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一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述 内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果：（1）本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属 Ni 为内电极，可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧 结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学
2021-04-14
半导体设备超洁净流控系统及其受制约流控零部件
浙江大学聚焦超洁净流控系统基础研究、技术攻关和产品研发，攻克了影响光刻分辨率、良品率与产率的1mk级温度测控、5ppt级金属离子测控、20μm级气泡测控、50nm级残留液膜测控等关键核心技术
一、项目分类
关键核心技术突破
二、技术分析
如何通过超洁净流控技术降低流控污染，减少曝光缺陷，提升曝光良率，是国产高端半导体制造装备研制面临的重大挑战，直接关乎整机产品的产线应用性能与市场竞争力。此外，作为各类半导体制造装备的共性核心零部件，超洁净流控部件市场被美国、日本等国垄断，使我国半导体制造装备产业面临核心零部件“卡脖子”风险。浙江大学流体动力与机电系统国家重点实验室启尔团队所承担的高端半导体制造装备核心分系统之一的超洁净流控系统，自2004年以来在国家863计划和国家02专项支持，聚焦超洁净流控系统基础研究、技术攻关和产品研发，攻克了影响光刻分辨率、良品率与产率的1mk级温度测控、5ppt级金属离子测控、20μm级气泡测控、50nm级残留液膜测控等关键核心技术，完成了超洁净流控系统九大组件的研制和集成测试，为半导体制造设备扫描速度与产能的提高提供基础理论与方法依据，同时自主研发的半导体机台核心超洁净流控零部件实现了产品化，突破了国外技术的封锁，为我国半导体制造的发展与自主创新提供了基础支撑。
浙江大学
2022-07-22
复合型重金属污染土壤改良剂及其应用和施用方法
本发明公开一种复合型重金属污染土壤改良剂及其应用和施用方法，其包括如下组分：草木灰、钙镁磷肥、生石灰、沸石和有机肥，其重量的配比为：草木灰:钙镁磷肥:生石灰:沸石:羟基磷灰石:有机肥＝(0.3-1.1):(0.1-1.2):(0.4-2.1):(0.1-0.6):(0.008-0.06):(0.4-1.2)。其通过生石灰、钙镁磷肥、羟基磷灰石中的磷酸盐、草木灰中的碳酸钾等无机组分固定污染土壤中的重金属，并结合草木灰、有机肥等有机肥料相改善污染土壤的肥力，持续强化受污染土壤的修复，具有较高的稳定性、良好的环境友好型、成本低廉，能够钝化并修复多种重金属污染土壤，特别是对工矿企业排放废渣造成的土壤污染有良好的修复效果，能够达到治理目标，而且不会产生二次污染，易于大面积推广。
四川大学
2016-10-21
输出电容低ESR开关变换器双缘PFM调制电压型控制方法及其装置
本成果来自国家科技计划项目，现已结题，并获得国家发明专利授权（ZL201310022469.0），知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种输出电容低ESR开关变换器双缘PFM调制电压型控制方法及其装置，检测流过输出电容的电流ic以及输出电压Vo，将两者相加得到信号Vos，电压控制信号Vc与Vos经过时间运算器生成可变时间，结合预设的恒定时间，再经过控制时序生成器产生由恒定时间和可变时间组成的控制时序，控制开关变换器开关管的导通与关断。本成果具有输出电压低纹波且无低频振荡、稳定范围广、瞬态响应速度快、稳压精度高的优点。
西南交通大学
2016-06-27
特色叶菜新优品种及其无公害周年生产技术推广应用
先后引进、示范和推广主要叶菜类蔬菜新优品种 29 个，其中青菜品种 17 个、韭菜 3个、生菜 4 个、芹菜 2 个和大白菜 3 个。在新品种示范推广过程中，重点就青菜周年生产和供应围绕夏季大棵菜优质生产和春季抗抽薹稳产高产和优质两大技术难题进行了试验并取得了明显成效。通过多种形式的覆盖推广应用防虫网和遮阳网。在包括生菜和芹菜等蔬菜上推广应用了穴盘育苗技术。推广应用了频振式诱虫灯和环保捕虫板。在基地建立起了一套无公害蔬菜产品农药残留快速检测的基本流程。
扬州大学
2021-04-14
一种固体氧化物燃料电池阴极气体流场板及其制备方法
本发明公开了一种固体氧化物燃料电池阴极气体流场板，用于 均匀分配氧化气和收集阴极电流，其由多个相互平行连接且尺寸相同 的齿形波纹块构成，齿形波纹块由两个错开距离(7)后平行排列连接的 齿形波纹条(3，4)构成，齿形波纹条(3，4)由多个相互交替连接的平顶 凸台(2)和平板(1)构成，平顶凸台(2)呈齿形轮廓状，平板(1)连接所述平 顶凸台(2)的根部，以形成齿形波纹状，平顶凸台(2)横截面形状为等腰 梯形去掉下底边后
华中科技大学
2021-04-14
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述 内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果：（1）本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属 Ni 为内电极，可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧 结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳
华中科技大学
2021-04-14
一种酸化介孔WO3/SiO2多组份胶体球及其应用
（专利号：ZL 201410300565.1） 简介：本发明公开了一种酸化介孔的WO3/SiO2多组份胶体球，属于化学催化剂领域。该胶体球活性组分是SO42-/WO3/SiO2，其结构似胶体球，具有介孔结构，分散性好，粒径100～900nm，孔径大小3～5nm。用本发明制备的酸化介孔WO3/SiO2多组份胶体球作为催化剂，在催化不同的长链脂肪酸和醇的酯化反应时，表现出了优异的催化性能以及良好的稳定性。当长链脂肪酸为油酸、醇为甲醇的酯化反应
安徽工业大学
2021-01-12