一种仿壁虎脚微纳分级结构及其制造工艺
本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺,包括:S1、使用 LPCVD 设备在洁净的硅片上热生长一层 SiO2 薄膜;S2、 在有 SiO2 层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻,制备出圆孔阵列图 形;S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的 SiO2 进行刻蚀,将光刻胶上 的图形转移到 SiO2 层;S4、在样品表面镀一层 Cu 膜;S5、在丙酮或 乙醇中进行超声,通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面 的 Cu;S6、利用 CVD-VLS 生长工艺,以上述工艺制备的 Cu 为催化 剂,以 SiCl4 为硅源,以 H2 为载气,生长 Si 微米线阵列;S7、在硅 线表面镀一层 Cu 膜;S8、利用 CVD-VLS 生长工艺,以 S7 制备的 Cu 膜为催化剂,以 SiCl4 为硅源,以 H2 为载气,在 Si 微米线表面生长 Si 纳米线。本发明提供的微纳分级结构中 Si 微米线的表面分布有 Si 纳米线,即一种仿壁虎脚微纳分级结构,为干性黏附材料的设计与制 造提供了一种解决方案。
华中科技大学
2021-04-11