本系列泵是抽除防爆等级为IIA、IIB、温度组别为TI-T4组的易燃易爆危险场所抽除气体的设备，广泛应用在石油、化工、军事、炸药、医疗、制药、科研、矿井、油库、液化气站、煤气管道、航空航天、实验室等相关领域。 一、特点 1、体积小、重量轻、噪音低； 2、设有气镇阀、可抽除少量水蒸汽； 3、专配防爆恒温干燥箱（2XZF-2、2XZF-4）； 4、防爆标志：ExdIIBT4； 5、本泵采用隔爆、烧封、本安复合防爆技术处理，安全可靠。 参数           型号 2XZF-0.5 2XZF-1 2XZF-2 2XZF-4 2XZF-8B 2XZF-15B 抽速 L/S 0.5 1 2 4 8 15 极限压力Pa 分压力 ≤6×10-2 ≤6×10-2 ≤6×10-2 ≤6×10-2 ≤6×10-2 ≤6×10-2 全压力 ≤1.33 ≤1.33 ≤1.33 ≤1.33 ≤1.33 ≤1.33 转速r/min 1400 1400 1400 1400 1400 1400 工作电压V 380 380 380 380 380 380 电机功率Kw 0.18 0.25 0.37 0.55 1.1 1.5 进气口口径（外径）（mm） Φ20 Φ20 Φ30 Φ30 KF-40 KF-40 KF-16 KF-16 KF-25 KF-25 噪音dBA 63 65 65 66 67 72 容油量 L 0.5 0.6 0.8 1 3 4 外形尺寸mm 400×168×230 440×168×240 500×168×260 610×260×340 660×260×360 680×260×360 毛重/净重Kg 17/16 18/17 21/20 48/40 60/52 62/54

        该系列泵是适用于抽吸空气及其它一般性气体。采用油泵强制进油装置，在进气口压强≤1.33×103时，仍可连续运转的优点。它可单独使用，也可用于增压泵、扩散泵、分子泵的前级泵、维持泵、钛泵的预抽泵用，广泛适用于真空冶金、真空镀膜、真空干燥、冷冻干燥、真空脱气、真空包装、真空吸附、真空成形、食品包装、印刷、溅射、真空铸造、光伏、航空科技领域、化工、电子、冰箱、空调流水线和实验室等真空作业以及配套使用。 特点  1、配制特殊设计气镇阀，防止泵油混水，延长泵油的使用时间；          2、抽气效率高、极限真空高、使用寿命长；          3、设有自动防返油止回阀，永不返油；          4、小口径2XZ-2B、2XZ-4B、2XZ-8B真空泵专配真空干燥箱、冻干机、印刷机械；         5、可配小口径转换接头、KF接口、法兰接口;         6、当抽吸含有蒸气、颗粒、腐蚀性气体，在泵的进气口须安装辅助设备，如冷凝器、除尘器等。 参数           型号 2XZ-2B 2XZ-4B 2XZ-6B 2XZ-8B 2XZ-15B 2XZ-25B 抽速 L/S（m3/h） 2（7.2） 4（14.4） 6(21.6) 8(28.8) 15(54) 25(90) 极限压力Pa 分压力 ≤4×10-2 ≤4×10-2 ≤4×10-2 ≤4×10-2 ≤4×10-2 ≤4×10-2 全压力 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 转速r/min 1400 1400 1400 1400 1400 1400 工作电压V 220/380 220/380 380 380 380 380 电机功率Kw 0.37 0.55 1.1 1.1 1.5 2.2 进气口口径（外径）（mm） Φ30 Φ30 Φ40 Φ40 Φ40 Φ50 KF-25 KF-25 KF-40 KF-40 KF-40 KF-50 噪音dBA 62 62 65 66 66 66 容油量 L 0.8 0.95 1-1.2 2.3-2.5 2.8-3.3 5.5-6.5 外形尺寸mm 480×140×250 520×140×250 560×200×340 650×240×430 700×240×430 770×240×430 毛重/净重Kg 22/20 24/22 45/40 58/52 67/62 75/70

集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。

集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。

产品详细介绍AM300通用系列变频器AM300通用系列变频器性能概述•控制方式 开环矢量控制（SVC）、V/F控制、闭环矢量（VC）、开闭环转矩控制、位置环控制•调速范围 1：100 （SVC）、1：1000（VC）•稳速精度 ±0.5%（SVC）•软硬件抑制强干扰和误报故障，确保无跳闸运行•矢量化VF控制：自动转矩提升；手动转矩提升0.1% ~ 30.0%，可自定义VF曲线•自动限流：对运行期间电流自动限制，防止频繁过流故障跳闸，实现无跳闸运行•矢量控制下低频大转矩稳定运行，无速度传感器矢量控制下优异的控制性能•可选择LED、LCD键盘，支持双键盘同时操作•双继电器输出、两路0(4)~ 20 mA ,0(2) ~ 10V模拟量可选输出•可靠的转速追踪功能，可自动识别旋转电机速度和方向，用于旋转风机直接启动•完全自主知识产权，可按照客户要求定制开发•电压等级 220V、380V、690V、1140V•超大功率驱动技术，单机380V、680KW，并机1400KW•电网瞬间掉电不停机•转矩控制运行：端子支持速度、转矩控制模式切换•高可靠性：成熟可靠驱动、保护电路设计、抗干扰设计•闭环矢量控制、带速度环、电流环、位置环、可做零伺服控制•自动载波调整：根据负载特性，自动调整载波频率•自动电压调整：当电网电压变化时，能自动保持输出电压恒定•自动节能运行：根据负载情况，自动优化V/F曲线，实现节能运行

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（专利号：ZL 201510237036.6） 简介：本发明公开了一种合成2H‑吲哚[2，1‑b]酞嗪‑1，6，11(13H)‑三酮的方法，属于离子液体催化技术领域。该合成反应中芳香醛、邻苯二甲酰肼和5，5‑二甲基‑1，3‑环己二酮的摩尔比为1：1：1，酸性离子液体催化剂的摩尔量是所用邻苯二甲酰肼的3～7％，反应溶剂乙醇以毫升计的体积量为邻苯二甲酰肼以毫摩尔计的摩尔量的3～5倍，回流反应8～30min，反应结束后冷却至室温，有大量固体析出，抽滤后滤渣乙醇洗涤、真空干燥后得到产物。本发明与采用其它酸性离子液体催化剂的合成方法相比，具有催化剂催化活性高、可生物降解性好、制备成本较低以及整个合成过程操作简单方便等特点，便于工业化大规模应用。

南开大学刘阳研究员与天津医科大学康春生教授合作在国际知名学术期刊NanoLetters（DOI:10.1021/acs.nanolett.8b03644）上发表文章，提出了一种新型的纳米复合材料（NC-KLVFF），可有效清除Aβ毒性寡聚体，并减轻Aβ诱导的AD小鼠的神经毒性。该纳米复合材料为表面集成有Aβ捕捉肽（KLVFF）的小粒径纳米颗粒（图2b，14±4nm）。这种纳米复合材料将KLVFF通过原位聚合交联在血清蛋白质分子表面（图2a），与Aβ共培养可显著改变Aβ寡聚体的形貌，进而形成Aβ/NC-KLVFF纳米团簇而不是Aβ寡聚体。随着病理性Aβ寡聚体的减少，纳米复合材料减轻了Aβ诱导的神经元损伤，并恢复了脑内小胶质细胞吞噬Aβ的能力，最终保护了海马神经元免受凋亡。研究人员考察了NC-KLVFF在减轻神经毒性和促进小胶质细胞清除方面的作用。实验结果表明NC-KLVFF通过与Aβ作用形成纳米团簇体，显著减轻了Aβ对神经元细胞膜的黏附，进而减小了对神经元的损伤（图3a,b）。在小胶质细胞对Aβ的吞噬实验中，也观察到Aβ/NC-KLVFF纳米团簇体展现出更易被内在化的特点（图3c,e）。