中试阶段/n基于硅基材料的光互联技术具体有高速高密度、受电磁干扰小、低功耗,兼容 于 CMOS 工艺等特点。1、在激光器研制方面,拥有基于 InP 基的微钠尺度微腔激光 器和光子晶体激光器以及基于硅基的光发射器件;2、在光调制器研制方面拥有基 于硅基的光调制器;3、在探测器方面,拥有通过键合方式集成在 Si 上的 InP 基探 测器和直接在硅上外延锗或 GeSn 的探测器等;4、拥有基于硅基的光波导器件、硅 基波分复用解复用器件以及可见光衰减器。 片上、片间光互联技术主要应用于高性能电子芯片、超级计
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