随着RFID 技术的进一步发展，RFID 系统的大规模应用将成为一种趋势，在未来的应用中将会面临一些重大难题。大规模应用的某些应用场景中，要求RFID 读写器的射频信号能够覆盖一个庞大的区域，但由于读写器与标签之间有限的通信距离，这就需要大量的RFID 读写器以一种密集的形式部署在整个区域中。目前关于这一问题的研究还非常稀少，这一问题如果没能有效解决，将成为制约RFID 系统大规模应用的瓶颈。在RFID 大规模部署应用中，有效地进行RFID 网络规划，合理放置读写器位置、适当配置读写器参数，使网络资源得到优化分配，在保证高读取率和网络负载平衡的前提下，减少读写器冲突、标签冲突，决定RFID 系统服务质量的关键问题。对RFID 读写器进行合理有效的部署，不仅从成本上节约不必要的RFID 设备投入，提高经济效益；而且通过RFID 读写器网络中各个读写器协调工作，能够更加有效的采集RFID 标签上的数据，提高RFID 系统的整体性能。

随着RFID技术的进一步发展，RFID系统的大规模应用将成为一种趋势，在未来的应用中将会面临一些重大难题。大规模应用的某些应用场景中，要求RFID读写器的射频信号能够覆盖一个庞大的区域，但由于读写器与标签之间有限的通信距离，这就需要大量的RFID读写器以一种密集的形式部署在整个区域中。目前关于这一问题的研究还非常稀少，这一问题如果没能有效解决，将成为制约RFID系统大规模应用的瓶颈。在RFID大规模部署应用中，有效地进行RFID网络规划，合理放置读写器位置、适当配置读写器参数，使网络资源得到优化分配，在保证高读取率和网络负载平衡的前提下，减少读写器冲突、标签冲突，决定RFID系统服务质量的关键问题。对RFID读写器进行合理有效的部署，不仅从成本上节约不必要的RFID设备投入，提高经济效益；而且通过RFID读写器网络中各个读写器协调工作，能够更加有效的采集RFID标签上的数据，提高RFID系统的整体性能。

本发明公开了一种用于无源超高频 RFID 标签芯片解调电路， 包括整流电路、取包络电路、低通滤波电路、均值产生电路、比较器、 整形电路、使能控制电路、偏置电路。整流电路由主级和辅助级构成， 采用阈值补偿实现，取包络电路在使能控制电路控制下提取包络，低 通滤波电路直接采用 RC 结构，均值产生电路由运算放大器、二极管 和电容构成，利用峰值检测的原理实现，比较器采用开环的运算放大 器实现，整形电路由两个级联的反相器构成，

规格参数 额定功率 15W 色温 5000K 显色指数 ＞90 光频闪 无危害 推荐场景 宿舍桌灯、老师资料柜 了解更多产品详情，请与我们联系400-703-2833 官网：http://www.leedarson.cn

成果与项目的背景及主要用途： 人类通过视觉系统获取的信息占获取信息总量的 80%以上，如果说计算机相 当于人类的大脑，那么图像传感器则相当于人类的眼睛。图像传感器作为图像信 息获取最重要和最基本的技术在信息世界中将占据着极其重要的地位。半导体图 像传感器相比传统的胶片成像具有可实时处理和显示、数字输出、便于储存和管 理等诸多优势，正在迅速成为图像传感器发展的主导力量。CMOS 图像传感器相 对于 CCD 图像传感器具有单片集成、低功耗、低成本、体积小、图像信息可随 机读取等一系列优点。在手机拍照、PC 摄像、机器视觉、视频监控等诸多领域 已经取代了 CCD 图像传感器。 技术原理与工艺流程简介： （1）时间延迟积分型 CMOS 图像传感器芯片 通过 0.18µm 1P4M CMOS 工艺完成了对最高 128 级线阵长度为 1024 像素的 TDI 型 CMOS 图像传感器芯片的设计、投片和测试工作。 （2）具有紧凑读出的多次积分动态范围扩展 CMOS 图像传感器 提出了一种通过多次积分扩展动态范围的方法，采用紧凑读出方式，以降低 对对读出电路的工作速度要求。成功流片 128×128 阵列原型，动态范围可以扩展 39dB,像素读出时间相对于滚筒是曝光增加了 3 倍。 应用前景分析及效益预测： 该领域开始向着高清专业摄像、高精度工业和医疗成像、抗辐射太空成像等 专业高端领域迈进。CCD 传感器的衰退之势难以挽回，CMOS 将在未来几年保 持优势地位。2015 年，CMOS 出货量将达到 36 亿个，份额达 97%；而 CCD 出 货量将下降到只有 9520 万个，占 3%份额。 应用领域： CMOS 图像传感器广泛应用于消费类、工业和科技等各个领域。民用领域： 拍照手机、数码相机、可视门镜、摄像机、汽车防盗等；工业领域：生产监控、 安全监控等。 技术转化条件： 四十平方米以上的办公用房，电脑、工作站若干，相应软件。也可以和 RFID 天线制造单位，卡片封装单位共同合作。 合作方式及条件：根据具体情况面议

规格参数 产品尺寸 1220×290×100mm 产品重量 3kg 功率 38W 显色指数 >90 频闪 无危害 功率因数 >0.9 色温 5000K 推荐场景 普通教室、阶梯教室、实验室 了解更多产品详情，请与我们联系400-703-2833 官网：http://www.leedarson.cn

1、自主研发全光谱芯片，光谱为连续性，无蓝光危害； 2、类太阳光照明，Ra97，高度还原真实色彩； 3、RG0级无蓝光危害，无可视频闪，缓解用眼疲劳； 4、国AA级照度，大面积发光，无暗区，照度更均匀； 5、多功能一键触控，三档亮度轻松切换； 6、灯臂设计四处转轴，灯头上下。         了解更多产品详情，请与我们联系：021-6176 3333；15821024688

目前，国产集成电路“缺芯少减”的现象非常严重，特别是在编程逻辑器件被美国几家著名大公司所垄断.国内与固外差距巨大，可编程器件目前广泛应用于通信航天航空导航遥感遥测。大的应用需R和发展前展。本项目针对嵌入了处理器的SoPC芯片(SystemonPogrammableChip)具有该现状，与成都华微公司合作,研制了完全自主可控的SoPC芯片。

硅芯片是当代信息技术的核心，当前正向“深度摩尔”（More Moore）和“超越摩尔”（More than Moore）两个方向发展。物联网（IoT）应用是“超越摩尔”技术路线中相当重要的一环，需要数量巨大的集成电路芯片来分析处理来自外部传感器件的海量信号。目前，大多数传感信号采集器件和信号处理单元均为分离设计，将在整体上产生更大功耗并占据更大的空间。由此，复旦大学材料科学系教授梅永丰课题组提出了将信号检测和分析功能集成于同一个芯片器件中的全新概念。作为演示，研究团队将单晶硅薄膜柔性光电晶体管与智能薄膜材料相结合和组装，构造了对不同环境变量进行检测和分析的柔性硅芯片传感器及其系统。这一思路不仅具有优异的可扩展性，还可与当前集成电路先进制造工艺相兼容。5月2日，相关研究结果以《面向智能数字灰尘的硅纳米薄膜光电晶体管多功能集成传感器研究》（“Silicon Nanomembrane Phototransistor Flipped with Multifunctional Sensors towards Smart Digital Dust”）为题发表在《科学进展》（Science Advances）上。研究团队从器件的传感机理入手，利用柔性薄膜组装集成芯片传感器，实现了多种环境参数探测功能的集成。图1：(A) 器件主要功能层示意图；(B) 贴附于曲面上的柔性传感器件阵列；(C) 智能传感器件功能区的光学显微照片；(D)用于湿度传感的集成系统构造图；(E) 氢气通入前后参比器件与检测器件的电流变化，红色为参比电流，蓝色为检测电流。智能材料在环境刺激中可以发生折射率、颜色、晶体结构等方面的光学性质变化，但一般需要光谱设备或比色卡才能进行比对。而翻转的硅薄膜光电晶体管由于没有栅极金属阻挡功能区域的光信号吸收，可以更容易获得高灵敏的传感特性。利用这一点，研究团队将多种智能薄膜材料贴合在器件功能区，智能材料内部物理性质变化引起了微小光学性能改变，从而表现在输出的光电流上，因此可以在同一个芯片上实现对多种不同信号的同时检测。图1A展示了传感器件典型的功能层结构，顶层的智能薄膜材料对环境刺激发生响应，进而改变下方硅单晶薄膜光电晶体管的输出信号。具有2微米厚的热氧化二氧化硅层则作为光电晶体管的封装，对下方器件进行保护。硅薄膜光电晶体管完全由晶圆级先进集成电路工艺方法制备而成，结合了传统硅基光电子器件的高性能和硅纳米薄膜超薄厚度下的优良柔性。图1B是贴附于半径仅为2毫米直径玻璃管上的柔性器件阵列，表现出良好的弯曲性能。图1C是单个器件功能区域的特写，在蓝色虚框部分集成不同智能材料即可实现对不同环境信号的检测。图1D是具有完备传感与数据处理功能的柔性系统合成图，包括传感与参比器件、逻辑与存储单元、信号放大器和电源。研究团队利用该系统实现了对环境中湿度的实时、快速检测，演示的信号为依次减小的三个湿度脉冲。整个过程中直接对环境变化做出响应的信号，即参比器件与传感器件输出电流随时间的变化如图1E中所示。当环境发生变化（如图所示通入氢气），传感器件的输出电流大幅增加，而参比电流保持平稳，再利用差分电路处理，即可给出所检测的环境参数的值。研究团队开发了将智能材料与光电传感结合的新颖传感机制，并将传感模块与后续信号处理等模块集成在一起，展示了其在气体浓度、湿度、温度等多种环境参数检测方面的能力，已经初步具备了未来的“智能数字灰尘”的雏形。该策略也可以应用于其他的数字传感系统，在后摩尔时代中将具有巨大的应用潜力。论文主要由李恭谨博士，博士研究生马喆和尤淳瑜合作完成，并获得韩国延世大学Taeyoon Lee教授和中科院微系统所狄增峰研究员的合作支持。该工作得到国家自然科学基金委、上海市科委、复旦大学和专用集成电路与系统国家重点实验室等大力支持。