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浙江利尔达客思智能科技有限公司
2021-08-23
用于同时检测CU2+ Ｐb2+ Cd2+的阵列式薄膜传感器及其制备方法
本发明涉及用于同时检测Cu2+,Pb2+,Cd2+的阵列式薄膜传感器及基制备方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次为SiO2层,对Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三种薄膜;该薄膜传感器是通过激光脉冲沉积技术在SiO2表面上制备三种敏感薄膜,采用激光沉积技术把三个敏感材料分别制备在SiO2表面上,最后形成三种阵列式薄膜传感器.它对溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有选择性,能检测出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本发明可在江河湖泊,生物医学领域(如血液,体液),工业废水,中药,蔬菜,水果,茶叶等领域中对Cu2+,Pb2+,Cd2+同时进行定性和定量检测.
东北电力大学
2021-04-30
优质双低油菜天油杂2号（源油杂2号）
研发阶段/n天油杂2号是由不育系195A和恢复系7-23选育而成，2004-2005年参加江西省油菜区域试验，亩产135.95公斤，比对照中油杂2号增产10.96%，增产显著，居试验首位；2005-2006年参加江西省油菜区域试验，平均亩产135.80公斤，比对照中油杂2号增产20.09%，达显著水平，居试验首位；两年平均亩产135.88公斤，比对照增产15.34%。两年平均含油量40.18%，硫甙含量为21.85?mol/g，芥酸含量为0。2007年通过江西省和重庆市品种审定，审定名称分别为天油杂
华中农业大学
2021-01-12
（2S,3S,4R,9E）-2-[(2、-R)- 2-羟基-二十九碳酰胺]-十八碳-1，3，4-三醇
本发明公开了一种源于东洋参的新化合物(2S,3S,4R,9E) 2 [(2′R) 2′ 羟基 二十九碳酰胺] 十八碳 1,3,4 三醇，其结构式为该化合物对胆固醇酰基转移酶具有选择性抑制的作用，能够有效用于预防和治疗血脂、动脉粥样硬化、冠心病等疾病，具有良好的研究开发和应用前景；该化合物的制备方法步骤少及操作简便，得到的化合物天然无毒性。
青岛大学
2021-04-13
一种 g-C3N4/NiCo2S4 复合材料、制备方法及其应用
一种 g-C3N4/NiCo2S4 复合材料、制备方法及其应用。具体是将 g-C3N4 和 NiCo2S4 混合得到，该混合可以是固相混合，也可以是液相 混合，本发明得到的 g-C3N4/NiCo2S4 复合材料能极大的增加了提高材 料的稳定性，将复合电极作为超级电容器工作电极材料进行测试，在 大电流密度条件下仍能具有较高的比电容量、较好的倍率性能和循环 稳定性。
华中科技大学
2021-01-12
一种碳包覆正交晶系纳米棒状 Nb2O5 材料及其制备方法
本发明属于锂离子电池领域，更具体地，涉及一种碳包覆正交 晶系纳米棒状 Nb2O5 材料及其制备方法，该方法包括如下步骤：将油 酸和三辛胺按照比例混合均匀制得混合物 A；然后将一定量的铌酸铵 草酸盐加入到混合物 A 中搅拌得到溶液 B；将溶液 B 进行微波水热反 应；将步骤 3 中反应后得到的产物进行离心分离，得到固液混合物 C； 最后将固液混合物 C 放入管式炉中进行煅烧处理。将上述制备方法制 得的 Nb2O5 材料
华中科技大学
2021-04-14
郑州大学在利用超临界CO2制备室温铁磁性材料方面获得新进展
磁性表征实验显示，相较于传统的制备方法，如氢气还原和机械研磨等处理方式，SC CO2处理所制得的BaTiO3材料展示出了更加优越的室温铁磁性。
郑州大学
2022-06-08
高值资源化利用钢渣和工业尾气CO2制备绿色低碳建筑材料的技术
钢渣是钢铁生产过程的副产品，目前全国钢渣累积堆存近10亿吨，综合利用率仅为10%，大部分钢渣处于堆存和填埋状态，占用大量耕地，污染环境。本技术采用特殊反应工艺，利用温室气体CO2及化学外加剂激发钢渣，形成以CaCO3为主要组分的碳酸盐基胶凝材料，用于制备低碳建材制品(如建筑砌块、砖块、透水混凝土、保温、隔音制品等)。该材料具有低碳、耐火、耐久、能消纳大量固体废弃物的优点，可广泛应用于制造系列建筑结构或功能材料。申报人自主设计并组装了相关试验和中试装置，研究
南京工业大学
2021-01-12
关于晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制的研究
研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。
北京大学
2021-04-11
一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
提供一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区(28)、背P+阳极区(21)、N+阴极区(26)、栅氧化层(24)、阳极(20)、栅电极(25)和阴极(27)，所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层(29)、N-基区(23)和N+缓冲层(22)组成，所述的N+扩散残留层(29)和N+缓冲层(22)从与N-基区(23)的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。IGBT在N-基区(23)正面设置N+扩散残留层(29)，提高了N型正面的离子掺杂浓度，降低了结型场效应晶体管(JEFT)电阻的影响，从而有效降低IGBT的导通压降，同时对IGBT的正向阻断电压(耐压)的影响降低到最小。
浙江大学
2021-04-13