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激光微投M2
激光光源, 投影黑科技 同尺寸更亮,同亮度更小 激光光源亮度高,在图像色彩、均匀度、稳定性、能耗、使用寿命、健康环保和价格方面有明显的优势 实测真亮度, 不虚标! 800流明亮度, 告别“灰蒙蒙” ALPD®激光光源,亮度达800流明,不惧灯光、环境光,有效解决开会关灯的尴尬;在明亮的环境下,也能看到清晰亮丽的投影画面。 影院级色彩标准,真实色彩还原 ALPD®激光显示技术,色彩亮度等于白色亮度输出色,色彩丰富,画面均衡,再现自然本色。 2000:1对比度,画面更通透 画面过渡真实,灰阶显示细腻,画面高光位和黑位细节清晰可见,投射出更加通透和锐利的画面。 25000小时光源寿命,衰减低 一直都很亮,不会用着用着就变暗 应用ALPD激光光源寿命长达25000小时,在整个寿命期内,色彩饱和度和亮度衰减幅度也很小,不用换灯泡,省钱省心免维护。 漫反射成像原理,绿色健康光源 交互式平板、LED光源中保留了大量蓝光,长期观看,容易造成眼睛的伤害,而激光投影机通过反射式原理,自然光漫反射,减少了蓝光对眼睛的伤害。 无线同屏,小屏变大屏 无线多屏互动,wifi无线传输,不受线缆束缚,资料文档秒传大屏幕,兼容ios、windows、android等主流操作系统,支持小明助手、miracast、airplay同屏推送功能,影音、游戏、音乐随手分享到大屏幕 全自动对焦,智能梯形校正开机就是清晰画面 具备自动对焦、智能梯形校正功能,立刻还原清晰方正画面,想怎么投就怎么投。 全铝合金金属外壳一体成型工艺 与 MacBook 表面工艺一致 航空级铝材,阳极氧化一体金属机身,200目精细喷砂,128道工艺,苛求精致,无可挑剔 性能强劲 4K投影不卡顿 强劲内动力,从CPU开始!采用四核2.0处理器及强大的八核Mali450专业图形处理器性能强劲,稳定流畅不卡顿 真正影院120:1级别NXGA 斓曦非圆结构镜头 八片式NXGA斓曦全玻璃镜头,悬浮 搭载,缔造出非圆结构镜头系统 全通道激光3D,震撼画面跃屏而出 光峰助手APP,移动商务全兼容 全面兼容PPT、Word、Excel、PDF、图片、视频存储在移动设备里的演示文件,均可通过APP智能管理、一键投屏 不只是遥控器,还是红外激光笔 弧形人体工学设计,追求更舒适的操控,一键切换红外激光笔,让商务演示可圈可点。 界由我定,想投多大就多大 超大屏幕,百吋高亮大屏 让你的观点更震撼 实拍应用场景展示 小空间大屏演示,随时随地移动办公百吋大屏玩赛车游戏,这种震撼是电脑体验不能比拟的浪漫时刻,在家享受大屏好戏换个高亮大屏,阅读新闻、看股票,体验相当好
深圳光峰科技股份有限公司 2022-09-19
80-2 离心沉淀器
产品介绍: 离心沉淀器是离心分离实验仪器,它采用旋转离心力使溶液中物质分层分离。该仪器采用无级调速和自动调节平衡装置,具有运转平稳、体积小、造型美观、温升低、使用效率高以及适用性广等优点。特制铝合金离心转盘,确保离心管不易损坏。 该仪器广泛用于医院、化学以及生物化学实验室对血清、血浆、免疫等作定性分析实验。 技术参数: 1、速度范围:0-4000转/分钟(无级调速) 2、容量:20ml×12(角式) 3、相对离心力≥2325×g 4、定时范围:0-30分钟 5、电源:交流220V50Hz40W 6、重量:12Kg
江苏金怡仪器科技有限公司 2022-09-19
智能办公本T2
指导价格:3999元
科大讯飞股份有限公司 2022-09-08
一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法
本发明公开了一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法。该方法由四个部分组成:a.制备点状光子晶体;b.5’端磷酸化的锁式探针的两末端与靶标miRNA互补配对后利用T4RNA ligase 2连接成环;c.以成环的锁式探针作为模板,靶标miRNA作为引物,在phi29DNA聚合酶的作用下发生线性滚环扩增,通过加入二级引物,使线性滚环扩增沿着支链方向扩增,达到信号进一步放大;d.往滚环扩增产物中加入SYBR GREENⅠ染料后加到点状光子晶体上进行检测。本发明通过利用光子晶体效应对发光的调控,增强荧光强度,从而增强检测的灵敏度,降低检测下限,在最优实验条件下,该方法的线性范围为0.1aM‑1pM,miRNA的检测限低至1aM。本发明无需对循环miRNA进行分离提取,可直接用于实际样本中循环miRNA的检测。
武汉大学 2021-02-01
在拓扑外尔半金属晶体中观测到非平庸的超导特性
通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算,在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的,掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合,在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比,发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙,而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值(Δ/kBTc)约为8.6,远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值(约为1.76),表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制,极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量,发现这种材料为s波超导体,且它的超导能隙的带间耦合很强,超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后,又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言,拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现,证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性,推动了拓扑超导相关领域的进一步发展,也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据,揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线,拟合结果发现带间耦合比较大,表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙,揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下,超导能隙是1.7 meV,远大于体态的超导能隙,且能隙与临界温度的比值约为约为8.6,远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值(1.76)。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时,不同磁场下的超导dI/dV谱,超导能隙被外加磁场所抑制。
北京大学 2021-04-11
中红外激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ-Ⅵ晶体
本发明涉及一种中红外激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ--Ⅵ晶体制备方法,以及基于该晶体构建的激光输出实验装置,属于全固态激光介质领域。本发明激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ--Ⅵ晶体制备方法是利用安瓿双端置掺杂物真空热扩散传输法或晶体双面镀掺杂物薄膜真空热扩散传输法制备得到,并利用二价铬与钴双掺杂离子重叠的吸收波长进行泵浦,同时实现两种离子受激激发,从而获得中红外宽谱可调谐激光输出。
四川大学 2017-12-28
一种光子晶体纳米流体传感器、其制备方法及应用
本发明属于传感器领域,并公开了一种基于微电子机械系统的 光子晶体纳米流体传感器,包括光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率 材料薄膜层、第二折射率材料薄膜层和聚合物材料封接层,所述第二 折射率材料薄膜层的顶端设置有方波形的光栅结构,所述光栅结构包 括多个通槽和多个凸起并且它们交替排列,所述光刻胶层、硅晶片基 底、第一折射率材料薄膜层和第二折射率材料薄膜层共同构成传感器 基体层,所述传感器基体层上设置有进流口和出流口本。本传感器为 基于光子晶体的纳米流体传感器,成功解决了传统的光子晶体传感器 消耗检测物过多
华中科技大学 2021-04-14
一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法
项目成果/简介:本发明公开了一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法。该方法由四个部分组成:a.制备点状光子晶体;b.5’端磷酸化的锁式探针的两末端与靶标miRNA互补配对后利用T4RNA ligase 2连接成环;c.以成环的锁式探针作为模板,靶标miRNA作为引物,在phi29DNA聚合酶的作用下发生线性滚环扩增,通过加入二级引物,使线性滚环扩增沿着支链方向扩增,达到信号进一步放大;d.往
武汉大学 2021-01-12
一种自发成核过程可控式的DAST晶体生长装置
本技术属于溶液法晶体生长设备技术领域,涉及一种有机非线性光学晶体的溶液降温生长方法,特别是一种方形四棱锥底式DAST晶体自发成核生长装置,通过生长装置和底部载晶斜板的特殊设计,大幅增加可用来生长晶体的载晶斜板有效面积,提高DAST晶体生产效率,同时可消除载晶斜板外的自发成核晶体生长,有效提高晶体生长的稳定性,进而大幅改善斜板式自发成核法生长DAST晶体的质量。本发明与现有技术相比,其选用的生长装置结构简单,成本低,组装简便,操作方便,可大幅增加晶体生长缸中用以生长晶体的有效面积,提高DAST晶体生产效率;同时有效控制聚四氟乙烯四棱锥外的自发成核晶体生长,提高晶体生长的稳定性,进而大幅改善自发成核法生长DAST晶体的质量,有效解决了传统斜板式自发成核法中,在斜板之外其它位置容易出现无效的自发成核杂晶生长问题,提高晶体生长的稳定性和生长效率。可望应用于有机晶体的自发成核生长。
青岛大学 2021-04-13
一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法
本发明提供一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法,包括:(1)准备可弯曲和拉伸的基板;(2)拉伸所述基板,并在拉伸后的橡胶基板表面涂覆粘合剂;(3)在所述基板上沉积栅极;(4)在经步骤(3)处理后的器件上沉积有机介电层单元;(5)在所述有机介电层单元上分别沉积源极单元层和漏极单元层;(6)基板松弛,释放作用在基板上的载荷,并进行热处理,以消除界面应力和器件的压应力;(7)沉积有机半导体层单元。本方法通过一种机械拉伸基板的方法减小器件的沟道宽度,有效提高了制造精度,提升了柔性电子器件的分辨率。
华中科技大学 2021-01-12
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