XM-305C上肢带深层肌模型   XM-305C上肢带深层肌模型显示三角肌、冈上肌、冈下肌、小圆肌、大圆肌和肩胛下肌的起点、止点，并显示胸大肌、胸小肌、背阔肌的止点，以及喙肱肌、肱二头肌和肱三点长头的起点。 尺寸：自然大，20×20×18cm 材质：PVC材料

H3C UIS 7.0超融合软件是新华三集团面向企业和行业数据中心推出的面向未来的超融合创新产品。遵循开放架构标准，在通用X86和ARM服务器上无缝集成计算虚拟化、存储虚拟化、网络安全虚拟化、运维监控管理、云业务流程交付等软件技术。不仅可以精简数据中心服务器数量，整合数据中心 IT 基础设施资源，精简 IT 操作，提高管理效率，达到提高物理资源利用率和降低整体拥有成本的目的，而且UIS在上一代超融合架构基础上集成云原生引擎、赤霄加速引擎、多角色引擎、混合云引擎和智能边缘云引擎，利用ABC融合、全运行态、智能加速、云边端协同、高速网络聚合等先进技术，实现基于虚拟机/容器/函数/裸金属全运行态、云原生应用构建、边缘高性能实时计算、前后端整体加速、算力云边智能调度的超融合方案，提供私有云、混合云、边缘云全场景云计算解决方案。可为客户提供较佳融合、极简规模、极宽场景、智能加速的云基础架构，满足企业未来十年的技术架构变革。 •云原生引擎。可同时承载虚拟机、容器和函数计算。在内置云原生运行环境的优点是体积小、速度快，资源利用率极大提升。通过内置的K8SAPI接口，UIS具备了全运行态的资源编排能力，可以对虚拟机、容器、函数计算等资源统一编排管理，构建以应用为中心的云化数据中心。 •赤霄加速引擎。以智能加速卡为核心前后端到端全程加速、主机侧损耗为零，相同核数CPU条件下，对比非加速方案，可以多创建50%以上的虚拟机，每虚拟机成本降低20%以上。4K随机IOPS性能提升1倍以上。同时拥有业界最短IO路径的无损网络，网络时延从毫秒级降低到纳秒级。 •多角色引擎。UIS超融合管理软件打破了物理资源壁垒，以其自适应架构，不仅可以统一管理X86资源池和ARM资源池，还可以同时管理纯虚拟化节点、纯分布式存储节点、超融合节点、AI加速节点、裸金属节点等。兼容不同芯片、不同款型、不同配置、不同能力的物理节点。 •混合云引擎。结合紫光UIS超融合构建的本地私有云数据中心与在紫光公有云中部署的UISonUniCloud云中云，建立了一套资源同构、软件同构、管理同构、交付同构、灾备同构、迁移同构的全态同构混合云架构。 •智能边缘云引擎。超轻量级边缘云引擎，实现海量的物联网终端设备接入。建立了云、边、端三层技术架构，通过在边缘侧部署UIS-Edge智能边缘云平台，打通云边端数据通道和控制平面。 融合至简 •管理融合：计算、存储、网络、安全、运维监控、云业务等六大软件能力统一平台管理，融合交付，开箱即云。 •内核融合：虚拟化内核与IPv6、高性能虚拟网络交换机、SR-IOV硬件网卡驱动、GPU显卡驱动等无缝集成，从内核层控制系统效率、可靠性与稳定性。 •存储融合：UIS可以通过软件将服务器本地硬盘资源进行整合，构建统一资源池，向上层应用提供块、文件、对象统一存储服务，满足结构化、非结构化和半结构化等多类型数据存储需求。 •业务简化部署：集成一键自动化迁移工具，提供P2V、V2V的迁移服务，助力客户原有业务快速上云。 •可视化极简运维：UIS超融合管理平台构建了扁平化、随需而变、弹性可扩展的业务敏捷交付平台，集成了自定义大屏展示、六大一键操作、系统健康度模型、所画即所得、首页快捷方式等极简运维操作，使运维可视化、数据化、自动化、智能化。 虚拟化成熟度 UIS计算虚拟化软件UISCAS，在国际权威虚拟化性能基准测试SPECvirt中表现优异，并提供业内创新性的动态资源扩展（DynamicResourceeXtension，DRX）、无代理杀毒、应用HA、云彩虹等技术。 统一分布式存储 UIS存储虚拟化软件UISONEStor采用统一分布式存储融合架构，为存储系统的高性能、高扩展、安全可靠、自动化运维提供了有力保证。 •统一分布式存储架构。分布式对称架构，无需单独的元数据服务器；同时支持块、文件、对象存储；分布式全局缓存，有效提高集群读写性能。 •高可用。多副本冗余策略，保证数据可靠性，支持2-6个副本灵活配置；支持N+1到N+4的不同纠删码级别，可基于资源池和目录设置；全面的数据保护和容灾能力，支持复制、快照、克隆、拷贝、故障域、保护域等技术。 •高可靠。采用完全冗余组网，无单点故障，硬盘或节点损坏时保证业务不中断、应用无感知；硬盘或节点故障时自动重构，可调整重构优先级；支持在线不停机扩容，增加或删除节点、硬盘不影响业务正常运行，支持集群自动数据均衡 可靠性监控中心 UIS超融合管理软件提供可视化、极简的运维方式，管理人员可一键获取超融合集群的资源信息和服务状态，了解平台的整体运行状况，并能够迅速定位到具体问题。通过分层的方式，展示UIS超融合集群中服务层、系统层、硬件层的可靠性现状，基于一键巡检模式快速诊断站点的健康状态，为高效运维提供指导。 多维度数据保护 UIS超融合提供了UIS备份方案、UIS容灾方案和UIS双活方案三层防护体系，全面覆盖国家标准《信息安全技术信息系统灾难恢复规范》定义的6个灾难恢复能力等级。 •灵活丰富的冗余策略：UIS集成的分布式存储组件支持以卷为单位设置纠删码或者多副本冗余策略，无需热备盘就可快速完成数据重构，保障用户数据完整性。 •多场景备份：自带无代理备份功能，无需额外投入即可实现对虚拟机的差异、增量、全量备份功能，同时提供CDP连续数据保护 •SRM容灾：基于SRM异步复制等容灾方案，满足用户对异构站点或同构站点间容灾服务的需求，为关键业务永续提供有力保障。 •双活：以超融合集群延展技术为核心，为客户提供中心级容灾，保障用户关键业务永续运行。 一键上云 •IaaS云服务能力：融合云平台功能，提供丰富的IaaS云服务目录，可以实现资源的自助交付、分级分权管理、多租户管理、流程工单管理以及异构虚拟化纳管等功能。 •接口开放：开放标准化的RESTAPI接口及兼容OpenStackH/J/K/L/M/P等版本的插件与接口。 •平台开放：兼容200+种通用GuestOS、20+种开源和商用VNF网元。 •合作开放：开放安全、备份、特定行业应用、云管平台等垂直领域合作，培育商业生态，跨界融合。 核心业务承载 UIS为数据库场景负荷进行了针对性优化，为数据库等关键业务应用的部署、管理、应用提供了以下优势： •优秀I/O处理性能：元数据分离技术减少访问消耗；通过计算端缓存加速技术，提升数据库日志高效处理能力。 •简化基础架构和管理复杂性：通过组合不同负荷系统到统一的资源池，高密度整合计算资源，显著提高计算资源利用率。 •快速部署交付数据库实例：基于UIS超融合数据库部署向导可直接在现有资源池进行计算、存储、网络等资源的分配和配置降低时间和人员技术要求。 •数据库实例部署的较佳实践：计算节点资源规格、操作系统设置以及存储规划及搭配组合建议模板化呈现。 •计算资源随业务需求动态伸缩能力：应对业务峰值需求，提升资源利用率的同时也免除了初期规划和基础架构升级烦恼。 应用场景 UIS主要面向虚拟化、私有云、云桌面、分支机构、混合云、开发测试、边缘计算、容灾备份和数据库/关键应用一共九大应用场景。 •虚拟化场景：采用完全软件定义技术，实现IT基础架构的融合，并通过统一管理界面对所有资源集中管理和监控 •私有云场景：基于超融合构建私有云实现更高的实施效率、更弹性的扩展、更高的资源密度。 •云桌面：减少硬件资源消耗，同时减少机房空间占用量。超融合架构存储技术采用缓存分层技术，加速IO读写应对启动风暴问题。 •分支机构：可大幅简化IT运维管理，实现多分支机构统一管理，轻松横向或纵向扩展，以适应不断变化的需求。 •混合云：实现混合架构统一的运维管理、健康巡检、快速完成故障排场，减少IT运维时间和异构平台运维难度。 •开发测试：实现快速环境获取，模拟生产网络环境、运维自动化、更快的应对新技术发展和加速业务上线 •边缘计算：将网络、计算、存储等能力延伸到网络的边缘，在边缘站点就近提供稳定、可靠、高速的边缘计算服务。 •容灾备份：针对不同的RTO和RPO需求提供更加高效、简单和低成本的的容灾备份解决方案。 •数据库关键应用：大简化传统模式的部署复杂性,显著提高计算、存储资源的利用率和缩短业务部署时间。

集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。

集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。

1、 一种具有高度可见光透过率与隔热特性的陶瓷基玻璃涂层或玻璃贴膜。 玻璃改造后可见光透过率高于 70%，屏蔽 99%以上的致癌性紫外线，且有 效阻止通过玻璃的热能交换过程，可用于建筑或汽车玻璃的节能改造， 提升建筑的适居度与节能效果。 2、 该项目各技术环节环保无毒，产品成本远低于市面现有技术，性能优于 现有技术，设备投入与实施成本低。

目前，油气输送主要靠大口径管道完成的，管道直径多在500mm以上，甚至达到 1000mm。为防止管道内壁的锈蚀、结蜡、杂质的沉积以及降低流体在管道内部输送阻力，通 常需在管道内壁涂上一层涂料。本发明主要涉及天然气管道内涂减阻涂料。当前，用于管道减 阻内涂的涂料多为溶剂型涂料，溶剂多为二甲苯、正丁醇等一种或几种混合。溶剂型涂料虽然 施工性能较好，但也存在很多缺点：VOC含量过高污染环境，影响施工人员健康，有火灾隐 患，且溶剂的挥发还导致漆膜质量下降。涂料的发展趋势便是水性涂料、无溶剂涂料以及粉末 涂料代替溶剂型涂料。无溶剂涂料克服溶剂型涂料的缺点，但也存在自身缺点：一般粘度较 大，施工性能差，由于成膜树脂分子量较小交联密度高，涂层较脆。 为了克服无溶剂涂料的上述缺点，华东理工大学开发了一种表面光洁度高、耐磨性好、表 面能较低的天然气管道用减阻内涂涂料。该涂料有A、B双组份组成，质量稳定，施工简单。 所采用的技术方案之一是提供制备颗粒直径小，团聚较少，与树脂相溶性好的颜填料改性手 段。改性后的粉体团聚明显减少，颗粒直径较小，改性后的粉体与成膜树脂相溶性也大大提 高，能在树脂体系里有很好的分散效果。

本发明公开的抗静电超疏水复合涂层的制备方法，以重量份计，将0.2～2份苯乙烯-顺丁烯二酸酐交替共聚物溶解在20～1000份溶剂中，加入1份碳纳米管混合均匀，加入0～26份氨水和0.2～2份硅酸酯或钛酸酯化合物，搅拌混合，使硅酸酯或钛酸酯化合物发生水解反应，再加0.1～2份硅酸酯或钛酸酯化合物和0.02～0.5份含氟硅烷偶联剂，混合均匀后喷涂在基材上，经陈化和热处理得到稳定的抗静电超疏水复合涂层。本发明操作简便、条件温和，碳纳米管不需要进行任何化学修饰或改性便可直接使用，所得复合涂层疏水性好，与水的静接触角大于150°，滚动角小于3°，表面电阻率为106～1011Ω，满足抗静电透明涂层的需要，具有广阔的应用前景。

本实用新型公开了一种预应力管桩石墨涂层缺陷检测装置，包括石墨涂层、水泥砂浆涂层、电极探针、导线和数据采集装置。所述的石墨涂层涂于管桩内壁，可导电。所述的水泥砂浆涂层涂于石墨外侧，用于保护石墨涂层。所述的电极探针内嵌在管桩内壁中，连接导线与石墨涂层。所述的导线分为桩内导线和总线缆，连接电极与数据采集装置。所述的数据采集装置可以发出电流，检测石墨涂层的电阻。本实用新型的有益效果是：管桩内壁石墨涂层通过电极探针与导线连接数据采集装置，检测施工前后石墨涂层电阻变化，准确的得出桩身裂缝产生情况。

本发明属于电化学工程的电极制备领域，更具体地，涉及一种涂层钛阳极及其喷涂热解制备方法。包括如下步骤：(1)在预处理后的钛板表面涂覆抗氧化层；(2)控制钛板温度在 250～300℃之间，将电极制备原料浆液雾化喷涂至所述钛板的抗氧化层表面；(3)对所述钛板行高温烧结处理，得到所述涂层钛阳极。本发明采用喷涂技术结合分步热处理的方法制备涂层钛阳极，巧妙地克服了现有技术刷涂法存在的涂层高温烘烤易发生干裂而导致电极寿命短的技术缺陷；实现了快速精确制备涂层钛阳极，且制备成本低，产品质量可控。在保证性能的前提下，极

本发明公开了一种纳米颗粒增强的热障涂层的制备方法，用于 在基体表面制备热障涂层，属于热障涂层制备领域，其包括 S1 将纳米 颗粒团聚成 60μm～120μm 的团聚粉末；S2 对团聚粉末进行热处理 以获得烧结粉末，所述烧结粉末粒径为 50μm～100μm；S3 将经步骤 S2 获得的所述烧结粉末送入基体被热源熔化后获得的熔池内，使烧结 粉末与熔池一起冷却凝固，以在基体表面制备获得纳米颗粒增强的热 障涂层。本发明方法过