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锡酸锑
纳米
线复合
电子
封装材料
简介:本发明公开了一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料,属于结构材料技术领域。本发明锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下:锡酸锑纳米线65‑80%、聚乙烯醇3‑5%、聚苯乙烯3‑5%、丙烯酸‑丙烯酸酯‑磺酸盐共聚物0.05‑0.5%、异丙醇铝3‑6%、聚偏氟乙烯7‑14%、水3‑5%,锡酸锑纳米线的直径为50nm、长度为20‑30μm。本发明提供的锡酸锑纳米线复合电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高及制备温度低等特点,在电子封装领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-13
一种钼酸锂
纳米
棒
电子
封装材料
简介:本发明公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料,属于电子封装材料技术领域。本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下:钼酸锂纳米棒65‑80%、聚乙烯醇8‑12%、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5%、异丙醇铝4‑8%、微晶石蜡4‑8%、水3‑7%,钼酸锂纳米棒的直径为50‑100nm、长度为1‑3μm。本发明提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
一种基于
纳米
压电纤维的柔性能量捕获
器件
及其制备方法
本发明公开了一种基于纳米压电纤维的柔性能量捕获器件及其 制备方法。所述器件自下而上依次包括:柔性基材、电极层、压电纤 维层、保护层;所述柔性基材为柔性绝缘塑料薄膜;所述压电纤维层 为 PVDF 纤维。通过采用柔性基材,采用照相制版工艺制备梳状电极, 并选择合适的静电纺丝参数沉积 PVDF 压电纤维,无需再对压电纤维 进行极化,使纤维整齐排列、减小纤维缺陷,能够简化纳米压电纤维 能量捕获器件制备工艺,提高能量转换效率,尤其是对弯曲运动机械 能的捕获效果。
华中科技大学
2021-04-11
一种基于
纳米
压电纤维的柔性能量捕获
器件
及其制备方法
本发明公开了一种基于纳米压电纤维的柔性能量捕获器件及其制备方法。所述器件自下而上依次包括:柔性基材、电极层、压电纤维层、保护层;所述柔性基材为柔性绝缘塑料薄膜;所述压电纤维层为 PVDF 纤维。通过采用柔性基材,采用照相制版工艺制备梳状电极,并选择合适的静电纺丝参数沉积 PVDF 压电纤维,无需再对压电纤维进行极化,使纤维整齐排列、减小纤维缺陷,能够简化纳米压电纤维能量捕获器件制备工艺,提高能量转换效率,尤其是对弯曲运动机械能的捕获效果。
华中科技大学
2021-04-14
一种铋酸钡
纳米
棒
电子
封装材料
简介:本发明公开了一种铋酸钡纳米棒电子封装材料,属于电子封装材料技术领域。本发明铋酸钡纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下:铋酸钡纳米棒65-80%、聚苯乙烯10-15%、辛基酚聚氧乙烯醚0.05-0.5%、三甲氧基硅烷5-10%、聚乙烯蜡4-10%。本发明提供的电子封装材料使用铋酸钡纳米棒、聚苯乙烯、辛基酚聚氧乙烯醚、三甲氧基硅烷和聚乙烯蜡作为原料,具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
柔性储能
器件
及传感
器件
利于层状纳米材料比表面积大的特点,在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器,及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功 率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平,成果先后发表于JALC0M , 714(2017) 63-70; 763 (2018) 926-934 等。
重庆大学
2021-04-11
一种氧化锌
纳米
纤维同质p-n结
器件
及其制备方法
本发明公开了一种氧化锌纳米纤维同质P-N结器件及其制备方法,属于纳米材料和半导体器件领域。采用静电纺丝技术进行二次纺丝,形成交叉结构纳米纤维P-N结氧化锌半导体,制备方法简单,成本较低,适宜批量生产,由此方法制得的含有交叉结构纳米纤维P-N结的氧化锌纳米纤维同质P-N结器件具有结构稳定、性能稳定可靠、实用性强的优点。
青岛大学
2021-04-13
磷化铟
纳米
柱径向同质结阵列结构的制备及高效光电转换
器件
1. 痛点问题 目前硅基太阳能电池占据着太阳能电池的主导地位,其中单晶硅电池转换效率已可以达到25%左右,但它们需要比较多的单晶硅材料,生产成本高。而对于多晶硅,由于缺陷较多,转换效率比较低。III-V族材料转换效率高,但是材料和生产成本居高不下,难以推广使用。虽然可以利用纳米柱阵列来提高光吸收能力及减少材料成本,但是由于纳米柱结构具有很大的表面积,载流子较大的表面复合严重影响着器件的性能,而且需要昂贵的设备生长径向异质结和控制掺杂浓度。 2. 解决方案 本项目提出一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的简单制备方法,目前已完成高效太阳能电池验证和原型器件的制备,另还有可见光探测器等在研。 本方法是在磷化铟纳米柱制备过程中,利用刻蚀气体中加入氢气,可以同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备,通过控制刻蚀时间及氢气含量,精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度,相比于其他生长径向同质结的方法,本方法设备简单,制备效率高。在降低成本方面,纳米柱结构相比于平面结构具有更好的陷光效应,只需使用少量的材料便可以实现高效光吸收。 合作需求 本项目下一步发展需求主要集中在与太阳能电池相关企业的技术和产品合作,优化和固定产品制作工艺流程,降低生产成本。其次是资本投资、政府政策等方面的扶持。需要的外部资源主要是产业的工程化和市场资源。
清华大学
2022-03-09
一种芯壳型
纳米
线三维 NAND 闪存
器件
及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件,该存 储器件由芯壳型纳米线作为 NAND 串组成,所述 NAND 串垂直于衬 底。利用芯壳型纳米线作为 NAND 串制作存储器件,不仅使器件的结 构更加简单,也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤,简 化了制备过程,对降低制造成本有积极作用
华中科技大学
2021-04-14
一种铋酸锂
纳米
棒复合
电子
封装材料
(专利号:ZL 201510560801.8) 简介:本发明公开了一种铋酸锂纳米棒复合电子封装材料,属于封装材料技术领域。本发明铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下:铋酸锂纳米棒65‑80%、聚丙乙烯10‑15%、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5%、三羟甲基丙烷5‑10%、硅树脂甲基支链硅油4‑10%。本发明提供的复合电子封装材料使用铋酸锂纳米棒作为主要原料,具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
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