近日，我校材料科学与工程学院2019级材料物理专业本科生严锦同学在氧化物薄膜晶体管掺杂工程及其稳定性研究中取得新进展，作为第一作者在微电子器件顶级期刊《IEEETransactionsonElectronDevices》上发表了以“Electrospinning-DrivenInHfOxNanofiberChannelField-EffectTransistorsandHumidityStabilityExploration”为题的论文。材料科学与工程学院何刚教授和集成电路学院姜珊珊老师为论文的通讯作者，安徽大学为论文的第一作者单位和通讯作者单位。
大规模集成及低压驱动是未来低功耗高清显示领域产业的追求的目标，国家在此领域有重大需求。氧化物薄膜晶体管因高迁移率、透明及大面积集成等优势已成为当前平板显示器件的核心驱动元件，但薄膜晶体管的环境失稳和输运退化已成为未来大尺寸高清显示器件发展的技术障碍。针对这些问题，严锦同学在何刚教授指导下，基于静电纺丝技术获取了掺杂可控的非晶氧化物沟道材料，构筑了对湿度适度免疫的In2O3基薄膜晶体管和超稳全摆幅逻辑电路。该系列研究工作有望解决非晶氧化物薄膜晶体管因环境因素失稳导致服役周期下降的关键技术瓶颈，促进氧化物薄膜器件基础研究成果走向大规模应用。
该篇论文工作来源于安徽大学大学生创新创业训练计划项目。该研究工作得到国家自然科学基金面上项目(11774001、51572002)、2021年大学生创新创业训练计划(S202110357025)、及安徽省领军人才团队项目(Z010118169)联合资助。
图.InHfO纳米纤维微结构表征及InHfO/SiO2-TFTs的电学特性测试