于从所述送料机构处取枪头的取枪头机构、用于放置枪头盒的枪头盒平台、用于推动枪头盒在枪头盒平台上运动的电动推杆、用于搭载枪头盒平台并可带动枪头盒平台沿两个互为垂直的方向运动的水平工作台；枪头盒平台的边缘设置有扣盖机构。其中，上料机构完成移液枪头的逐个上料，送料机构将上料后的移液枪头进一步输送，取枪头机构从送料机构处取移液枪头，并逐个置于枪头盒中，电动推杆完成枪头盒的推送，过程中扣盖机构完成扣盖。本发明提供了一种集输送、装盒、封装功能于一体的移液枪头自动封装系统，装盒封装过程中，不需人工干预，可极大的提高移液枪头装盒操作的效率。

出于环境保护及人类健康的考虑，电子工业中逐渐限制并禁上使用含铅钎料不可避免。美国、日本等通过立法禁上铅等有毒元素的使用，欧盟已于2006年停止使用含铅钎料。作为世界贸易组织成员国的一员，提高我国电子产品在国际上的竞争力，尽早开发具有自主知识产权的无铅钎料，并早日实现产业化是急需而必要的。我们开发的无铅钎料合金具有优良的力学性能和可焊性，可满足电子工业、家电行业的需要，成本合理，技术成熟。目前，Sn-Pb合金国内用量约3万吨，可见无铅钎料市场十分广阔，抓住机遇，使无铅料产业

产品介绍 CK-M4L超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ，集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能；用户只需要在模块的基础上作电源处理即可，可以很方便的通过API函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。该模块支持固件升级，可满足协议扩展和功能扩展的应用需要。   产品特点 支持多种协议：ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支 持)。 密集读取：端口最大输出33dBm，可根据需要设置功率，可应对非常密集的使用环境，多标签识别算法，每秒可识别超过400张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。   规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M4L 性能参数 频率范围 840MHz～960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013（可选配） 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI：可感知信号强度 通道数 4通道 RF输出功率（端口） 33dBm±1dBm（MAX） 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离（读EPC码） 0-10米，连续读100次，读取成功率大于95%（无干扰环境）（8dBi圆极化天线@H3） 连续写标签距离（写EPC码） 0〜4米(与标签芯片性能有关)，连续写100次，写成功率大于90%（8dBi圆极化天线@H3） 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 （33dBm）：8W 物理参数 外观尺寸 85*80*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压 5V 4A 操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)  

产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ，核心部件采用 R2000 为核心平台，R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可，可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议：ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取：端口最大输出33dBm，可根据需要设置功率，可应对非常密集的使用环境，多标签识别算法，行业内最强，每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz～960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013（可选配） RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI：可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率（端口） 33dbm±1dbm（MAX） 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离（读EPC码） 0-10米，连续读100次，读取成功率大于95%（无干扰环境）（8dBi圆极化天线@H3） 连续写标签距离（写EPC码） 0〜4米(与标签芯片性能有关)，连续写100次，写成功率大于90%（8dBi圆极化天线@H3） 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 （33dbm）：8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)

可以量产/n突破了紫外LED的专用衬底、外延材料、芯片器件及专用设备的全套核心制备 技术，掌握了250-400nm波段的紫外LED制备技术，尤其在波长300nm以下的深紫外 LED方面掌握独特的国际先进技术，率先研制出国内首支毫瓦级深紫外LED器件，目 前深紫外LED单管芯输出功率可达到超过4 mW，达到了可实用化水平。相关核心技 术在照明中心的产业化设备平台上进行了充分验证，具备了产业化转移的能力和条 件。 深紫外LED在杀菌消毒、医疗卫生、生物探测、安全通讯、白光照明等诸多领 域有着广阔的市场前