产品详细介绍
ET9000系列电输运性质测试系统（霍尔效应系统）是集霍尔效应、磁阻、I-V特性等测试于一体的全自动化测试系统。系统全面地考虑了仪表配置、电路接线（包括室温和低温的接线）等用户经常忽略的问题，选取了美国Keithley的电测量仪表，磁场根据用户需要采用电磁铁或无液氦超导磁体， 配备灵巧的测量样品杆，加上全自动化的专用测试软件，能让用户快速方便地进行样品测试，并获得准确可靠的数据。 此外、系统还有多种低温选件，并可以根据用户现有的仪表和对软件的特殊要求进行特殊改造， 是广大科研工作者对样品进行电输运性质研究的有力工具。
ET9000电输运系统主要特点:
标准系统使用插入式样品夹具，样品安装方便；
基本配置一次最多可以加装四个样品， 并同时可以对两个样品进行测试；
标准系统随机配送一个探针样品卡；
标准系统可以进行不同磁场下的霍尔效应、I-V特性的测量；
电阻测量范围宽：0.1mΩ—50GΩ（高阻系统），测量的不确定度为2%；
测试过程和计算过程由软件自动执行，节省了大量的时间；
软件可以显示测量结果和测量曲线；
系统磁场采用闭环控制，可以提供高稳定性的磁场， 同时解决了磁铁剩磁问题，实现真正的零磁场；
选择变温选件，可以进行不同温度下的霍尔效应测量和I-V特性测量。
ET9000电输运系统可测试材料:
半导体材料：
Si、Ge、GaAs、GaN、AlGaAs、CdTe、HgCdTe、CdTe、ZnO、SiC、GeSi、InP、MCT等，以及弱磁半导体和稀磁半导体的薄膜及块材；
铁氧体材料；
低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等。
ET9000电输运系统基本功能:
可以进行霍尔效应、I-V特性（电阻率）及磁电阻（MR）的测量；
可得出参数：霍尔效应——方块电阻、电阻率、霍尔系数、导电类型、霍尔迁移率、载流子浓度；
I-V特性的MR的特性曲线包括：
不同磁场下的I-V特性曲线
不同温度下的I-V特性曲线
不同磁场下的变温I-V特性曲线
不同温度下的变磁场I-V特性曲线
电阻随温度、磁场变化的特性曲线
P-B曲线
ET9000系列电输运性质测试系统（霍尔效应系统）是集霍尔效应、磁阻、I-V特性等测试于一体的全自动化测试系统。系统全面地考虑了仪表配置、电路接线（包括室温和低温的接线）等用户经常忽略的问题，选取了美国Keithley的电测量仪表，磁场根据用户需要采用电磁铁或无液氦超导磁体， 配备灵巧的测量样品杆，加上全自动化的专用测试软件，能让用户快速方便地进行样品测试，并获得准确可靠的数据。 此外、系统还有多种低温选件，并可以根据用户现有的仪表和对软件的特殊要求进行特殊改造， 是广大科研工作者对样品进行电输运性质研究的有力工具。
ET9000电输运系统主要特点:
标准系统使用插入式样品夹具，样品安装方便；
基本配置一次最多可以加装四个样品， 并同时可以对两个样品进行测试；
标准系统随机配送一个探针样品卡；
标准系统可以进行不同磁场下的霍尔效应、I-V特性的测量；
电阻测量范围宽：0.1mΩ—50GΩ（高阻系统），测量的不确定度为2%；
测试过程和计算过程由软件自动执行，节省了大量的时间；
软件可以显示测量结果和测量曲线；
系统磁场采用闭环控制，可以提供高稳定性的磁场， 同时解决了磁铁剩磁问题，实现真正的零磁场；
选择变温选件，可以进行不同温度下的霍尔效应测量和I-V特性测量。
ET9000电输运系统可测试材料:
半导体材料：
Si、Ge、GaAs、GaN、AlGaAs、CdTe、HgCdTe、CdTe、ZnO、SiC、GeSi、InP、MCT等，以及弱磁半导体和稀磁半导体的薄膜及块材；
铁氧体材料；
低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等。
ET9000电输运系统基本功能:
可以进行霍尔效应、I-V特性（电阻率）及磁电阻（MR）的测量；
可得出参数：霍尔效应——方块电阻、电阻率、霍尔系数、导电类型、霍尔迁移率、载流子浓度；
I-V特性的MR的特性曲线包括：
不同磁场下的I-V特性曲线
不同温度下的I-V特性曲线
不同磁场下的变温I-V特性曲线
不同温度下的变磁场I-V特性曲线
电阻随温度、磁场变化的特性曲线
P-B曲线