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一种用于实现无线充电平面恒压充电的发射线圈
本发明公开了一种用于实现无线充电平面恒压充电的发射线圈， 包括金属导线、线圈基板，发射线圈为多层平面方形的金属导线，其 特征是同一层内导线绕制方向相同，相邻两层线圈的绕制方向相反。 发射线圈固定于线圈基板平面之上或者位于线圈槽内。由于此发射线 圈由多层绕制方向不同的导线构成，合理设定发射线圈参数，可综合 调控发射线圈上方充电平面的磁场，实现均匀的磁场分布，由此实现 充电平面内接受负载的恒压稳定功率充电。本发明所提供发射线圈能 有效降低无线充电平面内充电负载位置变化时的功率抖动，在电动汽 车无线充电领
华中科技大学
2021-04-14
含阴极射线管CRT类显示器拆解生产线
含阴极射线管（CRT）类显示器是目前电视机、电脑产品的主流使用和淘汰部件，由于CRT中含有铅、镉、塑料（生产和焚烧时会产生二恶因和呋喃）、汞、六价铬、钡、铍、荧光屏、溴化阻燃剂等有毒物质，如处理不当，将危害人体健康，并对环境造成严重污染。同时，由于CRT占到整机重量的55%至65%，因此如何有效解决显示器的主要组成部分——屏锥分离及回收技术是完善电视机电脑回收处理过程的关键问题。本项目在拆解试验和电子废弃物材料级分类识别基础上，研制开发了含CRT类显示器回收处理生产线，提出了一套科学合理的含CRT类显示器无污染回收处理工艺路线，且该工艺在工厂实际中得到印证，实现了对已有设备的直接优化集成，成本低，见效快。
北京航空航天大学
2021-04-13
差示扫描量热仪
差示扫描量热仪是一种测量参比端与样品端的热流差与温度参数关系的热分析仪器，主要应用于测量物质加热或冷却过程中的各种特征参数：玻璃化转变温度Tg、氧化诱导期OIT、熔融温度、结晶温度、比热容及热焓等。
上海和晟仪器科技有限公司
2025-05-06
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化
金刚石半导体集热、电、声、机械等特性于一体，在禁带宽度、击穿场强、迁移率和热导率等方面远高于其他半导体，被称为“终极半导体”。英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化，可以极大地推进我国半导体的革命性变革，实现我国微电子行业的跨越式发展，达到国际先进水平。本项目在国家“千人计划特聘专家”王宏兴的推动下，已经完成了两种微波等离子体CVD设备的设计和制造，利用这些设备已经完成了英寸级单晶金刚石衬底的工程样品，实现了克隆衬底工艺的全线贯通，具有小批量产业化能力。按照日本相关公司的预测，随着金刚石半导体的发展，在2030年，中国的市场规模达到100亿美元。由于金刚石生产中的主要成本是甲烷、氢气和消耗电力的费用，成本较低，经济效益显著。 金刚石半导体特性 关键设备-MPCVD 克隆技术 单晶金刚石衬底
西安交通大学
2021-04-11
分米量级尺寸的六方氮化硼二维单晶的制备
团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法，并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。与石墨烯不同，六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性，其外延生长普遍存在孪晶晶界问题：旋转180°时晶格方向发生改变，外延生长时不可避免地出现反向晶畴，而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方
南方科技大学
2021-04-14
C-V2X软件系列产品 一 C-V2X场景3D演示系统
模拟出真实环境和效果、测试数据。V2X场景3D演示系统能模拟真实预警场景，通过预警场景运行的整个过程得到的数据来验证OBU的协议栈功能设计是否完善。为实验实训室节约测试场地、人员、物资、时间方面的成本。
沈阳启云智网科技有限公司
2022-07-06
X-D2-1学生单组电源
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温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23
X-D2-2学生双组电源
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2021-08-23
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温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23