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高性能低成本铸造Al-Si合金
本成果源自于教育部博士点基金项目和江苏省自然科学基金项目。铸造Al-Si合金是两大传统结构材料之一，广泛应用在航空航天工业，军事工业，汽车工业，电力工业，机械工业中。本项目的合金体系是Al-(11.0%-13.0%)Si-(0.3%-0.5%)Mg，属近共晶类合金。
东南大学
2021-04-10
在钛合金表面制备 Ti-Si-C 涂层的方法
项目简介 一种在钛金属表面制备 Ti-Si-C 涂层的方法，其特征是它由涂层合金粉末片制备和 激光熔覆处理组成。其中，Ti 粉、Si 粉和石墨粉经混合球磨烘干后，在压片机上压制合 金粉末片，且涂层合金粉末片中各组分的原子个数百分比为：Ti 粉 50%，Si 粉 16.7%，C 粉 33.3 %。 产品性能、指标 本发明熔覆工艺性能优良，涂层组织致密，界面结合良好，主要组成相为 α-Ti、TiCx、 Ti5Si3 和 Ti3SiC2，组织为 α-Ti 基体＋
江苏大学
2021-04-14
SI住宅设计
北京工业大学
2021-04-14
铝合金表面反应喷涂Al2O3/Al-Si复合涂层及其制法
研发阶段/n本发明提供了一种铝合金表面反应喷涂Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ－Ｓｉ复合涂层及其制法，采用热喷涂方法，在铝合金表面反应合成Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ－Ｓｉ复合涂层，热喷涂粉末组成的质量百分比为：６０％～９５％共晶成分的Ａｌ－Ｓｉ合金粉末、５％～４０％ＳｉＯ2粉末，各组分之和为１００％；粉末粒度５～２０μｍ。涂层经过激光或等离子重熔后，使涂层中熔化的金属原子和基体表面的金属原子具有足够的能量冲破界面上的Ａｌ2Ｏ3薄膜层，原子之间发生剧烈的混合作用，生成一个冶金结合区，形成冶金结合界面。获得的Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ－Ｓ
湖北工业大学
2021-01-12
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学
2021-04-13
Si基GaN功率半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
特色及先进性；技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻，更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比，可以看出MG-HAD具有较小的开启电压（0.6V）和导通电阻（1.3mΩ?cm2）。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力，以10μA/mm 为击穿电流标准，MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限，150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压，因而其baliga优值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值，见图5所示。
电子科技大学
2016-06-08
轻质高强全焊结构泡沫铝合金夹复合芯板
结构材料轻量化是目前国民经济、国家重大需求的重大挑战，材料结构功能一体是新材料的重要发展方向。
轻质高强泡沫铝合金复合夹芯板以超轻质的泡沫铝合金为芯层，与铝合金面板实现冶金结合，具有比重小，高刚度，高阻尼减振，高能量吸收的特点，同时实现与阻燃、电磁屏蔽功能兼容性，在先进交通、航空航天领域具有广泛的应用前景。通过可调控的芯层泡沫铝合金孔结构，复合夹芯板的实现了同等质量钢板6倍的高刚度，同时比重仅与水接近，该成果已经应用于我国重要装备制造。
北京科技大学
2025-05-21