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"一种含钒无磁 Ti(C,N)基金属陶瓷及其制备方法"
一种含钒无磁 Ti(C,N)基金属陶瓷及其制备方法，属于金属陶瓷 及制备方法。含钒无磁 Ti(C,N)基金属陶瓷包括硬质相和粘结相，原料 为粉末状，其组分重量百分比为：TiC：42.11％～53.48％，TiN：7.91％～ 9.99％，Ni：27.78％～32.82％，Mo：9.30％～15.16％，VC：0.50％～ 1.99％，经混料、湿磨、干燥、模压成型、脱脂、真空烧结制备而成。 其制备方法顺序包括混料、湿磨、干燥、模压成
华中科技大学
2021-04-14
TI图形计算器
产品详细介绍TI-92plus是一款可用于中学数学、物理、化学等理科教学乃至大学的图形计算器。由于采用了闪存（Flash）技术使之可以进行电子化升级，并具备了更多的内存空间。TI-92plus的功能更为强大，128×240像点的大屏幕，"优美打印"使得显示的表达式如书写一样美观，带有高级的数学软件，可装载类似于电脑几何画板功能的几何画板或卡氏几何，让您的操作随时随地都可进行。每个TI-92plus都有一个液晶板（ViewScreen™）接口，用于连接一个液晶板，借助它可以使用标准投影仪向全班显示屏幕信息。具备有Flash(闪存)技术的图形计算器使计算器的扩展，升级应用程序的更新成为可能。同时TI公司还提供针对此技术的最新的，不断升级的操作系统和许多供教师教学和学生学习的应用程序。用户可以方便地从我公司的网站（http://ti-edu.com）上将公布的最新的操作系统和应用程序下载至计算机中，然后通过 TI Graph link安装到自己的图形计算器中，以增加其功能，提高其使用效率并使之个性化而满足个人不同的需求。这样，用户手中的图形计算器就具备了可升级性，从而实现更多的功能，更快的速度，更个性化的应用和更长的使用时间。
硬件特点：快闪存储器和升级能力：快闪只读存储器大大地增加了可用的计算器内存，允许安装计算应用软件及基于代码的升级。 128×240像点的大屏幕。内存：共有890kb，包括188kb用户可写的RAM（存储器）和702kb的快闪只读存储器用于用户数据存档或计算应用软件。增强型显示效果：防炫光及反灰明显提高了可读性。连通性：可在i/O端口连接TI-89，TI-92，TI-92plus，Cbl2，Cbr及TI Graph Link。标准键盘。机对机的连接电缆。
深圳市学之友教育投资集团有限公司
2021-08-23
Acid-Modulated Synthesis of Ti-MWW Zeolites with Rich Framework Ti Species for Efficient Epoxidation
钛硅分子筛是全硅分子筛的同晶取代衍生物，是指将过渡金属钛元素以原子的形式部分取代分子筛骨架上的硅原子，形成具有活化双氧水或有机过氧化物能力的一类杂原子分子筛。钛硅分子筛与双氧水或有机过氧化物组成的催化反应体系具有反应条件温和、转化率高、选择性好、环境友好等特点，在催化丙烯环氧化、环己酮氨肟化、丁酮氨肟化、苯酚羟基化合成精细或大宗含氧化学品上实现了工业化应用，有效地解决了传统生产方法存在的能耗高、选择性差和污染严重等问题，并促使分子筛的催化应用由酸催化领域向催化氧化领域拓展。在钛硅分子筛中，钛物种的主要存在形式有孤立的骨架钛物种和非骨架钛物种，其中，孤立的骨架钛物种对目标反应起到催化作用，非骨架钛物种不具有催化氧化性能，反而会加速双氧水无效分解成水和氧气，因此，实现对钛硅分子筛中钛物种的精准调控是钛硅分子筛的合成及其催化应用领域的热点和难点。近日，我所在酸性体系下构建了具有孤立骨架钛物种的Ti-MWW分子筛，并有效地抑制了非骨架钛物种的形成。结果表明，该方法合成的Ti-MWW分子筛含有特殊的Ti(OSi)3OH活性中心，在正己烯环氧化反应中表现出优异的催化性能。此外，该研究工作为开发高效的选择性氧化钛硅分子筛催化剂提供了一种简便的合成方法。
浙江师范大学
2021-04-30
一种基于(Ti,M)(C,N)固溶体粉的弱芯环结构新型金属陶瓷材料
一种基于(Ti,M)(C,N)固溶体粉的弱芯环结构新型金属陶瓷材料,其原料组分及各组分的重量百分数为10～20%的Co或/和Ni粉末,10～35%的第二类碳化物粉末和余量的(Ti,M)(C,N)固溶体粉,所述(Ti,M)(C,N)固溶体粉中M为W、Mo、V、Cr、Ta、Nb中的至少一种,所述第二类碳化物为WC、VxC(0
四川大学
2021-04-11
Si基GaN功率半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10
高性能低成本铸造Al-Si合金
本成果源自于教育部博士点基金项目和江苏省自然科学基金项目。铸造Al-Si合金是两大传统结构材料之一，广泛应用在航空航天工业，军事工业，汽车工业，电力工业，机械工业中。本项目的合金体系是Al-(11.0%-13.0%)Si-(0.3%-0.5%)Mg，属近共晶类合金。
东南大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
特色及先进性；技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻，更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比，可以看出MG-HAD具有较小的开启电压（0.6V）和导通电阻（1.3mΩ?cm2）。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力，以10μA/mm 为击穿电流标准，MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限，150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压，因而其baliga优值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值，见图5所示。
电子科技大学
2016-06-08
光扩散涂层
光扩散膜是具有很好的光透过性能和光散射性能的一类材料。它能够 将点光源转化为面光源，使入射光束光强在空间一定范围内均匀分布。 光扩散材料在照明领域和显示领域有广泛的应用,如应用于液晶显示 的背光、透射型屏幕、照明器具、灯饰看板等。LED 用于普通照明、背光源、新能源汽车照明、轨道交通照明等有 着巨大潜力，但 LED 是点光源，会产生强光点，无法用眼睛直视， 若一直生活在高亮度的 LED 光源周围，LED 光源所形成的强光点会
复旦大学
2021-01-12
CVD涂层设备
产品详细介绍 CVD涂层设备 CVD涂层设备主要由涂层沉积真空室、外加热炉、气路系统、尾气处理系统等组成。 具体技术交流请电话或电邮联系！
上海晨鑫电炉有限公司
2021-08-23