激光光源, 投影黑科技 同尺寸更亮，同亮度更小 激光光源亮度高，在图像色彩、均匀度、稳定性、能耗、使用寿命、健康环保和价格方面有明显的优势 实测真亮度, 不虚标！ 800流明亮度, 告别“灰蒙蒙” ALPD®激光光源，亮度达800流明，不惧灯光、环境光，有效解决开会关灯的尴尬；在明亮的环境下，也能看到清晰亮丽的投影画面。 影院级色彩标准，真实色彩还原 ALPD®激光显示技术，色彩亮度等于白色亮度输出色，色彩丰富，画面均衡，再现自然本色。 2000:1对比度，画面更通透 画面过渡真实，灰阶显示细腻，画面高光位和黑位细节清晰可见，投射出更加通透和锐利的画面。 25000小时光源寿命,衰减低 一直都很亮，不会用着用着就变暗 应用ALPD激光光源寿命长达25000小时，在整个寿命期内，色彩饱和度和亮度衰减幅度也很小，不用换灯泡，省钱省心免维护。 漫反射成像原理，绿色健康光源 交互式平板、LED光源中保留了大量蓝光，长期观看，容易造成眼睛的伤害，而激光投影机通过反射式原理，自然光漫反射，减少了蓝光对眼睛的伤害。 无线同屏，小屏变大屏 无线多屏互动，wifi无线传输，不受线缆束缚，资料文档秒传大屏幕，兼容ios、windows、android等主流操作系统，支持小明助手、miracast、airplay同屏推送功能，影音、游戏、音乐随手分享到大屏幕 全自动对焦，智能梯形校正开机就是清晰画面 具备自动对焦、智能梯形校正功能，立刻还原清晰方正画面，想怎么投就怎么投。 全铝合金金属外壳一体成型工艺 与 MacBook 表面工艺一致 航空级铝材，阳极氧化一体金属机身，200目精细喷砂，128道工艺，苛求精致，无可挑剔 性能强劲 4K投影不卡顿 强劲内动力，从CPU开始！采用四核2.0处理器及强大的八核Mali450专业图形处理器性能强劲，稳定流畅不卡顿 真正影院120:1级别NXGA 斓曦非圆结构镜头 八片式NXGA斓曦全玻璃镜头，悬浮 搭载，缔造出非圆结构镜头系统 全通道激光3D,震撼画面跃屏而出 光峰助手APP，移动商务全兼容 全面兼容PPT、Word、Excel、PDF、图片、视频存储在移动设备里的演示文件，均可通过APP智能管理、一键投屏 不只是遥控器，还是红外激光笔 弧形人体工学设计，追求更舒适的操控，一键切换红外激光笔，让商务演示可圈可点。 界由我定，想投多大就多大 超大屏幕，百吋高亮大屏 让你的观点更震撼 实拍应用场景展示 小空间大屏演示，随时随地移动办公百吋大屏玩赛车游戏，这种震撼是电脑体验不能比拟的浪漫时刻，在家享受大屏好戏换个高亮大屏，阅读新闻、看股票，体验相当好

CS2350M双恒电位仪是基于常规单通道CS350M 型电化学工作站拓展的产品，可以实现2个通道同步测试，搭配旋转环盘电极（RRDE）使用，各通道独立，可以实现不同参数、不同电分析方法的独立使用，软件友好，可以实现组合编程功能。具体应用于： 1）电合成、电沉积（电镀）、阳极氧化等反应机理研究； 2）电分析化学研究、电化学传感器的性能研究； 3）新型能源材料、先进功能材料以及光电材料的性能研究； 4）金属材料在不同介质（水/混凝土/土壤等）中的腐蚀研究蚀性评价； 5）缓蚀剂、水质稳定剂、涂层以及阴极保护效率的快速评价。 1、硬件参数指标   2，3，4电极体系 双恒电位仪，双通道独立使用 电位仪电位控制范围：±10V 恒电流控制范围：±1.0A 电位控制精度：0.1%×满量程读数±1mV 电流控制精度：0.1%×满量程读数 电位分辨率：10mV(>100Hz), 3mV(<10Hz) 电流灵敏度：<1pA 电位上升时间：<1mS(<10mA),<10mS(<2A) 参比电极输入阻抗：1012W||20pF 电流量程：2A～2nA, 共10档 最大输出电流：1.5A 槽压：±21V   CV 和LSV扫描速度：0.001mV～10000V/s CA和CC脉冲宽度：0.0001～65000s 电流扫描增量：1mA @1A/mS 电位扫描时电位增量：0.076mV @1V/mS SWV频率：0.001～100KHz DPV和NPV脉冲宽度：0.0001～1000s AD数据采集：16bit@1MHz, 20bit @1KHz DA分辨率：16bit, 建立时间：1mS CV的最小电位增量：0.075mV 低通滤波器：8段可编程 电流与电位量程：自动设置 接口通讯模式：网口   2、电化学阻抗功能指标   信号发生器： 频率响应：10mHz~1MHz 频率精确度：0.005% 交流信号幅值：1mV~2500mV 信号分辨率：0.1mV RMS 直流偏压：-10~+10V DDS输出阻抗：50W 波形：正弦波，三角波，方波 正弦波失真：<1% 扫描方式：对数/线性，增加/下降   信号分析器： 最小积分时间：10mS 或循环的最长时间 最大积分时间：106个循环或者105S 测量时间延迟：0~105秒 直流偏置补偿： 电位自动补偿范围：-10V~+10V 电流补偿范围：-1A~+1A 带宽调整(Bandwidth) ： 自动或手动设置，共8级可调   3、CorrTest测量与控制软件主要功能 第一通道软件功能 稳态极化：开路电位测量（OCP）、恒电位极化（I-t曲线)、恒电流极化、动电位扫描（TAFEL曲线）、动电流扫描（DGP） 暂态极化：任意恒电位阶梯波、任意恒电流阶梯波、恒电位阶跃、恒电流阶跃 计时分析：计时电位法（CP）、计时电流法（CA）、计时电量法（CC） 伏安分析：线性扫描伏安法（LSV）#、线性循环伏安法（CV）、阶梯循环伏安法（SCV）#、方波伏安法（SWV）#、差分脉冲伏安法（DPV）#、常规脉冲伏安法（NPV）#、常规差分脉冲伏安法（DNPV）#、差分脉冲电流检测法（DPA）、双差分脉冲电流检测法（DDPA）、三脉冲电流检测法（TPA）、积分脉冲电流检测法（IPAD）、交流伏安法（ACV）#、二次谐波交流伏安（SHACV）、傅里叶变换交流伏安【标#号的方法包括相应的溶出伏安分析方法】 交流阻抗：电化学阻抗～电位控制模式、电化学阻抗（EIS）～时间扫描、电化学阻抗（EIS）～电位扫描（Mott-Schottky曲线）、电化学阻抗～电流控制模式 腐蚀测量：动电位再活化法（EPR）、电化学噪声（EN）、电偶腐蚀测量（ZRA）、氢扩散测试 电池测试：电池充放电测试、恒电流充放电、恒电位间歇滴定（PITT）、恒电流间歇滴定（GITT） 其他：圆盘电极测试以及转速控制、溶液电阻测量（IR降）、溶液电阻正反馈补偿（IR补偿） 第二通道软件功能 稳态极化：开路电位测量（OCP）、恒电位极化（i-t 曲线）、恒电流极化、动电位扫描（TAFEL 曲线）、动电流扫描（DGP） 暂态极化：任意恒电位阶梯波、任意恒电流阶梯波、恒电位阶跃（VSTEP）、恒电流阶跃 计时分析：计时电位法（CP）、计时电流法（CA）、计时电量法（CC） 伏安分析：线性扫描伏安法（LSV）、线性循环伏安法（CV） 电池测量：电池充放电测试、恒电流充放电、恒电位间歇滴定（PITT）、恒电流间歇滴定（GITT） 其他：圆盘电极测试以及转速控制、溶液电阻测量（IR降）、溶液电阻正反馈补偿（IR补偿） 通道二可选配功能：交流阻抗功能   交流阻抗：电化学阻抗～电位控制模式、电化学阻抗（EIS）～时间扫描、电化学阻抗（EIS）～电位扫描（Mott-Schottky曲线）、电化学阻抗～电流控制模式 4、仪器配置 1）仪器主机1台； 2）CorrTest测试与分析软件1套 3）电源线1条 4）网口通讯线1条 5）电极电缆线2条 6）模拟电解池2个（仪器自检器件）

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。

轴突导向因子受体Robo3在调控轴突导向过程中发挥着重要作用。Robo3有两个选择性剪接体，Robo3.1和Robo3.2；它们分别在连合神经元穿越脊髓底板前和后的轴突中特异表达，从而分别控制轴突穿越底板。姬生健在美国工作期间参与的研究表明，Robo3.2可以在穿越后的轴突中局部翻译并受无义介导的RNA衰减（NMD）通路的调控（Colak, Ji et al., Cell）。 姬生健课题组接着对Robo3.1在连合神经元的穿越前轴突内高表达而在穿越后突触内消失这一现象进行了深入的机制研究。课题组首次发现Robo3.1蛋白质的半衰期非常短，其蛋白水平的维持需要持续性的翻译。接着，课题组发现Robo3.1的mRNA被m6A修饰，并可以和m6A阅读器蛋白YTHDF1结合。小鼠的体外和体内实验研究表明，Robo3.1的翻译受YTHDF1调控，从而控制连合神经元的轴突导向。

产品介绍 捷宇科技柜外清：M30B信息交互终端是一款针对金融或类金融窗口的无纸化应用产品，设备以定制化的安卓系统集电磁手写、电容触控、硬件密码键盘、软件乱序键盘、指纹仪、客户评价器、广告播放、数据加密存储等功能为一体。实现柜外设备“一柜清”，为业务窗口提供新型电子业务受理方式，实现无纸化办公，有效提升业务窗口服务品质和窗口形象。适用于金融、邮政、通讯、公检法、公共服务等智慧服务厅环境。 10.1寸真彩轻薄 1280*800分辨率24位真彩色，更好展示业务，提升客户体验。机身仅18mm厚度，演绎极致轻薄。 多种功能模块 采用安卓系统，支持电子签名、密码输入、信息交互、服务评价、多媒体广告等，提供增值服务. 丰富外设扩展 支持电容电磁双模屏，出厂前选配指纹仪、接触和非接IC卡，支持电子签名、远程授权、金融IC卡等业务应用。 统一管理平台 支持远程管理，批量下发升级包和视频图片，配置设备参数等，管理更高效快捷。

捷宇科技M70移动电子签名终端基于行业移动业务办理场景，针对身份核验和签批审核等集合应用需求，采用安卓系统，集电磁手写、电容触控、身份验证、指纹采集、客户评价等功能为一体的智能移动交互设备，有效实现无纸化移动办公，提升业务服务品质和形象。广泛应用于电子政务、金融、邮政、通讯、公检法、公共服务等智慧办公无纸化领域。 产品特点 ◆大尺寸 10.1寸大屏幕，高分辨率（1280*800），24位真彩色，终端能更好展示业务，提升客户体验 ◆高集成度 集成双目摄像头、身份证识别、指纹识别、笔迹书写、IC卡读写等诸多功能模块。终端集成设计完美实现功能与空间的结合，节约设备空间及设备成本，释放业务窗口柜台空间，窗口更加整洁有序 ◆多应用服务 内置安卓系统，支持原笔迹签名回放、信息交互、身份识别、指纹识别、人像拍照、人证比对、卡片服务、服务评价、多媒体广告等多种成熟应用，并能提供软件定制服务 ◆4G全网通 支持中国电信、中国移动、中国联通三家运营商的六种移动通信制式，包括TD-LTE、FDD-LTE、TD-SCDMA、CDMA（EVDO、2000）、WCDMA、GSM（GPRS）的六模 功能模块 ◆双目活体检测模块 能够同时采集近红外和可见光两种图像，引导客户规定时间内完成制定的动作检测是否为真人 ◆身份证识别模块 公安部二代证读卡器，可快速读取二代证信息，结合人像比对系统，可进行人证比对身份核验 ◆指纹模块 采集指纹信息，合成到文档中，确保该文件的唯一性 ◆电子签名模块 顾客可使用终端进行电子填单或信息确认，终端可保留顾客签名笔迹，支持原笔迹签名回放 ◆信息交互模块 交易信息均由客户触控确认，提升客户安全体验感，避免业务办事员误操作纠纷 ◆安卓系统 自带安卓系统，减少主机负载压力；处理效率高，运算能力强；在开机无通讯状态下可进行播放广告媒体 ◆多媒体、服务评价 支持批量下载，播放视频广告。集成服务评价功能，保障业务连续性 ◆SDK开发包 SDK开发包自主研发，帮助软件开发商提供定制化数据 SDK 开发包，包括人脸和身份证，电子签名，评价器，多媒体，信息牌等功能接口

产品功率：3.0Hp（2.2kw） 速度范围：1-20km/h 坡度范围：0-20% 整机尺寸：2222×930×1700（mm） 跑步面积：1587×580mm 产品净重：244kg(LED) 247kg(TFT) 最大承重：150kg

软性握把，多重把位 专业的软性握把，具有良好的舒适性，提升用户运动中的安全指数。 多重把手带动上肢运动达到全身运动。 11.6 超大LED显示屏 用户可通过触摸选择不同等级阻力和锻炼模式，操作更加直观、反应灵敏。 阻力系统：20 种阻力级别 踏步行程：250mm 跨步行程：700mm 整机尺寸：1535×920×1595（mm） 包装尺寸：1660×990×1580（mm） 净重/毛重：188/244kg 最大承重：150kg

在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。