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新型光电材料
与
器件
东南大学
2021-04-13
高速光收发
器件
与
模块
可以量产/n该项目带宽宽,可以覆盖Ku以下所有频段,并向Ka频段发展;线性度高,模拟通信不失真;动态范围大,激光输出功率高,相对强度噪声低。可靠性高,全金属化耦合焊接,提高了可靠性和寿命。市场预期:该项目产品主要应用领域是通信,目前国内市场需求大于300亿人民币。随着国家宽带战略的实施和物联网的发展,未来5-10年将以大于30%/年的速度递增。到2020年将大于1000亿元人民币。
中国科学院大学
2021-01-12
CdZnTe高能射线探测材料
与
器件
内容介绍: 本项目围绕探测器用CdZnTe晶体的制备与开发应用,釆用改进的垂直 布里奇曼技术,通过合理设计成分以及选择合适的掺杂元素和掺杂量,探 索了优化的晶体生长和退火改性工艺,生长出满足探测器要求的高性能 CdZnTe晶体。围绕对X射线和y射线等不同能量射线检测及应用的要求, 解决了探测器用CdZnTe晶体的磨抛加工、表面处理以及接触电极的制备难 题,建立了探测器用CdZnTe晶片的筛选机制和生产线
西北工业大学
2021-04-14
柔性储能
器件
及传感
器件
利于层状纳米材料比表面积大的特点,在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器,及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功 率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平,成果先后发表于JALC0M , 714(2017) 63-70; 763 (2018) 926-934 等。
重庆大学
2021-04-11
新型高密度存储材料
与
器件
已有样品/n“新型高密度存储材料与器件”面向大数据时代对海量数据存储和处理的需求,研究相变、阻变、铁电等新型存储材料和器件的设计与制备关键技术,发展用于高密度存储阵列的选通器件及三维集成技术,研制兼具信息存储、逻辑、运算、编解码等多功能的新型原型器件以及柔性阻变存储器原型器件,将为我国发展具有自主知识产权的新型高性能存储材料与器件奠定技术基础。
中国科学院大学
2021-01-12
二维半导体材料
与
器件
提出了层数调制、栅极电压调制和自组装单分子层调制等物理、化学改性策略,显著调控了MoS2载流子浓度和功函数,为开发低接触电阻的高性能纳电子器件提供了手段,研究成果发表于ACS Nano、APL等知名期刊,应邀为Adv. Mater.撰写综述一篇。
哈尔滨工业大学
2021-04-14
光谱仪器光栅分光
器件
与
部件
中阶梯光栅的刻划: ICP光谱仪的分光核心部件主要是中阶梯光栅,中阶梯光栅的二维分光系统,具备更高的分辨能力,使光谱仪具有分析精准、多元素同时检测以及检测速度快等优点。 √ 分辨力高 √ 制作难度大
上海理工大学
2021-04-13
极深紫外光源
与
纳米
器件
制造
徐永兵课题组于2014年启动了国家重大仪器研究计划(飞秒级时间分辨并自旋分辨电子能谱探测系统,项目编号61427812)。此项目就是旨在建立国内第一套极深紫外的光源系统。目前已经成功地在实验室中,实现了波长为120~24 nm左右的脉冲光源,脉冲重复频率为1kHz,单个脉冲为30fs。单个光子能量最大到50 eV左右,亮度为1 ´ 1011光子/s。从光
南京大学
2021-04-14
压接型IGBT
器件
封装的电热力多
物理
量均衡调控方法
1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况,研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统(如图1所示),可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控,用于研究电压类型(交、直流、重复方波电压)、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性,具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能(如图2所示),平台相关参数:频率:DC~20kHz,电压:0~20kV,上升沿/下降沿:150ns可调,占空比:1%~99%,温度:25℃~150℃,气压:真空~3个大气压。 2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题,研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统(如图3所示),平台具有灵活调节IGBT芯片布局,栅极布线,温度和压力分布的能力,可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究,以及瞬态电流不均衡调控方法的研究;平台相关参数:电压:0~6.5kV,电流:0~3kA,温度:25℃~150℃,压力:0~50kN。 图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升,对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求,自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备(如图4所示)。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试,最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调,功率循环周期为秒级,极限测试能力可达 300 ms,最高压力达220 kN,虚拟结温测量精度达±1°C,导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测,最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段,针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题,提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法,实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计,设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈(如图5所示),实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%;针对器件内部多芯片并联芯片结温测量,提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法,通过各芯片栅极的时序单独控制(如图6所示),在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量,进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上,完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计(如图7所示)。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求,开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作,相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制,并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验,同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。
华北电力大学
2021-05-10
磁流变元
器件
磁流变液是一种机敏材料,在外加磁场的作用下,液体的粘度发生很大的变化,具有很大的抗剪切力,易于控制并且连续可控。运用磁流液可以制作磁流变刹车、离合器、减振器和阻尼器等高科技磁液变元器件,它们可以用于车辆悬挂系统,土木工程结构抗震、减振及大型能量动力设备的基础隔振等方面。此外磁流变阻尼器还可用于制成无级可调式健身器材。我们针对磁流变减振器具有很大的阻尼力,且
西安交通大学
2021-01-12
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