适用于细胞培养、干细胞研究、肿瘤细胞研究、微生物研究等领域;科学研究所、制药公司、化妆品企业均适用。 温度精确控制在±0.1℃波动范围内，保障细胞全生命周期正常生长 新型IR传感器灵敏控制CO2浓度，使培养基始终维持在中性环境 一键灭菌，经12h有效杀死耐高温孢子和支原体，优于湿热灭菌和紫外线灭菌 标配物联模块，多屏互动，物联APP随时查看实验状态

诱人香味：清香香味，令司机更加享受心旷神怡的大自然气息。 润滑功能极佳：“抛光水蜡”配方非常适合摩擦性洗车（电脑滚刷、手工擦洗，刷洗等接触式摩擦洗车）， 有效减少接触带来的磨损。 高浓度泡沫配方：高浓度的细密泡沫，延长药液在车体上的附着时间（使反应更充分，上蜡更均匀）。 紫外线防护剂：有效抵抗阳光紫外线的侵蚀，达到抗氧化效果。 柔和型清洗功能：含有独持的柔和型清洁活性剂，有效乳化，清洁车体上的日常污垢，为水蜡上光创造一个干净的基础，达到光泽均均的效果。 产品用途 1.用于日常的水蜡（上光、保护）洗车，或电脑洗车的打蜡工序。 2. 清洗车漆表层污垢，包括泥沙、浮尘，污染物，新鲜虫胶，树胶，鸟粪等。 使用方法 按1: 120的稀释比例兑水，用水压或气压变为泡沫后喷于车体后，用洗车熊掌或海绵、毛巾擦试均匀，再用清水冲净。 请勿用于清洗与食物有关的物品，勿食用！请存放于0°C以上的环境中，避免在阳光下长时问存放，工业产品，远离儿童，严禁入眼入口，若不慎入眼入口，请用大量清水冲洗，并及时求助医生！ 净含量：2L

产品覆盖系列：Y-H船用通用型系列/YVF2-H船用变频系列/M2E-H船用超高效系列（IE3）/YD-H船用变极多速系列/YZ-H&JZ2-H船用起重系列/YCTJ-H船用推进器专用系列/船用防爆类请详见危险场所类电动机。 功率范围：0.04~1500kW 机座号范围：56-560 （起重类80-355）   电源：200~690V,50Hz或60Hz/变频器驱动 适用设备：适用驱动各类型船用、海上平台及港口设备，如推进驱动、甲板机械、舱室辅机、起重升降、通风空调等机械装置； 适用环境：全球各大海洋及港口环境 资质：取得全球各大船级社型式认可及产品认可证书  

箱式电阻炉，又称马弗炉、高温炉，属于大专院校、科研院所、工矿企业等实验室基础加热设备；是材料烧结、熔融、热处理、挥发等实验室必备仪器。 性能特点 1、炉膛选用优质陶瓷纤维炉膛，升温速率快、应用范围广的特点，是目前国内应用最多的炉膛材料 2、采用现代一体式结构设计，双层机箱设计，美观大方，操作方便 3、全方位密闭炉门。确保炉内高温不外泄，达到改善工作环境、延长电炉使用寿命、节能目的 4、保温材料采用优质陶瓷纤维板、棉，重量轻、保温效果好 5、控温仪表选用7寸触摸屏。具有控温精度高、自整定、故障自诊断等功能 6、选用优质重型铰链，定制把手 7、具有炉门开启断电保护系统，可以有效保护操作人员安全 具有防供电线路停电恢复后电阻炉继续加热功能，避免无人执守来电加热造成其它事故 8、箱体采用优质冷轧钢板制造，经过酸洗磷化，精制而成，表面静电喷塑工艺 9、安装有散热风扇，冷风循环，可有效保护延长电炉使用寿命 二、技术指标 项目名称 PQSX2-4-7 PQSX2-5-12 工作室尺寸/ 容积 300*200*120mm （7.2L） 300*200*200m （12L） 设计温度 1200℃ 使用温度 1100℃ 控温精度 ±1℃ 升温速率 ≤40℃/min 温度控制仪 7寸触摸屏 程序升温 30阶段 存储 16组程序升温方案 热电偶分度号 K 工作电压 AC220V/50Hz 加热元件/材料 进口陶瓷纤维炉膛 加热功率 4KW 5KW 选配 USB接口

JYD-2A恒温金属浴是采用微电脑控制的恒温金属浴装置,控温精度高，制样平行性好，以替代传统的水浴装置,可广泛应用于各种样品的培养、保存和反应，应用行业遍及医药、化工、食品安全、质检、环境等。JYD-2A恒温金属浴可实现2个模块独立加热、恒温，独特的二合一设计，满足更多实验需求。 产品特点 1、LED显示，界面清爽简洁。 2、仪器升温速度快、加热均匀、控温、稳定性高，低能耗无噪音。 3、内置温度偏差校准功能，自动故障检测及蜂鸣器报警功能。 4、内置超温保护装置，使用更安全可靠，延长机器使用寿命。 5、产品设计紧凑而严密,占用的空间范围小，带来更多的自由和方便。 6、多种模块选择更换，便于清洁与消毒食用各种试管。 7、可实现2个模块独立加热、恒温，独特的二合一设计，满足更多实验需求。

        VSM（也叫做M-H磁滞曲线测量系统）测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线，磁滞回线，退磁曲线，升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、温度随时间的变化等)，得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度，剩余磁化强度，矫顽力，最大磁能积，居里温度，磁导率(包括初始磁导率)等)，可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料，VSM可以测量从-196℃到900℃的温度变化的磁性变化。   主要参数： 测量磁矩范围：10-3emu-300emu（灵敏度：5*10-5emu） 相对精度（30emu）：优于±1% 重复性（30emu）：优于±1% 稳定性（30emu）：预热24小时，24小时连续工作优于±1% 温度范围：从-196℃到900℃ 固定磁极间距35mm，极面直径60mm 磁场：由电磁铁提供，从0-3.5T   主要参数： 抗磁，顺磁，铁磁，亚铁磁，反铁磁材料和各向异性材料 颗粒状和连续磁记录材料以及GMR，CMR，交换偏置和旋转阀材料 磁光材料 容易容纳散装材料，粉末，薄膜，单晶和液体     VSM的组成：   型号 DXV-550 电磁铁 √ 稳流电源 √ 振动头，振动架 √ 振动杆，样品室 √ 振动源 √ 锁定放大器 √ 高斯计 √ 探测线圈 √ 电脑 √ 打印机 √ VSM可以单独准备高温和低温设备。     主要设备：   电磁铁 电磁铁应为可调式双共轭或固定间隙的。 45°放置 型号 高低温磁场，磁极间距：35mm（T） 冷水方式 DXV-550 3.4 水冷 DXV-400 3.0 水冷 DXV-380 2.7 水冷 DXV-300 2.4 水冷 DXV-250 2.2 水冷 DXV-220 2.0 水冷 DXV-175 1.6 水冷 DXV-130 1.2 自然冷却 DXV-100 0.8 自然冷却 DXV-60 0.5 自然冷却   稳流源 电源为可调式高稳定度稳压稳流自动转换直流电源，功率为2～30KW 。在稳流状态时，稳流输出电流能在额定范围内连续可调 (一)主要功能 　　(1)输出功率：额定功率从1-12kw。 　　(2)保护：缺相保护、过流保护、短路自动保护。 　　(二)技术指标 　　(1)电源为稳流输出：电流值可从0-额定值连续可调。 　　(2)显示方式： 电流表4位半LCD数字显示。 　　(3)显示精度：±(1%+2个字) 　　(4)当负载为电磁铁，且输出电流大于最大电流一半时，电源输出的电流稳定度优于5*10-4 　　(5)工作时间：连续8小时工作(环境温度20±5℃) 　　(6)输入电压：单相220V/三相380V±10%        (7)输入频率：50Hz   振动系统 包括振动杆、机械振动头支架、样品室及探测线圈   磁测单元 (1)量程分300emu、150emu、80emu、40emu、30emu、15emu、8emu、4emu、3emu、1.5emu、800memu、400memu、300memu、150memu、80memu、40memu、30memu和15memu (2)磁场量程：0.5kOe”、“1kOe”、“2kOe”、“4kOe”、“8kOe”、“16kOe” 和 “32 kOe” 显示在4位半LCD数字表头。.分辩率0.1mT，相对精度优于±1%。 (3)振动源输出频率180Hz,频率稳定度优于10-5，输出功率大于50W。   联想电脑 打印机：hp-1018 高温炉和温度控制设备: 加热功率是100W. 炉子的温度范围是室温到900℃ 通过4位半LED数字控制。分辨率：0.1℃ 低温杜瓦和温度控制装置 样品室的温度与控制范围是 77K-273K 通过4位半LED数字控制，分辨率：0.1K  

一种网格状CuxS/Cu2O，x＝1.75～2复合类金字塔薄膜的制备方法，具体作法是：将方块面电阻为10-14欧的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、异丙醇溶剂超声洗净，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO为工作电极，铂片为对电极，采用电压法沉积；沉积后取出FTO，清洗烘干得Cu2O类金字塔薄膜的FTO；再将其放入Na2S溶液中处理，清洗烘干即在FTO上得网格状CuxS/Cu2O复合类金字塔薄膜。该方法设备简单，能耗低，适合大规模生产；制得物对太阳光吸收波长范围宽，作为太阳能电池材料具有应用前景；可作为模版和反应介质直接合成其它具有窄禁带宽度的类金字塔形化合物，作为太阳能电池材料。

一种黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1) 根据黄铜矿类正单轴晶体解理面{101}和{112}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和 X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切 割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝近C轴方向转动样品台Δθ后进行切割， 获得光学元件初样，Δθ＝θ(101)-θm；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台 上，测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′- θ′(101)|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。

一种黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1) 根据黄铜矿类负单轴晶体解理面{112}和{101}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和 X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切 割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝远C轴方向转动样品台Δθ后进行切割， 获得光学元件初样，Δθ＝θm-θ(112)；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台上， 测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′- θ′(112)|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。