技术亮点 ❖ 测量载体的三轴角速率、三轴加速度以及姿态角； ❖ 冲击：100g@11ms、三轴向(半正弦波)； ❖ 振动：10~2000Hz，10g； ❖ 供电电压：DC5.0V±0.5V； ❖ 工作温度：-40~85℃。 产品介绍 GMU540惯性导航单元由三轴陀螺仪、三轴加速度计、温度传感器及高精度信号处理电路构成，可实时测量载体的三轴角速度、三轴线性加速度及姿态角（横滚、俯仰、航向），并通过RS422/RS485接口按标准通信协议输出经过全温域补偿（含温度漂移校正、安装偏差校准及非线性误差修正）的高精度惯性数据。 该产品采用差分陀螺架构，有效抑制线性加速度干扰与机械振动，并集成宽温域补偿算法，确保在工业级严苛环境下仍具备卓越的稳定性和可靠性 应用范围 本产品广泛应用于航空航天测控、精准农业自动化、智能交通、工业自动化、系统控制等领域，为各领域提供专业的导航与测控解决方案；核心应用场景如下： ❖ 飞机吊舱                ❖ 工业机器人精确控制               ❖ 医疗机械设备测控   性能参数 GMU540 条件 参数 测量范围 - 横滚±180°，俯仰±90°，方位±180°   测量轴   - X 轴 / Y轴 / Z轴 横滚俯仰分辨率1） - 0.01° 横滚俯仰静态精度2） @25℃ ±0.05° 横滚俯仰动态精度(rms) @25℃ ±0.1° 陀螺仪 陀螺仪量程 - ±300°/s 零偏不稳定性(allan) - 4.5°/h 角度随机游走系数(allan) - 0.25°/sqrt(h) 加速度 加速度量程 - ±4g / ±16g 可设 零偏稳定性(10s均值) - 0.02mg 零偏不稳定性(allan) - 0.005mg 速度随机游走系数(allan) - 0.005m/s/sqrt(h) 零点温度系数3） -40～85℃ ±0.002°/K 灵敏度温度系数4） -40～85℃ ≤100ppm/℃ 上电启动时间 ≤2.0S 响应时间 0.01S 输出信号 RS485/RS422 可选 工作电压及电流 5VDC（50mA) 电磁兼容性 依照EN61000和GBT17626 平均无故障工作时间 ≥99000小时/次 绝缘电阻 ≥100兆欧 抗冲击 100g@11ms、三轴向(半正弦波) 抗振动 10grms、10～1000Hz 电缆线 10cm端子线g 重量 ≤10g(含标配端子线) 注意：横滚，航向为±180°， 俯仰为±90°。

XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）   功能特点： ■ XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）采用高分子材料制成，肤质仿真度高。 ■ 模块内部有4条模拟血管，可进行静脉穿刺练习。 ■ 可选择不同类型的穿刺针进行训练，进针有明显的落空感。 ■ 可反复进行练习。

XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）   功能特点： ■ XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）采用高分子材料制成，肤质仿真度高。 ■ 模块内部有4条模拟血管，可进行静脉穿刺练习。 ■ 可选择不同类型的穿刺针进行训练，进针有明显的落空感。 ■ 可反复进行练习。

产品详细介绍IGBT驱动模块   型号：SKHI22AH4 　　 特点： .半桥双IGBT驱动 .与SKHI 21兼容 .输入兼容COMS电平 .短路电流保护 .驱动高低边互锁 .使用变压器隔离 .低电压保护（13V） .故障输出 .开关时间1微秒 .可驱动MOSFET Vds(on) <10V 典型应用： .驱动MOSFET模块用于桥式电路，逆变器，UPS .直流总线电压最高1200V

移液枪头封装机，包括上料机构、还包括送料机构和装盒机构，装盒机构包括用于从所述送料机构处取枪头的取枪头机构、用于放置枪头盒的枪头盒平台、用于推动枪头盒在枪头盒平台上运动的电动推杆、用于搭载枪头盒平台并可带动枪头盒平台沿两个互为垂直的方向运动的水平工作台；枪头盒平台的边缘设置有扣盖机构。其中，上料机构完成移液枪头的逐个上料，送料机构将上料后的移液枪头进一步输送，取枪头机构从送料机构处取移液枪头，并逐个置于枪头盒中，电动推杆完成枪头盒的推送，过程中扣盖机构完成扣盖。本发明提供了一种集输送、装盒、封装功能于一体的移液枪头自动封装系统，装盒封装过程中，不需人工干预，可极大的提高移液枪头装盒操作的效率。

出于环境保护及人类健康的考虑，电子工业中逐渐限制并禁上使用含铅钎料不可避免。美国、日本等通过立法禁上铅等有毒元素的使用，欧盟已于2006年停止使用含铅钎料。作为世界贸易组织成员国的一员，提高我国电子产品在国际上的竞争力，尽早开发具有自主知识产权的无铅钎料，并早日实现产业化是急需而必要的。我们开发的无铅钎料合金具有优良的力学性能和可焊性，可满足电子工业、家电行业的需要，成本合理，技术成熟。目前，Sn-Pb合金国内用量约3万吨，可见无铅钎料市场十分广阔，抓住机遇，使无铅料产业

可以量产/n突破了紫外LED的专用衬底、外延材料、芯片器件及专用设备的全套核心制备 技术，掌握了250-400nm波段的紫外LED制备技术，尤其在波长300nm以下的深紫外 LED方面掌握独特的国际先进技术，率先研制出国内首支毫瓦级深紫外LED器件，目 前深紫外LED单管芯输出功率可达到超过4 mW，达到了可实用化水平。相关核心技 术在照明中心的产业化设备平台上进行了充分验证，具备了产业化转移的能力和条 件。 深紫外LED在杀菌消毒、医疗卫生、生物探测、安全通讯、白光照明等诸多领 域有着广阔的市场前