本发明公开了一种用于汽车前照灯的 LED 模块封装方法，包括：(a)将中层基板设置有多个芯片焊盘的区域对准于上层基板的通槽结构，由此执行中层和上层基板的贴合；(b)在芯片焊盘上滴涂焊料，并利用焊料的液体表面张力使得芯片与芯片焊盘自动执行对准调整；(c)执行下层基板和中层基板之间的焊接，并完成各个 LED 芯片的电路连接；(d)将陶瓷粉末和硅胶的混合物填充在各个芯片彼此间隔的侧面区域，然后执行加热固化；(e)向上层基板

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  项目 星奥全护眼LED书写板专用灯 国家标准GB7793-2010 功率36w 参数 中小学学校教室采光和照明卫生标准 黑板照度（E） 639.3LX 优于国标 ≥500LX 黑板照度均匀度（Uo） 0.81 专业照明设计 ≥0.8 眩光（UGR） ＜16 无眩光危害 ＜19 光频闪（波动深度） ≤1% 无光频闪危害 —— 显色指数 ≥98 色彩还原能力强 ≥80 色温（Tc） 5000k 光线柔和 3300K-5500K 使用寿命 质保三年 寿命长 ——

                                                                               微晶类主推款-微晶防眩 直下式发光设计 项目 星奥全护眼LED教室灯 国家标准GB7793-2010 功率36w 参数 中小学学校教室采光和照明卫生标准 教室照度（E） 417LX 优于国标 ≥300LX 教室照度均匀度（Uo） 0.8 专业照明设计 ≥0.7 黑白照度（E） 639.3LX 优于国标 ≥500LX 黑板照度均匀度（Uo） 0.81 专业照明设计 ≥0.8 眩光（UGR） 15.9 无眩光危害 ＜19 光频闪（波动深度） ≤3.2% 无光频闪危害 —— 显色指数 ≥90 色彩还原能力强 ≥80 色温（Tc） 4500K/5500k(可定制） 光线柔和 3300K-5500K 使用寿命 质保三年 寿命长 —— 总功率（P） 450W 消耗功率低 —— 年耗电量（Q） 720度 耗电量低 ——

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产品规格：≥1200mm*4000mm 产品特点： 1.独家设计 2.设有智能感应器控制盒，操作便捷。将黑板与电子光源的控制统一化，黑板“闭”→光源“亮”，黑板“开”→光源“灭”。 3.解决了录播行业的板书光源难题，拥有板面补光系统，避免了光源落差造成的摄像光源问题。 4.保护学生视力，缓解视觉疲劳，根据学生视觉感受可调节光源强度，从而起到预防近视的作用。 5.设计有LED照明系统，以及LED黑板照明控制器，照明度可达到800Lux，灯光亮度可调节。分：外置式 和内嵌式 面板材质：绿板/米黄板/白板/钨金板/搪瓷板

由东南大学信息科学与工程学院尤肖虎教授、赵涤燹教授牵头，联合成都天锐星通科技有限公司、网络通信与安全紫金山实验室等单位完成的“Ka频段CMOS相控阵芯片与大规模集成阵列天线技术”项目成果通过了中国电子学会组织的现场鉴定。 由中国工程院邬贺铨院士、陈左宁院士、李国杰院士、吕跃广院士、丁文华院士以及来自中国移动、信通院、华为、中兴、大唐电信和国内5所高校的共15位专家组成的鉴定委员会对该项成果进行了现场鉴定并给予了高度评价，一致认为：该项目解决了硅基CMOS毫米波Ka频段相控阵芯片和天线走向大规模推广应用的核心技术瓶颈问题，成功研制了Ka频段CMOS相控阵芯片，并探索出了一套有效的毫米波大规模集成阵列天线低成本解决方案，多项关键技术属首创；在硅基CMOS毫米波技术路线取得重大突破，在大规模相控阵天线集成度方面国际领先；成果在5G/6G毫米波和宽带卫星通信等领域具有广阔的应用前景，在该领域“卡脖子”技术上取得关键突破，已在相关应用部门得以成功推广应用。 目前，用于射频芯片的40nm和28nm CMOS工艺特征频率已经超过250GHz，在理论上完全可以满足毫米波应用需求。毫米波硅基CMOS集成电路技术的突破，将带来无线通信行业的一次变革，解决相控阵系统“不是不想用，只是用不起”的问题，把毫米波芯片及大规模相控阵变成来一种极低成本的易耗品。相比锗硅工艺和化合物半导体工艺，CMOS工艺在成本、集成度和成品率上具有巨大优势，但其输出功率相对较低，器件本身寄生效应较大。项目组经过长达6年的技术探索与创新，克服了毫米波CMOS芯片技术的固有瓶颈问题，所研制的芯片噪声系数为3dB，发射通道效率达到15%，无需校准便可实现精确幅相调控；基于大规模相控阵的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片输出功率受限的问题。

本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术，包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度（PVT）偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术；面向工业控制微控制器关键技术，包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。

本技术成果涉及集成电路测试技术领 域，公开了一种RFID读写器芯片中测系 统及方法

随着集成电路的发展，功耗问题越来越成为制约的瓶颈问题。特别是在即将到来的万物互联智能时代，物联网、生物医疗、可穿戴设备和人工智能等新兴领域更加追求极低功耗，尤其是极低静态功耗。面向未来庞大的物联网节点应用的需求，极低功耗器件及其电路芯片受到越来越多的关注。受玻尔兹曼限制，传统晶体管的亚阈摆幅存在理论极限，这一限制是阻碍器件功耗降低的关键因素，基于传统CMOS晶体管的集成电路已经无法满足物联网节点等对极低功耗的需求。 本项目基于标准CMOS工艺研制新型超陡摆幅隧穿器件，并进一步研发具有极低功耗的物联网节点芯片。新型超陡摆幅隧穿器件采用有别于传统晶体管的量子带带隧穿机制，可突破亚阈摆幅极限，同时获得比传统晶体管低2个量级以上的关态电流性能，具备极其优越的低静态功耗性能。通过超陡亚阈摆幅器件及电路技术的研究和突破，可促进我国物联网芯片产业的发展，显著提高物联网节点的工作时间，具有重要的应用价值。