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深
冷储氢技术
深冷高压储氢技术,可以达到深冷高压能耗降低一半,储氢密度最高,无氢气蒸发损耗,氢气加注速度数倍于高压氢气、系统体积最小的目的。深冷高压储氢在小容量储运容器上具有显著的优势。 重卡车载储氢领域、路基分布式储氢基站、特种车辆储氢领域。 最佳有效体积储氢密度: 67g/L; 高续航里程、动力总成的重量和成本能与柴油车匹敌; 小容积(<500L)高储氢量的发展趋势; 深冷高压加氢站加注速度快、能耗和碳排放低以及安全性高。
东南大学
2021-04-13
振动
深
松施肥机
成果简介: 我国农业生产中由于长期运用小型拖拉机进行土壤旋耕作业,造成表层有效土壤减少,土壤容重增加,蓄水能力下降,土壤耕层变浅,全国平均只有16cm,距25cm玉米根系发育需求相差甚远。用华式犁深翻土壤虽然能够打破犁底层,但动土量太大,功耗高,且容易造成水土流失。 基于中国农业大学自主知识产权(发明专利ZL201010621161.4)技术研发的振动式深松施肥机,在不翻动土壤,保持秸秆残茬在地表覆盖的前提下,打破
中国农业大学
2021-04-14
拉
深
挤压切边复合模具
南京工程学院
2021-04-13
深
空探测通信传输技术
哈尔滨工业大学
2021-04-14
圆筒拉
深
工艺分析软件
圆筒拉深是拉深工艺中应用最多的一种。最佳拉深工艺要求以最少的拉深次数在不起皱 和不破裂的前提下成形合格零件。目前国内各种冲压手册沿用前苏联罗氏手册中给出的低碳 钢板材在圆角凹模拉深时无压边圈和有压边圈情况下的多次拉深极限数据,不仅材料少,而 且没有考虑工件和模具几何参数、压边力以及润滑条件等因素,参考价值有限。而圆锥凹模 拉深极限数据尚无可参考资料。 本软件是 2008 年度江苏省机械工业科技进步一等奖项目《板料成形压缩失稳预测与控 制》的主要成果。该软件依据项目提出的拉深危险断面最大承载通式和新的塑性弯曲能量方20 程以及变形区应力应变分析,编制了如下程序: (1)无压边圆角凹模拉深皱曲极限预测程序 (2)无压边锥模拉深皱曲极限预测程序 (3)有压边圆角凹模拉深最小防皱压边力预测程序 (4)有压边圆角凹模拉深破裂极限预测程序 (5)有压边圆角凹模再次拉深破裂极限预测程序 (6)有压边锥模再次拉深破裂极限预测程序 该软件适用于所有拉深板材,不受工件和模具几何参数以及工艺条件限制,只要输入工 件材料及几何参数、模具参数、工艺条件,即可准确地预测各种拉深条件下的起皱与破裂极 限和最小防皱压边力。是模具工程师的得力分析软件。 软件采用 FORTAN77 语言编制,在普通微机上即可运行。
南京工程学院
2021-04-13
片段缩合制备比伐卢
定
的方法
比伐卢定,英文名 bivalirudin,是凝血酶特异性抑制剂,来源于 水蛭素衍生物,是一种合成的含 20 个氨基酸的多肽,序列为: D-Phe-Pro-Arg-Pro-Gly-Gly-Gly-Gly-Asn-Gly-Asp-Phe-Glu-Glu-Ile-Pro -Glu-Glu-Tyr-Leu-OH,分子式:C98H138N24O33,分子量:2178.99。 它能够同时降低肝素临时抗凝时带来的出血和缺血并发症几率。本发明公开了一种片段缩合制
兰州大学
2021-04-14
一种基于特征参数的水电机组调速
系统
控制参数整
定
方法
本发明公开了一种基于特征参数的水电机组调速系统控制参数整定方法,属于水轮机调速器优化技术领域。本发明包括以下步骤:(1)通过无量纲化处理得到水电机组无量纲特征方程(2)应用劳斯-赫尔维茨稳定判据和根轨迹法求取调速系统最优控制参数;(3)利用线性回归法和曲线拟合技术获得调速系统控制参数的最优值。本发明具有整定过程简单、计算量小、易于实现等优点,能够根据水电机组的五个特征参数(水流惯性时间常数、机组惯性时间常数、接力器反应时间常数、永态转差系数和发电机综合自调节系数)直接整定出调速系统最优控制参数。
华中科技大学
2021-04-14
2024年度国家自然科学基金项目申报时间
定
了!
2024年国家自然科学基金集中接收工作于2024年3月1日开始,3月20日16时截止。
国家自然科学基金委员会
2024-01-10
晶体材料大尺寸、
定
晶向放电切割技术
合作的企业类型等。简介请图文并茂,字数1000字以内。) 近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开
南京航空航天大学
2021-04-14
一种
深
硅刻蚀方法
本发明公开了一种深硅刻蚀方法,包括如下步骤:(1)在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜;(2)对硅片进行深感应耦合等离子体干法刻蚀,包括多个刻蚀阶段,每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内,通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成,随着刻蚀深度的增加,各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强。本发明有效解决了现有技术中侧壁垂直度及粗糙度难以控制以及大刻蚀深度难以实现的问题,在提高刻蚀效率的同时,提高了对光刻胶的选择比,刻蚀槽侧壁垂直度高,粗糙度小,刻蚀深度大。
华中科技大学
2021-04-14
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