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借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用
本发明属于光电半导体材料技术领域，具体为一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用。本发明改进的溶液蒸发结晶工艺，通过控制溶液浓度、溶剂挥发速率和退火温度，有效提升单晶的尺寸完整性，控制缺陷密度；具体包括：配制合适浓度前驱体溶液；量取前驱体溶液滴至柔性疏水基底上；将液滴蒸干批量获得单晶；进行热退火以释放晶格应力；所得高品质Cs<subgt;2</subgt;AgBiBr<subgt;6</subgt;单晶，元素分布均匀，具有(111)晶面择优取向和优异热稳定性。本发明方法显著缩短生产周期并提升工艺重复性。所述银铋卤化物单晶可用作高效稳定光电探测器的核心功能材料，在光探测领域具有巨大应用潜力。
复旦大学
2021-01-12
加深X光影像背景的方法、X光影像打印系统与打印方法
本发明提供一种加深X光影像背景的方法，包括以下步骤：提供一影像至一打印工作系统，所述影像包括载有特定影像信息的特定影像部分和不包括特定影像信息的背景部分；所述打印工作系统以第一色阶曲线生成定义所述X光影像的一第一指令数据；所述打印工作系统以第二色阶曲线生成定义所述X光影像的一第二指令数据，所述第二指令数据中过滤所述特定影像部分的信息；将所述第一指令数据和第二指令数据叠加后，驱动一打印机打印所述X光影像。本发明还涉及一种X光影像打印系统和X光影像打印方法，加深X光影像的背景，并降低打印成本。
青岛大学
2021-04-13
仪研（上海）YJ-0633A药物黏度测定仪
YJ-0633A药物黏度测定仪
本仪器YJ-0633A药物黏度测定仪的制造符合中国药典2020年版0633黏度测定法所规定的技术要求，可以通用品氏和乌氏粘度计。本仪器专为粘度测试设计，由水槽和控制器两部分组成。粘度恒温槽提供一个稳定的温场和测试平台，此外仪器也可作为高精度浴槽，进行其它试验。本仪器的最大特点是：全喷塑处理，经久耐用；双层缸结构，高精度控温仪，控温准确。
主要功能特点
1、采用智能液晶显示温控仪，控温迅速，响应快，超调小，控温精度达±0.1℃。 2、采用硬质玻璃缸及保温外套缸（称双缸），保温性能好，试样观察清晰。 3、采用台式、一体机设计方式，仪器整体性好，使用方便。 4、带有线控计时按键，用于实验时的计时显示和控制。 5、采用电动搅拌装置，浴缸内的温度均匀。
6、制冷器与主机分离式设计，防止压缩机工作振动带来的粘度计测试误差。
二、主要技术参数
1、工作电源： AC(220±10%)V，50Hz±5%。 2、加热功率： 1600W。 3、搅拌电机： 功率6W；转速 1200r/min。 4、测温范围： 10℃～180（选配制冷器后可实现制冷）5、控温精度： ±0.1℃。 6、恒温浴： 容量，25L；形式，内外两层缸（双缸）。 7、使用环境： 环境温度-10℃～+35℃，相对湿度＜85％。 8、温度传感器： 工业铂电阻，其分度号为Pt100。 9、整机功耗： 不大于1800W。 10、毛细管粘度计： 4支（平氏或者乌氏客户可任选）11、外形尺寸： 530㎜×400㎜×670㎜
（长×宽×高，含浴缸等）。
仪研智造（上海）药检仪器有限公司
2025-02-20
一种用于实现无线充电平面恒压充电的发射线圈
本发明公开了一种用于实现无线充电平面恒压充电的发射线圈， 包括金属导线、线圈基板，发射线圈为多层平面方形的金属导线，其 特征是同一层内导线绕制方向相同，相邻两层线圈的绕制方向相反。 发射线圈固定于线圈基板平面之上或者位于线圈槽内。由于此发射线 圈由多层绕制方向不同的导线构成，合理设定发射线圈参数，可综合 调控发射线圈上方充电平面的磁场，实现均匀的磁场分布，由此实现 充电平面内接受负载的恒压稳定功率充电。本发明所提供发射线圈能 有效降低无线充电平面内充电负载位置变化时的功率抖动，在电动汽 车无线充电领
华中科技大学
2021-04-14
含阴极射线管CRT类显示器拆解生产线
含阴极射线管（CRT）类显示器是目前电视机、电脑产品的主流使用和淘汰部件，由于CRT中含有铅、镉、塑料（生产和焚烧时会产生二恶因和呋喃）、汞、六价铬、钡、铍、荧光屏、溴化阻燃剂等有毒物质，如处理不当，将危害人体健康，并对环境造成严重污染。同时，由于CRT占到整机重量的55%至65%，因此如何有效解决显示器的主要组成部分——屏锥分离及回收技术是完善电视机电脑回收处理过程的关键问题。本项目在拆解试验和电子废弃物材料级分类识别基础上，研制开发了含CRT类显示器回收处理生产线，提出了一套科学合理的含CRT类显示器无污染回收处理工艺路线，且该工艺在工厂实际中得到印证，实现了对已有设备的直接优化集成，成本低，见效快。
北京航空航天大学
2021-04-13
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化
金刚石半导体集热、电、声、机械等特性于一体，在禁带宽度、击穿场强、迁移率和热导率等方面远高于其他半导体，被称为“终极半导体”。英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化，可以极大地推进我国半导体的革命性变革，实现我国微电子行业的跨越式发展，达到国际先进水平。本项目在国家“千人计划特聘专家”王宏兴的推动下，已经完成了两种微波等离子体CVD设备的设计和制造，利用这些设备已经完成了英寸级单晶金刚石衬底的工程样品，实现了克隆衬底工艺的全线贯通，具有小批量产业化能力。按照日本相关公司的预测，随着金刚石半导体的发展，在2030年，中国的市场规模达到100亿美元。由于金刚石生产中的主要成本是甲烷、氢气和消耗电力的费用，成本较低，经济效益显著。 金刚石半导体特性 关键设备-MPCVD 克隆技术 单晶金刚石衬底
西安交通大学
2021-04-11
分米量级尺寸的六方氮化硼二维单晶的制备
团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法，并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。与石墨烯不同，六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性，其外延生长普遍存在孪晶晶界问题：旋转180°时晶格方向发生改变，外延生长时不可避免地出现反向晶畴，而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方
南方科技大学
2021-04-14