二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料

其它领域

具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料（硒氧化铋，Bi ₂ O ₂ Se），在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。

由Bi ₂ O ₂ Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区)，并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi ₂ O ₂ Se光电探测器具有约1皮秒（10 ^-12 秒）的本征超快光电流响应时间。

化合物由交替堆叠的Bi ₂ O ₂ 和Se层组成，晶体中氧的存在，使其在空气中具有极佳的稳定性，完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。

未应用