在应变的InAs/GaInSb量子阱中,量子阱中的应力使其能带发生改变,从而使得体态杂化能隙得以增大,这直接导致了边缘态电子费米速度的增加,因而螺旋边缘态中的相互作用效应变弱。实验上测量得到的边缘态电导以及其对外加磁场的响应清楚地表明该系统中的量子自旋霍尔态是一种Z2拓扑绝缘体,其性质受到时间反演对称性的保护。而且,InAs/GaInSb量子阱中螺旋边缘态的相干长度最长可达10微米以上,远大于之前所有有关量子自旋霍尔态研究工作中报道的数值。另外,螺旋边缘态的相干长度还可以被栅极调节,这显示了边缘态电导与边缘态电子费米速度,也即边缘态相互作用强度密切相关。
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